公开(公告)号：CN107452711A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710556412.7

申请日：2013-12-16

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C·J·杰泽斯基 ,  J·S·克拉克 ,  T·K·因杜库里 ,  F·格瑟特莱恩 ,  D·J·谢拉斯

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L21/76841 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明描述了包括钴的金属互连和形成包括钴的金属互连的方法。在实施例中，包括钴的金属互连包括设置在衬底上的电介质层、形成在所述电介质层中以使所述衬底被露出的开口。实施例还包括设置在所述衬底之上的晶种层、以及形成在所述开口内和所述晶种层的表面上的包括钴的填充材料。

公开(公告)号：CN106068549A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201580002697.9

申请日：2015-02-21

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C·J·杰泽斯基 ,  T·K·因杜库里 ,  R·V·谢比亚姆 ,  C·T·卡弗

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/53209 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 实施例包括金属互连结构，所述金属互连结构包括：设置在衬底上的电介质层；所述电介质层中的开口，其中，所述开口具有侧壁并且暴露所述衬底和互连线的至少其中之一的导电区；设置在所述导电区之上和所述侧壁上的粘附层，所述粘附层包括锰；以及所述开口内和所述粘附层的表面上的填充材料，所述填充材料包括钴。本文中描述了其它实施例。

公开(公告)号：CN103459654A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280011361.5

申请日：2012-02-15

Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社

Inventor： 大月富男 ,  福岛笃志

IPC: C23C14/34 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  C22F1/00

CPC classification number: H01L23/53233 ,  C22C1/02 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53261 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种铜钛合金制溅射靶，Ti为3原子%以上且小于15原子%，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，其特征在于，靶的面内方向的硬度的偏差(标准差)为5.0以内，电阻的偏差(标准差)为1.0以内。本发明提供用于形成半导体用铜钛合金制布线的溅射靶、半导体用铜钛合金制布线以及具备该半导体布线的半导体元件和器件，所述溅射靶使半导体用铜合金布线自身具有自扩散抑制功能、能够有效地防止由活性Cu的扩散导致的布线周围的污染、并且使耐电迁移(EM)性、耐腐蚀性等提高、能够任意且容易地形成阻挡层、而且能够使膜特性均匀化。

公开(公告)号：CN108461546A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201710700472.1

申请日：2017-08-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新田峻介 ,  松冈长 ,  加藤俊亮 ,  新井雅俊 ,  小泽慎也 ,  田中文悟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/0623 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53261 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明一般涉及半导体装置。目的在于提供耐压更高的半导体装置。实施方式所涉及的半导体装置具备半导体层、第一电极以及第一绝缘膜。所述第一电极设置在所述半导体层内，在第一方向上延伸。所述第一绝缘膜设置在所述半导体层与所述第一电极之间，从所述第一电极朝向所述半导体层的方向上的厚度随着向所述第一方向而阶段性地变厚。所述第一绝缘膜具有相互不同的3个以上的厚度。

公开(公告)号：CN105679784A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510779495.7

申请日：2015-11-13

Applicant: 上海磁宇信息科技有限公司

Inventor： 肖荣福

IPC: H01L27/22 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/222 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76882 ,  H01L23/53204 ,  H01L23/53261 ,  H01L2221/1073

Abstract: 本发明是关于在纳米尺寸的MRAM中，制备高质量的周边导电通路(ECM，Electrical Conducting Means)的方法，具有高电导率和更好的阻止Cu电迁移。通过对扩散阻止层(DBL，Diffusion Barrier Layer)和粘附增强层(AEL，Adhesion Enhancement Layer)选择合适的材料，可以得到可靠性高的MRAM器件。为进一步减低DBL与AEL的总厚度，可以采用单层合金扩散阻止层(ADBL，Alloyed Diffusion Barrier Layer)。ADBL材料可选自Co、Ru或Cr的合金，合金的其它元素选自W、Ti、Pt、Rd、Hf、Nb、Zr、V，这些元素的含量在5％至40％之间。

公开(公告)号：CN105374794A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201410795262.1

申请日：2014-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  傅美惠 ,  林威戎 ,  周友华 ,  许嘉麟 ,  黄宏麟 ,  林士琦

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种互连结构和形成互连结构的方法。互连结构包括位于衬底上方的接触层；位于接触层上方的介电层，其中，介电层具有开口，开口暴露接触层的部分；位于接触层的暴露部分上方的硅化物层；沿着开口的侧壁的阻挡层；位于阻挡层上方的合金层；位于合金层上方的胶合层以及位于胶合层上方的导电插塞。

公开(公告)号：CN103459654B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201280011361.5

申请日：2012-02-15

Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社

Inventor： 大月富男 ,  福岛笃志

IPC: C23C14/34 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  C22F1/00

CPC classification number: H01L23/53233 ,  C22C1/02 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53261 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种铜钛合金制溅射靶，Ti为3原子%以上且小于15原子%，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，其特征在于，靶的面内方向的硬度的偏差(标准差)为5.0以内，电阻的偏差(标准差)为1.0以内。本发明提供用于形成半导体用铜钛合金制布线的溅射靶、半导体用铜钛合金制布线以及具备该半导体布线的半导体元件和器件，所述溅射靶使半导体用铜合金布线自身具有自扩散抑制功能、能够有效地防止由活性Cu的扩散导致的布线周围的污染、并且使耐电迁移(EM)性、耐腐蚀性等提高、能够任意且容易地形成阻挡层、而且能够使膜特性均匀化。

公开(公告)号：CN108807317A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710834344.6

申请日：2017-09-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 葛贝夫·辛格 ,  李智铭 ,  林其谚 ,  郭文昌 ,  刘洲宗

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/06 ,  G06F17/5072 ,  G06F17/5081 ,  H01L21/78 ,  H01L22/34 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L29/0649 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03827 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/061 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/1308

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包含形成第一接触衬垫及第二接触衬垫在第一钝化层上、沉积第一缓冲层在第一接触衬垫及第二接触衬垫上，以及沉积第二缓冲层在第一缓冲层及第二接触衬垫上。第一接触衬垫是在电路区域内，且第二接触衬垫是在非电路区域内。第二接触衬垫的边缘是被暴露，而第一接触衬垫的周围及第二接触衬垫的边缘是被第一缓冲层覆盖。

公开(公告)号：CN108630534A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810245726.X

申请日：2018-03-23

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 市川弘之 ,  西真弘

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76886 ,  H01L21/28575 ,  H01L23/53219 ,  H01L23/53261 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种在氮化物半导体材料上形成包含铝(Al)的欧姆电极的方法。该方法包括以下步骤：(a)在半导体材料上沉积欧姆金属；(b)形成绝缘膜，使该绝缘膜覆盖所述欧姆金属的侧面但暴露所述欧姆金属的顶面；和(c)在高于500℃的温度使所述欧姆金属合金化30秒至60秒。

公开(公告)号：CN104347493B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201410365965.0

申请日：2014-07-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·G·菲立皮 ,  E·卡尔塔利奥古鲁 ,  李伟健 ,  王平川 ,  张丽娟

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53261 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体及其制造方法。公开了用于防止由于电迁移和时间相关的电介质击穿而导致集成电路失效的方法和结构。以比(针对短长度效应的)临界长度小的金属盖片段之间的间隔距离在金属(通常是铜Cu)互连线上选择性形成随机图案化的金属盖层。由于Cu/金属盖界面的扩散性低于Cu/电介质盖界面的扩散性，因此具有金属盖的区域用作扩散势垒。