半导体及其制造方法

Invention Grant

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Patent Title: 半导体及其制造方法
Application No.: CN201410365965.0

Application Date: 2014-07-29
Publication No.: CN104347493B

Publication Date: 2017-05-03
Inventor: R·G·菲立皮 , E·卡尔塔利奥古鲁 , 李伟健 , 王平川 , 张丽娟
Applicant: 国际商业机器公司
Applicant Address: 美国纽约
Assignee: 国际商业机器公司
Current Assignee: 格芯美国第二有限责任公司
Current Assignee Address: 美国纽约
Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
Agent 王莉莉
Priority: 13/953,058 20130729 US
Main IPC: H01L21/768
IPC: H01L21/768 ; H01L23/522 ; H01L23/532

Abstract:

本发明涉及半导体及其制造方法。公开了用于防止由于电迁移和时间相关的电介质击穿而导致集成电路失效的方法和结构。以比(针对短长度效应的)临界长度小的金属盖片段之间的间隔距离在金属(通常是铜Cu)互连线上选择性形成随机图案化的金属盖层。由于Cu/金属盖界面的扩散性低于Cu/电介质盖界面的扩散性，因此具有金属盖的区域用作扩散势垒。

Public/Granted literature

CN104347493A 半导体及其制造方法 Public/Granted day:2015-02-11

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/71	..限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造（H01L21/28，H01L21/44，H01L21/48优先）
H01L21/768	...利用互连在器件中的分离元件间传输电流