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公开(公告)号：CN104347493A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410365965.0
申请日：2014-07-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/76834 , H01L21/76838 , H01L21/76849 , H01L23/53209 , H01L23/53238 , H01L23/53242 , H01L23/53257 , H01L23/53261 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体及其制造方法。公开了用于防止由于电迁移和时间相关的电介质击穿而导致集成电路失效的方法和结构。以比(针对短长度效应的)临界长度小的金属盖片段之间的间隔距离在金属(通常是铜Cu)互连线上选择性形成随机图案化的金属盖层。由于Cu/金属盖界面的扩散性低于Cu/电介质盖界面的扩散性，因此具有金属盖的区域用作扩散势垒。
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公开(公告)号：CN103222052A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180056078.X
申请日：2011-08-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/62
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供电子熔断器(电熔断器)的结构。一种未编程的电熔断器(100)包括：第一传导材料的过孔(120)，具有底部和侧壁，其中侧壁的一部分由传导衬垫(121)覆盖并且过孔的底部形成于电介质层(410)上面；以及第二传导材料的第一和第二传导路径(111，112)，形成于电介质层(410)上面而在侧壁经过并且仅经过过孔(120)传导地连接第一和第二传导路径。一种编程的电熔断器包括：过孔(120)；第一传导路径(111)，在过孔的第一侧并且被空部(122)从过孔的侧壁分离；以及第二传导路径(112)，在过孔(120)的第二不同侧并且经过过孔的侧壁与过孔传导接触。
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公开(公告)号：CN102640416A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201080054180.1
申请日：2010-11-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H03F1/30
CPC classification number: H03F1/302
Abstract: 一种恢复双极性晶体管中的增益的方法，包括：提供双极性晶体管，所述双极性晶体管包括发射极、集电极和在所述发射极和所述集电极处的结之间布置的基极；对于操作时间段用操作电压来反向偏压所述发射极和基极之间布置的结，使得所述晶体管的电流增益β劣化；使所述晶体管空闲；以及对于修复时间段（TR），在用第一修复电压（VBER）正向偏压所述发射极和所述基极之间布置的结时，且在至少部分地同时用第二修复电压（VCBR）反向偏压所述集电极和所述基极之间布置的结时，向所述基极中生成修复电流Ibr，使得至少部分地恢复所述增益。
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公开(公告)号：CN101257000B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810074179.X
申请日：2008-02-27
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 丹尼尔·C·埃德尔斯坦 , 野上毅 , 王平川 , 王允愈 , 杨智超
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76814 , H01L21/76805 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种结构及相关方法，该结构包括在铜布线和介电层的无衬界面处的难熔金属环。在一实施例中，一结构包括：铜布线，与其上的介电层具有无衬界面；通孔，从该铜布线向上延伸穿过该介电层；以及难熔金属环，从该通孔的侧面部分沿该无衬界面延伸。难熔金属环通过改善通孔周围的界面来防止电迁移造成的狭缝空缺，并防止空缺成核出现在通孔附近。另外，在通孔和介电层无衬界面附近存在空缺时，难熔金属环提供电冗余。
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公开(公告)号：CN103873027B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310629598.6
申请日：2013-11-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H03K5/125
Abstract: 本发明涉及时钟相移检测器和检测时钟相移的方法。一种时钟相移检测器电路可以包括接收第一时钟信号和第二时钟信号的相位检测器，由此该相位检测器产生基于第一时钟信号与第二时钟信号之间的相位差的相位信号。第一积分器与相位检测器耦合，接收相位信号，并产生积分的相位信号。第二积分器接收第一时钟信号，并产生积分的第一时钟信号。比较器与第一积分器和第二积分器耦合，由此比较器接收积分的相位信号和积分的第一时钟信号。比较器然后可以基于积分的相位信号和积分的第一时钟信号之间的振幅比较来产生检测第一时钟信号和第二时钟信号的相位差与优化的相位差之间的变化的控制信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105810668A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610161586.9
申请日：2012-03-13
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种具有堆叠的通道(122,132)的后段制程(BOEL)熔丝结构。通道(122,132)堆叠导致高深宽比，而使得通道内的衬里和种子覆盖更差。衬里(124)和种子层的弱化导致电迁移(EM)失效的较高概率。该熔丝结构解决了因差的衬里和种子覆盖引起的失效。设计特征允许确定失效发生在何处、确定在熔丝编程后受损害区域的程度，并防止受损害电介质区域的进一步蔓延。
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公开(公告)号：CN103873027A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310629598.6
申请日：2013-11-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H03K5/125
Abstract: 本发明涉及时钟相移检测器和检测时钟相移的方法。一种时钟相移检测器电路可以包括接收第一时钟信号和第二时钟信号的相位检测器，由此该相位检测器产生基于第一时钟信号与第二时钟信号之间的相位差的相位信号。第一积分器与相位检测器耦合，接收相位信号，并产生积分的相位信号。第二积分器接收第一时钟信号，并产生积分的第一时钟信号。比较器与第一积分器和第二积分器耦合，由此比较器接收积分的相位信号和积分的第一时钟信号。比较器然后可以基于积分的相位信号和积分的第一时钟信号之间的振幅比较来产生检测第一时钟信号和第二时钟信号的相位差与优化的相位差之间的变化的控制信号。
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公开(公告)号：CN101183398B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200710140228.0
申请日：2007-08-06
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G01N25/18
Abstract: 本发明提供一种用于表征器件自加热的结构和方法。本方法包括确定给定器件的多晶栅极温度和确定监测器件的沟道温度。本方法还包括外推所述监测器件的沟道温度以获得所述给定器件的沟道温度。基于所述多栅极温度和所述沟道温度确定所述给定器件的温度差(ΔT值)。器件包括具有在其每一个端处具有至少一个接触的多晶栅极的加热器件和与加热器件间隔已知距离的多个监测器件。
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公开(公告)号：CN101930965A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010206364.7
申请日：2010-06-17
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/76802 , H01L21/76847 , H01L21/76852 , H01L23/5286 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/53266 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及用于半导体器件的电网结构及其制造方法。本发明的一个实施例提供一种半导体结构，其包括：在电介质层内形成的第一导电材料的插塞；具有底部和侧壁的第二导电材料的过孔，其中所述底部和所述侧壁被导电衬里覆盖，并且所述底部被直接形成在所述插塞的顶部上且通过所述导电衬里而与所述过孔接触；以及第三导电材料的一个或多个导电路径，其通过在所述过孔的所述侧壁处的所述导电衬里而连接到所述过孔。还提供制造该半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN100428469C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200510119297.4
申请日：2005-11-03
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 爱德华·W.·克沃拉 , 罗纳德·菲利比 , 罗伊·C.·伊古尔登 , 王平川 , 斯蒂芬·K.·洛
IPC: H01L27/02 , H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/7684 , H01L21/3212 , H01L21/7688 , H01L22/24 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于在镶嵌工艺中的抛光之后检测残余衬里材料的方法和结构，包括包含衬底的集成电路；衬底上方的介质层；介质层上方的标记层；标记层和介质层上方的衬里；以及衬里上方的金属层，其中标记层包括紫外线可检测材料，所述材料在由紫外线激励时以信号表明在标记层上方不存在金属层和衬里。而且，标记层包括与介质层分开的独立的层。此外，紫外线可检测材料包括荧光材料或磷光性材料。
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