Invention Grant
- Patent Title: 包括通孔的结构及其制造方法
- Patent Title (English): Structure including via and manufacturing method thereof
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Application No.: CN200810074179.XApplication Date: 2008-02-27
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Publication No.: CN101257000BPublication Date: 2010-06-09
- Inventor: 丹尼尔·C·埃德尔斯坦 , 野上毅 , 王平川 , 王允愈 , 杨智超
- Applicant: 国际商业机器公司
- Applicant Address: 美国纽约阿芒克
- Assignee: 国际商业机器公司
- Current Assignee: 格芯公司
- Current Assignee Address: 美国纽约阿芒克
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 张波
- Priority: 11/679,483 2007.02.27 US
- Main IPC: H01L23/522
- IPC: H01L23/522 ; H01L21/768

Abstract:
本发明提供一种结构及相关方法,该结构包括在铜布线和介电层的无衬界面处的难熔金属环。在一实施例中,一结构包括:铜布线,与其上的介电层具有无衬界面;通孔,从该铜布线向上延伸穿过该介电层;以及难熔金属环,从该通孔的侧面部分沿该无衬界面延伸。难熔金属环通过改善通孔周围的界面来防止电迁移造成的狭缝空缺,并防止空缺成核出现在通孔附近。另外,在通孔和介电层无衬界面附近存在空缺时,难熔金属环提供电冗余。
Public/Granted literature
- CN101257000A 包括通孔的结构及其制造方法 Public/Granted day:2008-09-03
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