公开(公告)号：CN105900227B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201480070660.5

申请日：2014-12-09

申请人： 英特尔公司

发明人： C·J·杰泽斯基 ,  J·S·沙瓦拉 ,  K·J·辛格 ,  A·M·迈尔斯 ,  E·N·谭 ,  R·E·申克尔

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/7688 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明描述了用于在电介质层内形成具有紧密间距的互连结构的互连层的工艺，其中，沟槽和过孔用于在金属化之前形成具有相对低的纵横比的互连结构。该低纵横比可以降低或基本上消除在沉积金属化材料时在金属化材料内形成孔隙的可能性。本文中的实施例可以通过允许去除结构的工艺来实现这种相对低的纵横比，该工艺用于在金属化之前形成沟槽和过孔。

公开(公告)号：CN106952868A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201611108884.8

申请日：2016-12-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 傅世刚 ,  李明翰

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/321 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L21/76883 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/7688 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L29/0692

摘要： 一种半导体装置的形成方法，其包括形成介电层于基板上，及牺牲层于介电层上。此方法还包括形成沟槽通过牺牲层及介电层及形成导电结构于沟槽中。此方法还包括移除牺牲层。此外，牺牲层移除之后，导体元件的上表面与介电层的上表面不等高。

公开(公告)号：CN103985751B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310050106.8

申请日：2013-02-08

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 朱慧珑

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00

CPC分类号： H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/7688 ,  H01L23/485 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本申请公开了一种半导体设置及其制造方法。一示例设置可以包括：衬底；在衬底上形成的背栅；在背栅的相对侧壁上设置的至少一对纳米线；以及夹于背栅与各纳米线之间的背栅介质层。

公开(公告)号：CN103985751A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201310050106.8

申请日：2013-02-08

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 朱慧珑

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00

CPC分类号： H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/7688 ,  H01L23/485 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本申请公开了一种半导体设置及其制造方法。一示例设置可以包括：衬底；在衬底上形成的背栅；在背栅的相对侧壁上设置的至少一对纳米线；以及夹于背栅与各纳米线之间的背栅介质层。

公开(公告)号：CN103972149A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201310036612.1

申请日：2013-01-30

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 周鸣

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/76882 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/7688 ,  H01L21/76897

摘要： 一种金属填充沟槽的方法，包括：提供沟槽，在所述沟槽底部和侧壁形成润湿金属层；形成所述润湿金属层后，在所述沟槽内填充牺牲材料层，所述牺牲材料层将所述沟槽完全填充；刻蚀所述牺牲材料层，直至暴露出部分沟槽侧壁的润湿金属层；使暴露的所述润湿金属层反应形成绝缘层或在暴露的所述润湿金属层上形成绝缘层；形成所述绝缘层后，清除剩余的所述牺牲材料层；采用第一沉积法沉积金属层，所述金属层高度不大于刻蚀中未暴露的润湿金属层高度；采用第二沉积法继续沉积金属层，直至完全填充所述沟槽。该方法能够在金属填充高深宽比的沟槽时，实现无间隙填充。

公开(公告)号：CN100382278C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN03821061.4

申请日：2003-08-04

申请人： NXP股份有限公司

发明人： R·达亚门 ,  V·恩古延霍安格 ,  R·J·O·M·胡夫曼 ,  G·J·A·M·维海登

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/7684 ,  H01L21/7688

摘要： 本发明涉及一种嵌入式金属互连的制造方法。该方法包括以下步骤：提供一个衬底，在该衬底之上有介电材料(1)，在该介电材料之上淀积保护层(2)，在该保护层之上淀积牺牲层(7)，该牺牲层的机械强度比该保护层的机械强度低，制作开口(3)使其穿过牺牲层、保护层进入到介电材料，在开口内及牺牲层之上淀积阻挡层(4)，在该阻挡层之上淀积金属材料(5)，该金属材料填充开口，用研磨的方法除去存在于开口以外的金属材料部分，在一个研磨步骤中除去该阻挡层和该牺牲层。

公开(公告)号：CN101154624A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200610166775.1

申请日：2006-12-14

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 金正根 ,  郑哲谟 ,  金恩洙 ,  洪承希

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/7688

摘要： 本发明公开了一种形成半导体器件的金属线的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成绝缘层和粘合层；去除一部分粘合层和绝缘层以形成沟槽；在包括沟槽和粘合层的半导体衬底之上形成金属层；以及，执行抛光工艺直至露出绝缘层，由此形成金属线。

公开(公告)号：CN104810247B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201510034440.3

申请日：2015-01-23

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M.海因里齐 ,  M.米希茨 ,  M.施内冈斯

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/7688 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5328 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及用于使用印刷工艺在半导体基体上生产铜层的方法。一种用于在晶圆上生产金属层的方法被描述。在一个实施例中，方法包括提供包含涂覆层的半导体晶圆、将金属粒子膏印刷在半导体晶圆上从而形成金属层以及在还原性气体中将金属层加热用于烧结金属粒子膏或用于在炉中将烧结的金属粒子膏退火。

公开(公告)号：CN106469676A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610644461.1

申请日：2016-08-08

申请人： 韩国电子通信研究院

发明人： 朴赞佑 ,  具在本 ,  罗福顺 ,  朴来晚 ,  吴知映 ,  李相硕 ,  郑焞元

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L24/43 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L21/7688

摘要： 本发明的实施例提供一种制造可拉伸导线的方法，所述方法包含在基板上移除光致抗蚀剂层的一部分，以形成包含至少一个图案狭缝的光致抗蚀剂图案，在光致抗蚀剂图案上施加液相导电材料，以在图案狭缝中形成液相导电结构，在移除光致抗蚀剂图案之后，在液相导电结构上形成可拉伸的第一绝缘层，以及从基板分离液相导电结构和第一绝缘层。

公开(公告)号：CN104600023A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410373394.5

申请日：2014-07-31

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 谢铭峰 ,  曾文弘 ,  谢弘璋

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28141 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/7688 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/435 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66545 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种制造半导体集成电路(IC)的方法。提供了第一导电部件和第二导电部件。在第一导电部件上形成第一硬掩模(HM)。在第一和第二导电部件上方形成图案化的介电层，第一开口暴露第二导电部件。在第一开口中形成第一金属插塞以与第一导电部件接触。在第一金属插塞上形成第二HM，并且在衬底上方形成另一个图案化的介电层，第二开口暴露出第一金属插塞与第一导电部件的子集。在第二开口中形成第二金属插塞。