公开(公告)号：CN111403277B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202010259126.6

申请日：2013-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢铭峰 ,  刘如淦 ,  谢弘璋 ,  高蔡胜 ,  辜耀进

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/66 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明提供了用于集成电路(IC)的方法的一个实施例。该方法包括通过第一光刻工艺在衬底上形成心轴图案；在心轴图案的侧壁上形成第一间隔件图案；去除心轴图案；在第一间隔件图案的侧壁上形成第二间隔件图案；去除第一间隔件图案；以及将第二间隔件图案用作蚀刻掩模来蚀刻衬底。本发明还公开了集成电路布局以及具有双重图案结构的方法。

公开(公告)号：CN104600023B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201410373394.5

申请日：2014-07-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢铭峰 ,  曾文弘 ,  谢弘璋

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28141 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/7688 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/435 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66545 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了种制造半导体集成电路(IC)的方法。提供了第导电部件和第二导电部件。在第导电部件上形成第硬掩模(HM)。在第和第二导电部件上方形成图案化的介电层,第开口暴露第二导电部件。在第开口中形成第金属插塞以与第导电部件接触。在第金属插塞上形成第二HM,并且在衬底上方形成另个图案化的介电层,第二开口暴露出第金属插塞与第导电部件的子集。在第二开口中形成第二金属插塞。

公开(公告)号：CN103247574B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210198957.2

申请日：2012-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何韦德 ,  吕奎亮 ,  谢铭峰 ,  张庆裕

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  G03F1/26

CPC classification number: G03F1/38 ,  G03F7/70466 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211

Abstract: 本发明涉及鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的切割掩模图案化工艺，其中，用于以非矩形图案对多个部件(诸如位于集成电路器件上)进行图案化的方法包括：提供包括具有多个伸长凸起的表面的衬底，伸长凸起在第一方向上延伸。在表面上方和多个伸长凸起上方形成第一层，并利用端部切割掩模对其进行图案化。端部切割掩模包括两个紧邻的图案，亚分辨率部件被定位和配置为使得第一层上的合成图案包括两个紧邻的图案以及位于它们之间的连接部分。该方法进一步包括使用第一层上的图案对伸长凸起进行端部切割。

公开(公告)号：CN104425214A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310601880.3

申请日：2013-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢铭峰 ,  刘如淦 ,  谢弘璋 ,  高蔡胜 ,  辜耀进

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/266 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  Y10S438/942

Abstract: 本发明提供了用于集成电路（IC）的方法的一个实施例。该方法包括通过第一光刻工艺在衬底上形成心轴图案；在心轴图案的侧壁上形成第一间隔件图案；去除心轴图案；在第一间隔件图案的侧壁上形成第二间隔件图案；去除第一间隔件图案；以及将第二间隔件图案用作蚀刻掩模来蚀刻衬底。本发明还公开了集成电路布局以及具有双重图案结构的方法。

公开(公告)号：CN103515357A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210350981.3

申请日：2012-09-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈贞妤 ,  谢铭峰 ,  张庆裕

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L23/544 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70683 ,  H01L21/302 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种具有位于衬底上方的重合标记的器件，以及使用重合标记调节多层重合对准的方法。重合标记包括位于第一层中的第一部件，该第一部件具有仅沿X方向延伸的基本上相互平行的多个第一对准部分；在位于第一层上方的第二层中的第二部件，该第二部件具有沿与X方向不同的Y方向延伸的基本上相互平行的多个第二对准部分；在位于第二层上方的第三层中的第三部件，第三部件包括沿X方向延伸的基本上相互平行的多个第三对准部分，以及沿Y方向延伸的基本上相互平行的多个第四对准部分。本发明还提供了重合标记的测量方法。

公开(公告)号：CN103219340A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201210192137.2

申请日：2012-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余绍铭 ,  张长昀 ,  张志豪 ,  陈欣志 ,  张开泰 ,  谢铭峰 ,  吕奎亮 ,  林以唐

IPC: H01L27/085 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括半导体衬底；形成在半导体衬底中的隔离部件；形成在所述半导体衬底中的第一有源区和第二有源区，其中所述第一有源区和第二有源区在第一方向延伸并且通过所述隔离部件彼此分隔；以及设置在隔离部件上的伪栅极，其中所述伪栅极在第一方向从一侧延伸至所述第一有源区并且从另一侧延伸至所述第二有源区。本发明还公开了用于具有线端延长的晶体管的结构和方法。

公开(公告)号：CN103187438A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210154484.6

申请日：2012-05-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张智胜 ,  林以唐 ,  谢铭峰

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/735 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/6625 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/311 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/735

Abstract: 本发明提供了一种使用鳍式场效应晶体管（FinFET）互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺流程所形成的双极结型晶体管（BJT）。该BJT包括形成在衬底上方的发射极鳍、基极鳍以及集电极鳍。基极鳍围绕着发射极鳍，并且集电极鳍围绕着发射极鳍。在一些实施例中，当从上方观看时，发射极鳍、基极鳍以及集电极鳍具有正方形的形状并且彼此同心。还提供了一种鳍式BJT。

公开(公告)号：CN103177937A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210058766.6

申请日：2012-03-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢铭峰 ,  张庆裕

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0273

Abstract: 一种方法包括形成光刻胶图案，以及对光刻胶图案的第一部分实施曝光，其中，光刻胶图案的第二部分未暴露于光。将光酸反应材料涂布在光刻胶图案的第一部分和第二部分上。该光酸反应材料与光刻胶图案反应形成膜。然后，去除光酸反应材料的未与光刻胶图案反应的部分，并且使膜留在光刻胶图案上。本发明提供了CMOS工艺中的图案化步骤的选择性偏置补偿。

公开(公告)号：CN104658971B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201410048881.4

申请日：2014-02-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢铭峰 ,  谢弘璋 ,  吴汉威

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明公开一种制造鳍式场效应晶体管（FinFET）器件的方法。在衬底上形成多个芯轴部件。沿着芯轴部件的侧壁形成第一间隔件且沿着第一间隔件的侧壁形成第二间隔件。两个相邻的背对背的第二间隔件在衬底的第一区域中以间隙间隔开且在衬底的第二区域中合并在一起。在间隙中形成介电部件且在衬底的第三区域中形成介电台状件。在第一切割过程中去除第一间隔件的第一子集。通过使用第一间隔件和介电部件作为蚀刻掩模蚀刻衬底来形成鳍和沟槽。

公开(公告)号：CN104051328B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310348994.1

申请日：2013-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄彦钧 ,  谢铭峰 ,  赖志明 ,  谢艮轩

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种用于半导体制造的图案化方法，包括在半导体衬底上形成具有第一开口的第一图案。然后填充第一开口。在半导体衬底上形成第一部件和第二部件的第二图案，填充后的开口介入其中。然后在填充后的开口、第一部件和第二部件的侧壁上形成间隔件元件。在形成间隔件元件之后，去除构成第一部件和第二部件的材料以形成第二开口和第三开口。将填充后的开口、第二开口和第三开口用作掩模元件来蚀刻衬底的目标层。