公开(公告)号：CN105977156B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201610138270.8

申请日：2016-03-11

申请人： 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司

发明人： C.达尔 ,  D.A.楚马科夫

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/732 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/165 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66272

摘要： 提供了一种用于制造晶体管的方法。该方法包括在半导体衬底上布置堆叠，该堆叠包括牺牲层和绝缘层。绝缘层至少部分地布置在半导体衬底与牺牲层之间。凹槽形成在堆叠内，其中凹槽通过堆叠延伸到半导体衬底使得凹槽至少部分地与半导体衬底的集电极区的表面重叠。集电极区从半导体衬底的主表面延伸到衬底材料中。该方法还包括在集电极区处并且在凹槽中生成基极结构。基极结构接触并且覆盖牺牲层的凹槽内的集电极区。该方法还包括在基极结构处生成发射极结构，其中发射极结构接触并且至少部分地覆盖牺牲层的凹槽内的基极结构。

公开(公告)号：CN105706238B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201380080749.5

申请日：2013-11-05

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 堀内佑树 ,  龟山悟

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/105 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8613

摘要： 本发明提供一种在绝缘栅双极性晶体管与二极管区域被形成在同一半导体基板上的半导体装置中进一步减少损耗的技术。该半导体装置具备半导体基板，该半导体基板形成有至少一个绝缘栅双极性晶体管区域和至少一个二极管区域。在对半导体基板进行俯视观察时，绝缘栅双极性晶体管区域与二极管区域在预定的方向上相互邻接。在对半导体基板进行俯视观察时，集电区与阴极区邻接的第一边界面相对于在半导体基板的表面侧绝缘栅双极性晶体管区域与二极管区域邻接的第二边界面，向从阴极区朝向集电区的方向或从集电区朝向阴极区的方向中的任意一个方向偏移。

公开(公告)号：CN108574008A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201711011586.1

申请日：2017-10-26

申请人： 格芯公司

发明人： J·辛格 ,  朱宝富

IPC分类号： H01L29/735 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/735 ,  H01L27/0259 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/107 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/6625

摘要： 本发明涉及高压和模拟双极器件。本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及高压、模拟双极器件以及制造方法。该结构包括：形成在衬底中的基极区；形成在衬底中并且包括深n阱区和n阱区的集电极区；以及形成在衬底中并且包括深n阱区和n阱区的发射极区。

公开(公告)号：CN105633078B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201510976838.9

申请日：2015-12-23

申请人： 成都芯源系统有限公司

发明人： 连延杰 ,  傅达平 ,  吉杨永

IPC分类号： H01L27/082 ,  H01L21/8228

CPC分类号： H01L21/82285 ,  H01L21/761 ,  H01L27/0826 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/107 ,  H01L29/732

摘要： 提出了一种双极结型半导体器件及其制造方法。根据本公开的实施例，双极结型半导体器件包括形成于半导体衬底中的第一掩埋层、形成于该第一掩埋层上的第一外延层和第二外延层、制作于第一外延层和第二外延层中的PNP双极结型晶体管单元、NPN双极结型晶体管单元和第一隔离结构。该第一隔离结构位于PNP双极结型晶体管单元和NPN双极结型晶体管单元之间，并且与所述第一掩埋层连接在一起形成隔离屏障。该隔离屏障不仅将PNP双极结型晶体管单元与NPN双极结型晶体管单元有效地隔离开，而且将它们与半导体衬底有效地隔离，阻止载流子注入衬底以及寄生BJT的形成。

公开(公告)号：CN107305909A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201610262790.X

申请日：2016-04-25

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网上海市电力公司

发明人： 李晓平 ,  潘艳 ,  温家良 ,  金锐 ,  刘江 ,  赵哿 ,  高明超 ,  王耀华 ,  李立

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66325

摘要： 本发明提供一种逆导型IGBT背面结构及其制备方法。本发明通过在缓冲层和集电极之间增加低浓度掺杂的半导体层形成高阻区，此结构可有效抑制逆导型IGBT器件的电压回跳现象，同时减小集电极PN结的内建电势，提高集电极的注入效率，减小IGBT工作模式下的导通压降，降低逆导型IGBT器件正向导通损耗，显著的降低功耗。本发明提供的技术方案能实现生产线上连续生产，操作简单，实用性强，生产成本低。

公开(公告)号：CN104078496B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201410108709.3

申请日：2014-03-21

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 托尼·范胡克 ,  维特·桑迪斯 ,  安可·赫琳哈 ,  迪克·克劳森 ,  埃弗利娜·格里德莱特 ,  让·斯劳特勃

IPC分类号： H01L29/732 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/6628 ,  H01L29/7327 ,  H01L29/739

摘要： 一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括半导体衬底。所述器件还包括在半导体衬底上的双极晶体管。双极晶体管包括射极。双极晶体管还包括位于射极上方的基极。双极晶体管还包括位于基极上方的横向延伸的集电极。集电极包括延伸经过基极边缘的部分。

公开(公告)号：CN106981511A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201611080652.6

申请日：2016-11-30

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 中西翔 ,  藤井裕二

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28512 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0635 ,  H01L29/083 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/36 ,  H01L29/417 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66325

摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，用于提高具备RC‑IGBT的半导体装置的性能。在半导体基板(SB)的背面(Sb)和背面电极(CE)之间形成AlNiSi层(ML)(包含铝(Al)、镍(Ni)以及硅(Si)的层)。由此，能够在构成内置二极管的阴极区域的N+型层(NL)和背面电极(CE)之间获得良好的欧姆接合，并能够在构成IGBT的集电极区域的P型层(PL)和背面电极(CE)之间获得良好的欧姆接合。AlNiSi层(ML)所含的铝(Al)、镍(Ni)以及硅(Si)各自是10at％以上。

公开(公告)号：CN106920841A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201610893921.4

申请日：2016-10-13

申请人： 福特全球技术公司

发明人： 苏明

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L27/082 ,  H01L27/0825 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004

摘要： 本发明公开一种多区域的功率半导体器件。一种功率半导体器件由具有相似结构的多个区域构成。所述区域中的每个可通过在切换到非导通状态期间的开关损耗来表征。所述器件被构造为使得开关损耗在所述区域中的至少两个区域之间不同。此外，所述器件被构造为使得具有较大的开关损耗的区域在具有较小的开关损耗的区域之前切换到非导通状态。

公开(公告)号：CN106504992A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610859002.5

申请日：2016-09-28

申请人： 成都芯源系统有限公司

发明人： 乔伊·迈克格雷格 ,  郑志星 ,  吉扬永 ,  艾瑞克·布劳恩

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/266 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/0928 ,  H01L21/823892 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L21/266 ,  H01L21/8238

摘要： 公开了LDMOS及相关半导体集成电路的制作方法。其中LDMOS器件形成于具有第一掺杂类型的半导体衬底中，该制作方法包括：采用第一掩膜向半导体衬底中注入一系列的杂质，以形成靠近半导体衬底表面且具有第二掺杂类型的第一区域、位于第一区域之下且具有第一掺杂类型的第二区域、以及位于第二区域之下且具有第二掺杂类型的第三区域；采用第二掩膜向半导体衬底中注入杂质，以形成与第一、第二和第三区域毗邻且具有第二掺杂类型的第四区域，其中该第四区域自半导体衬底的表面向下延伸至与第三区域相当的深度；以及采用第三掩膜向第一区域内注入杂质，以形成具有第一掺杂类型的第一阱。

公开(公告)号：CN104115275B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280069809.9

申请日：2012-02-16

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 辻内幹夫 ,  新田哲也

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/41708

摘要： 在重视电流的IGBT中，集电极用导电层(PR1)针对集电极区域(CR)中包含的1个集电极用活性区域(CRa)通过多个接触进行连接。针对1个集电极用活性区域(CRa)的集电极用导电层(PR1)的接触部的个数多于针对基极区域(BR、BCR)中包含的1个基极用活性区域(BCR)的发射极用导电层(PR2)的接触部的个数。