公开(公告)号：CN106981511B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201611080652.6

申请日：2016-11-30

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 中西翔 ,  藤井裕二

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，用于提高具备RC‑IGBT的半导体装置的性能。在半导体基板(SB)的背面(Sb)和背面电极(CE)之间形成AlNiSi层(ML)(包含铝(Al)、镍(Ni)以及硅(Si)的层)。由此，能够在构成内置二极管的阴极区域的N+型层(NL)和背面电极(CE)之间获得良好的欧姆接合，并能够在构成IGBT的集电极区域的P型层(PL)和背面电极(CE)之间获得良好的欧姆接合。AlNiSi层(ML)所含的铝(Al)、镍(Ni)以及硅(Si)各自是10at％以上。

公开(公告)号：CN109545669A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811107155.X

申请日：2018-09-21

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 藤井裕二 ,  久田贤一 ,  山下泰典

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L29/45

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/28052 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/781 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/45

摘要： 用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：在接触孔的底表面上方形成金属膜(Ni膜)，所述接触孔在底表面处暴露包括SiC的部分，并且执行热处理以通过金属膜MT和包括SiC的部分的硅化反应在所述接触孔处的底表面处形成硅化物膜。而且，热处理步骤是在SiC衬底的表面上照射激光束的步骤。作为热处理，使用穿过SiC并被金属(Ni等)吸收的激光束进行退火。

公开(公告)号：CN106981511A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201611080652.6

申请日：2016-11-30

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 中西翔 ,  藤井裕二

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28512 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0635 ,  H01L29/083 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/36 ,  H01L29/417 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66325

摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，用于提高具备RC‑IGBT的半导体装置的性能。在半导体基板(SB)的背面(Sb)和背面电极(CE)之间形成AlNiSi层(ML)(包含铝(Al)、镍(Ni)以及硅(Si)的层)。由此，能够在构成内置二极管的阴极区域的N+型层(NL)和背面电极(CE)之间获得良好的欧姆接合，并能够在构成IGBT的集电极区域的P型层(PL)和背面电极(CE)之间获得良好的欧姆接合。AlNiSi层(ML)所含的铝(Al)、镍(Ni)以及硅(Si)各自是10at％以上。

公开(公告)号：CN105244371A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510381995.5

申请日：2015-07-02

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 贝沼隆浩 ,  五十岚崇 ,  稻川浩巳 ,  新井岳 ,  藤井裕二 ,  冈村孝宏 ,  豊田久志

IPC分类号： H01L29/45 ,  H01L21/285

摘要： 本发明涉及一种半导体器件，其降低SiC衬底和电极之间的接触电阻。当在从钛层侧至SiC衬底侧的方向上通过俄歇电子能谱(AES)溅射分析硅化物层时，对应于硅化物层的深度分布的溅射时间被定义为ts。在这种情况下，在从0.4ts至ts的溅射时间的范围内从钛层侧的硅化物层的深度分布包含其中由AES溅射确定的钛原子占由AES溅射确定的所有原子的5原子％或更多的区域。