公开(公告)号：CN105244371A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510381995.5

申请日：2015-07-02

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 贝沼隆浩 ,  五十岚崇 ,  稻川浩巳 ,  新井岳 ,  藤井裕二 ,  冈村孝宏 ,  豊田久志

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，其降低SiC衬底和电极之间的接触电阻。当在从钛层侧至SiC衬底侧的方向上通过俄歇电子能谱(AES)溅射分析硅化物层时，对应于硅化物层的深度分布的溅射时间被定义为ts。在这种情况下，在从0.4ts至ts的溅射时间的范围内从钛层侧的硅化物层的深度分布包含其中由AES溅射确定的钛原子占由AES溅射确定的所有原子的5原子％或更多的区域。

公开(公告)号：CN113903659A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202111165239.0

申请日：2016-03-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 吉原贵光 ,  贝沼隆浩 ,  冈浩伟

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明的各个实施例涉及制造半导体器件的方法。提供了一种改进了半导体器件的制造效率的制造半导体器件的方法。该制造半导体器件的方法包括以下步骤：(a)在晶片(半导体晶片)的正表面侧处形成电路，该晶片具有正表面和与正表面相对的背表面；(b)按照中心部分比周缘部分更薄的方式，研磨晶片的背表面，该晶片具有中心部分(第一部分)和围绕中心部分的外围的周缘部分(第二部分)；(c)将保持胶带的上表面(接合表面)贴附至晶片的正表面；以及(d)在晶片由第一胶带保持的同时，通过用刀片(旋转刀片)切割中心部分的部分，来将中心部分与周缘部分分割开。

公开(公告)号：CN106024710A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610170129.6

申请日：2016-03-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 吉原贵光 ,  贝沼隆浩 ,  冈浩伟

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/78 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的各个实施例涉及制造半导体器件的方法。提供了一种改进了半导体器件的制造效率的制造半导体器件的方法。该制造半导体器件的方法包括以下步骤：(a)在晶片(半导体晶片)的正表面侧处形成电路，该晶片具有正表面和与正表面相对的背表面；(b)按照中心部分比周缘部分更薄的方式，研磨晶片的背表面，该晶片具有中心部分(第一部分)和围绕中心部分的外围的周缘部分(第二部分)；(c)将保持胶带的上表面(接合表面)贴附至晶片的正表面；以及(d)在晶片由第一胶带保持的同时，通过用刀片(旋转刀片)切割中心部分的部分，来将中心部分与周缘部分分割开。

公开(公告)号：CN106024710B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201610170129.6

申请日：2016-03-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 吉原贵光 ,  贝沼隆浩 ,  冈浩伟

IPC: H01L21/78

Abstract: 本发明的各个实施例涉及制造半导体器件的方法。提供了一种改进了半导体器件的制造效率的制造半导体器件的方法。该制造半导体器件的方法包括以下步骤：(a)在晶片(半导体晶片)的正表面侧处形成电路，该晶片具有正表面和与正表面相对的背表面；(b)按照中心部分比周缘部分更薄的方式，研磨晶片的背表面，该晶片具有中心部分(第一部分)和围绕中心部分的外围的周缘部分(第二部分)；(c)将保持胶带的上表面(接合表面)贴附至晶片的正表面；以及(d)在晶片由第一胶带保持的同时，通过用刀片(旋转刀片)切割中心部分的部分，来将中心部分与周缘部分分割开。