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公开(公告)号：CN105244371A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510381995.5
申请日：2015-07-02
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/45 , H01L21/285
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，其降低SiC衬底和电极之间的接触电阻。当在从钛层侧至SiC衬底侧的方向上通过俄歇电子能谱(AES)溅射分析硅化物层时，对应于硅化物层的深度分布的溅射时间被定义为ts。在这种情况下，在从0.4ts至ts的溅射时间的范围内从钛层侧的硅化物层的深度分布包含其中由AES溅射确定的钛原子占由AES溅射确定的所有原子的5原子％或更多的区域。
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