公开(公告)号：CN109216269A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201710525678.5

申请日：2017-06-30

Applicant: 西安中车永电电气有限公司

Inventor： 冯科 ,  杨晓菲 ,  王昭 ,  曹琳 ,  王豹子

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66325 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明公开了一种用于高压IGBT芯片的厚片双面划片方法，其首先从晶圆的正面进行位置对准，进行第一次划片；完成第一次划片后，在晶圆的边缘再次切割，切割深度为划透整个晶圆，作为背面划片时的对位标记；根据步骤二做好的对位标记进行对位及划片；划片深度为晶圆总厚度减去第一次划片的深度再加余量，最后完成双面划片。本发明采用双面划片技术相比较于传统的单面划片技术可以有效的减少芯片划片后的崩边的数量和大小，因此可以减少因崩边引起的芯片性能下降及不合格品的数量，提高了产品合格率和经济效益。

公开(公告)号：CN108039366A

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201711003536.9

申请日：2017-10-24

Applicant: 全球能源互联网研究院

Inventor： 崔磊 ,  金锐 ,  潘艳 ,  赵岩 ,  温家良 ,  徐向前 ,  刘双宇 ,  周哲 ,  朱涛 ,  刘江 ,  徐哲 ,  赵哿 ,  王耀华

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/66325

Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管反型MOS过渡区结构及其制作方法。该结构包括衬底、设置在衬底上表面的元胞掺杂区、集成反型MOS掺杂区、隔离栅电极的介质层、与元胞结构相匹配的电极金属和栅结构。本发明提供的一种集成反型MOS高关断能力绝缘栅双极型晶体管(IGBT)可在不影响其它特性的前提下，提高器件有源区关断时的少子抽取能力，进而提高芯片的关断能力。

公开(公告)号：CN108022973A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201711003533.5

申请日：2017-10-24

Applicant: 全球能源互联网研究院

Inventor： 崔磊 ,  金锐 ,  潘艳 ,  赵岩 ,  温家良 ,  徐向前 ,  刘双宇 ,  周哲 ,  朱涛 ,  刘江 ,  徐哲 ,  赵哿 ,  王耀华

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/66325

Abstract: 本发明提供了一种集成反型MOS绝缘栅双极型晶体管(IGBT)结构及其制作方法。该结构包括衬底、设置在衬底上表面的元胞掺杂区、集成反型MOS掺杂区、隔离栅电极的介质层、与元胞结构相匹配的电极金属和栅结构。本发明提供的一种集成反型MOS高关断能力绝缘栅双极型晶体管(IGBT)可在不影响其它特性的前提下，提高器件有源区关断时的少子抽取能力，进而提高芯片的关断能力。

公开(公告)号：CN107863380A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201711349813.1

申请日：2014-09-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策 ,  R·巴布斯克

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7396

Abstract: 一种半导体器件包括绝缘栅双极性晶体管(IGBT)装置。所述IGBT装置包括发射极侧绝缘栅双极性晶体管结构的第一构造区段和发射极侧绝缘栅双极性晶体管结构的第二构造区段。第一构造区段和第二构造区段被布置在半导体器件的半导体衬底的主表面处。此外，IGBT装置包括集电极层和漂移层。集电极层被布置在半导体衬底的背面表面处，并且漂移层被布置在集电极层与第一构造区段和第二构造区段的发射极侧IGBT结构之间。另外，集电极层包括与第二掺杂区段横向地邻近的第一掺杂区段。第一掺杂区段和第二掺杂区段包括不同的电荷载子寿命、不同的传导性类型或不同的掺杂浓度。

公开(公告)号：CN107845672A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201710997718.6

申请日：2017-10-24

Applicant: 贵州芯长征科技有限公司

Inventor： 徐承福 ,  朱阳军

IPC: H01L29/08 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66325

Abstract: 本发明涉及一种具有抗辐照结构的IGBT器件及其制备方法，其包括第一导电类型基区以及设置于所述第一导电类型基区正面的正面元胞结构；在第一导电类型基区的背面设置第二导电类型集电区，在所述第二导电类型集电区的外圈设置埋氧层，埋氧层埋设在第一导电类型基区内，埋氧层在第一导电类型基区内的深度大于第二导电类型集电区在第一导电类型基区内的深度，第二导电类型集电区与埋氧层接触；所述第二导电类型集电区通过集电极连接引出体与位于第一导电类型基区正面上方的集电极金属电连接，集电极连接引出体通过内绝缘隔离体与第一导电类型基区的侧面绝缘隔离。本发明结构紧凑，能有效提高IGBT器件的抗辐照能力，安全可靠。

公开(公告)号：CN107731696A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710822772.7

申请日：2017-09-13

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司

Inventor： 武伟 ,  韩荣刚 ,  林仲康 ,  石浩 ,  田丽纷 ,  张喆 ,  李现兵 ,  张朋

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/331 ,  H01L21/67 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/492 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/67253 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/492 ,  H01L24/83 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7393 ,  H01L2224/8384

Abstract: 本发明提供了一种功率芯片封装方法和结构，所述方法包括：将第一金属垫片、功率芯片和第二金属垫片放置在塑封模具内；将塑封材料升温化为液态；加压使液态塑封材料注入所述塑封模具；将所述态塑封材料在所述塑封模具中固化，形成塑封外壳后退掉所述塑封模具，得到塑封好的功率芯片子模组。该方案通过将第一金属垫片、功率芯片和第二金属垫片在塑封模具中进行塑封，简化了装配工序、降低了人为装配的误差，减少了各个零部件之间的接触热阻，并且提高了子模组装配过程中的均一性，有效保证了大规模芯片并联对误差精度的要求，提高了器件的可靠性。省去了传统的银片和绝缘框架，减少了生产工序，大幅提高了生产效率并且降低了器件的生产成本。

公开(公告)号：CN104170086B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201380012416.9

申请日：2013-03-11

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 饭塚祐二 ,  堀尾真史 ,  仲村秀世

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/11 ,  H02M7/00 ,  H05K1/14

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/34 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/02 ,  H01L25/072 ,  H01L25/115 ,  H01L25/117 ,  H01L25/18 ,  H01L29/66325 ,  H01L2224/06 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H02M7/003 ,  H05K1/0263 ,  H05K2201/10166 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种提高对冷却体的密合性，并且能够实现生产效率提高的半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置是三个功率半导体模块(1)以预定的间隔排列在同一平面内，从功率半导体模块(1)向外部引出的销状导电体(25～27)分别与三片主端子板(2A～2C)连接，从而它们构成一个整体的复合模块。将整个复合模块收纳于保护壳中，进一步配置散热片的情况下，通过利用插入到贯穿孔(29)的螺栓将保护壳和散热片联结，能够使绝缘基板的底面与散热片可靠地密合而收纳在保护壳中。

公开(公告)号：CN107464842A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710655417.5

申请日：2017-08-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗小蓉 ,  魏杰 ,  黄琳华 ,  邓高强 ,  孙涛 ,  赵哲言 ,  刘庆

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66325

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有集电极槽的超结逆导型IGBT。本发明相对与传统超结RC-IGBT结构，主要在底部集电区引入集电极槽结构。新器件正向导通且未进入双极模式时，P型条会耗尽集电极槽底部的N漂移区，从而挤占电子电流路径且降低有效电子浓度，从而增大集电极区附近电子电流的分布电阻，使得新器件能在较小元胞尺寸下消除器件snapback效应。新器件关断时，集电极槽结构起到等效缓冲层作用，保证器件能承受高耐压。本发明的有益效果为，相对于传统超结RC-IGBT结构，本发明能在更小元胞尺寸下消除snapback效应，同时具有更快的关断速度，反向二极管模式下电流分布更均匀。

公开(公告)号：CN104364907B

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201380028289.1

申请日：2013-05-28

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 住友正清 ,  深津重光

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种半导体装置，具备：第1导电型的漂移层(13)；第2导电型的基极层(14)，形成在漂移层的表层部；第2导电型的集电极层(11)，形成在与漂移层中的基极层隔开间隔的位置；多个栅极绝缘膜(16)，形成在基极层的表面；多个栅极电极(17a，17b)，分别形成在栅极绝缘膜上；发射极层(20)，形成在基极层的表层部；发射极电极(23)，与发射极层及基极层电连接；以及集电极电极(24)，与集电极层电连接。多个栅极电极中，一部分的栅极电极(17a)的栅极电压的变化速度比剩余部分的栅极电极(17b)的栅极电压的变化速度慢。发射极层仅与栅极绝缘膜中的配置上述一部分的栅极电极的栅极绝缘膜相接。

公开(公告)号：CN106992208A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201610039763.6

申请日：2016-01-21

Applicant: 重庆中科渝芯电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 陈文锁 ,  张培健 ,  钟怡 ,  王林凡 ,  肖添 ,  胡镜影 ,  杨婵 ,  王盛

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7394 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66325

Abstract: 本发明公开了一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述横向绝缘栅双极型晶体管以薄硅层SOI基作为衬底，采用浅槽隔离和阳极浮空缓冲区的设计结构。这种新型薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管在保证器件较小的关断时间的前提下，可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性；此外，该器件采用的浅槽隔离和阳极浮空缓冲区的设计结构可以采用集成电路制造工艺的浅槽隔离工艺实现，并且这种设计还可以减小器件的横向尺寸，提高电流导通能力。