公开(公告)号：CN106373995B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201610566847.5

申请日：2016-07-18

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： H-J·舒尔策 ,  H·许斯肯 ,  F-J·涅德诺斯塞德 ,  F·D·普菲尔施 ,  R·罗思 ,  C·P·桑道 ,  C·沙菲尔 ,  S·福斯

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L27/0664 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

摘要： 涉及具有减小的带隙区的半导体器件，包括：源极区域，电连接至第一负载端子；漂移区域，含第一带隙的第一半导体材料，具有第一导电类型的掺杂物且承载第一负载端子与第二负载端子之间的负载电流的至少部分。还包括半导体本体区域，其具有与第一导电类型互补的第二导电类型的掺杂物且电连接至第一负载端子，本体区域和漂移区域之间的过渡形成pn结，pn结阻挡施加在第一与第二负载端子之间的电压。本体区域隔离源极区域与漂移区域并含减小的带隙区，该带隙区包括小于第一带隙的第二带隙的第二半导体材料，布置在本体区域中使得与源极区域在沿垂直方向的截面中呈现沿第一横向方向的公共横向延伸范围和沿垂直方向的公共垂直延伸范围中的至少一个。

公开(公告)号：CN105321819B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201510270864.X

申请日：2015-05-25

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 西村武义

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/2253 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

摘要： 本发明提供在实现并列pn层的微细化的同时，能够降低导通电阻的半导体装置的制造方法。首先，重复地进行n‑型外延层的沉积、成为并列pn层5的n型区3和p型区4的n型杂质区和p型杂质区的形成，直到沉积的多层n‑型外延层20a～20c的总厚度成为并列pn层5的预定厚度。在成为并列pn层5的最上层的n‑型外延层20c，进一步在p型杂质区附近形成n‑型抑制区。然后，在n‑型外延层20c上沉积n‑型外延层20d。接着，在n‑型外延层20d形成MOS栅结构。此时，在p型基区的扩散处理时，使n型杂质区22a～22c和p型杂质区21a～21c扩散，形成并列pn层5的n型区3和p型区4。

公开(公告)号：CN106783849B

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201611034190.4

申请日：2016-11-16

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 平林康弘

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H01L27/0635 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/423 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/87

摘要： 一种半导体器件，包括半导体基板，所述半导体基板在第一表面上包括第一沟槽以及连结到每个第一沟槽的第二沟槽。所述半导体基板包括：p型端部层，其从第一表面延伸到比每个第一沟槽在第二表面侧的端部更靠近半导体基板的第二表面的位置，并且在第一表面的平面视图中包括每个第一沟槽的纵向端部；第一p型层，其设置在相邻的第一沟槽之间的区域中，并且接触设在第一表面上的第一电极；n型阻挡层；第二p型层。第二沟槽使p型端部层与第一p型层及第二p型层分离。

公开(公告)号：CN105529358B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201510681924.7

申请日：2015-10-21

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： T.巴斯勒 ,  E.格里布尔 ,  J.马勒 ,  D.佩多内 ,  W.肖尔茨 ,  P.森格 ,  P.蒂尔克斯 ,  S.福斯

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L23/62 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L27/0288 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397

摘要： 本发明涉及一种包含负温度系数热敏电阻器的绝缘栅双极晶体管。IGBT（100）的实施例包含：在半导体主体（105）的第一表面（103）处的发射极端子（E）。IGBT（100）进一步包含：在半导体主体（105）的第二表面（107）处的集电极端子（C）。第一导电性类型的第一区（108）在第一和第二表面（107，103）之间的半导体主体（105）中。集电极注入结构（110）邻接第二表面（107），集电极注入结构（110）是第二导电性类型，并且包含在离彼此第一横向距离（d1）处的第一部分（1101）和第二部分（1102）。IGBT（100）进一步包含：邻接在第一和第二部分（1101，1102）之间的区（112）中的第一区（108）的负温度系数热敏电阻器。

公开(公告)号：CN106030797B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201480075282.X

申请日：2014-09-08

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 木村圭佑 ,  龟山悟

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/407 ,  H01L29/861

摘要： 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具有形成有IGBT的主IGBT区、形成有二极管的主二极管区、形成有IGBT的感测IGBT区、和形成有二极管的感测二极管区。体区与阳极区之间的间隔长于二者之间的n型区的移动率与寿命的乘积。阳极区与集电区之间的间隔长于二者之间的n型区的移动率与寿命的乘积。集电区的端部与体区之间的间隔长于二者之间的n型区的移动率与寿命的乘积。

公开(公告)号：CN105981143B

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201480075198.8

申请日：2014-09-08

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 龟山悟 ,  岩崎真也 ,  堀内佑树 ,  大木周平

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L27/0664 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/425 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8611

摘要： 本发明涉及一种半导体装置，其中，在沿着半导体基板的厚度方向而对在半导体基板(12)的表面上露出的第一导电型区域(38)中的第一导电型杂质的浓度分布进行观察时，从表面侧起形成有极大值N1、极小值N2、极大值N3、浓度N4，并满足N1＞N3＞N2＞N4的关系，且满足N3/10＞N2的关系，从表面起至具有极大值N1的深度(D1)为止的距离a与从具有极大值N1的深度(D1)起至具有极小值N2的深度(D2)为止的距离b的2倍相比较大。

公开(公告)号：CN109314130A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780036270.X

申请日：2017-04-11

申请人： ABB瑞士股份有限公司

发明人： L.德-米歇利斯 ,  C.科瓦斯

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/66734 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

摘要： 绝缘栅极功率半导体器件(1)在发射极侧(22)和集电极侧(27)之间具有(n-)掺杂漂移层(5)。p掺杂保护枕(8)覆盖沟槽栅极电极(7、7')的沟槽底部(76)。在增强层深度(97)中具有最大增强层掺杂浓度的n掺杂增强层(95)将基极层(4)与漂移层(5)分离。具有最大等离子体增强层掺杂浓度的n掺杂等离子体增强层(9、9')覆盖保护枕(8)和沟槽栅极电极(7、7')之间的边缘区域。n掺杂浓度从最大增强层掺杂浓度朝向等离子体增强层(9、9')减小，并且n掺杂浓度从最大等离子体增强层掺杂浓度朝向增强层(95)减小，使得n掺杂浓度在增强层(95)和等离子体增强层(9、9')之间具有局部掺杂浓度最小值。

公开(公告)号：CN108767001A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810962076.0

申请日：2018-08-22

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 李哲锋 ,  许生根 ,  姜梅

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7398 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/7397

摘要： 本发明涉及一种具有屏蔽栅的沟槽型IGBT器件，其在所述IGBT器件的截面上，元胞内的两个元胞沟槽之间设置第二导电类型注入区；在第一导电类型外延层的上方设置场氧化层以及包裹于所述场氧化层内的屏蔽栅多晶硅，所述屏蔽栅多晶硅位于第二导电类型注入区的正上方，屏蔽栅多晶硅通过场氧化层与第二导电类型注入区绝缘隔离；在元胞沟槽内填充有控制栅多晶硅，所述控制栅多晶硅通过元胞沟槽内的控制栅氧化层与元胞沟槽的侧壁、底壁绝缘隔离，所述控制栅多晶硅还覆盖在场氧化层上，且控制栅多晶硅与场氧化层内的屏蔽栅多晶硅交叠。本发明结构紧凑，提高器件耐压，降低器件的寄生电容，减少开关损耗，安全可靠。

公开(公告)号：CN108735808A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810359822.7

申请日：2018-04-20

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 金田充 ,  高桥彻雄 ,  铃木健司 ,  上马场龙 ,  梅山真理子 ,  西康一

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348

摘要： 目的在于提供能够抑制耐压的下降的技术。半导体开关元件具有第1栅极电极和第2栅极电极。第1栅极电极隔着第1栅极绝缘膜配置于第1沟槽内，该第1沟槽从发射极区域的上表面到达半导体层，与发射极区域、基极区域及电荷存储层相交叉。第2栅极电极隔着第2栅极绝缘膜配置于第2沟槽内，该第2沟槽从发射极区域及导电区域的上表面到达半导体层，与发射极区域、基极区域、电荷存储层及导电区域相邻。第2沟槽的深度比第1沟槽的深度浅，且第2沟槽的宽度比第1沟槽的宽度窄。

公开(公告)号：CN108695317A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810298798.0

申请日：2018-04-04

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 上马场龙 ,  多留谷政良 ,  曾根田真也

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/0664 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/36 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8613 ,  H02M7/5387 ,  H02P27/06 ,  Y02E10/56 ,  H01L27/0629 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/7398

摘要： 目的是针对在一个半导体衬底之上同时设置有开关元件区域和二极管区域的半导体装置，实现良好的二极管特性和低成本性。RC‑IGBT(104)具备横跨于晶体管区域(104A)和二极管区域(104B)之上，形成于半导体基体(35)的一个主面之上的第1电极(31)。半导体基体在晶体管区域(104A)，在一个主面(35A)侧具备MOS栅极构造(33)。RC‑IGBT(104)具备：层间绝缘膜(11)，其将MOS栅极构造(33)的栅极电极(7)覆盖，具备将半导体层露出的接触孔(13)；以及阻挡金属(12)，其形成于接触孔(13)内部。第1电极(31)进入至接触孔(13)，经由阻挡金属(12)与MOS栅极构造(33)的半导体层接触，与半导体基体(35)的二极管区域(104B)处的半导体层直接接触。