公开(公告)号：CN106328644B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201510340942.9

申请日：2015-06-18

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 钟雷 ,  李宏伟 ,  雷玮 ,  陈光 ,  程惠娟

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/083 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/87

Abstract: 本发明提供一种半导体器件和电子装置，涉及半导体技术领域。所述半导体器件包括：P型半导体衬底；第一N阱、第二N阱和P阱，设置于P型半导体衬底内，P阱位于第一N阱和第二N阱之间，并分别与第一N阱和第二N阱相邻接；具有第一导电类型的第一注入区，位于第一N阱内；具有第二导电类型的第二注入区，位于第一N阱和P阱的交界区域，且与第一注入区间隔设置；第三N+注入区，位于第二N阱和P阱的交界区域，且与第二注入区间隔设置；第四P+注入区，位于第二N阱内，且与第三N+注入区间隔设置；栅极结构，位于第二注入区和第三N+注入区之间的半导体衬底的表面上。本发明的半导体器件具有更高的维持电压以及相对较小的衬底面积消耗。

公开(公告)号：CN108962887A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810463051.6

申请日：2018-05-15

Applicant: 万国半导体(开曼)股份有限公司

Inventor： 雪克·玛力卡勒强斯瓦密 ,  史宁

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/866 ,  H01L29/87

Abstract: 一种用于电子器件数据引脚的双向瞬态电压抑制器（TVS）电路在某些实施例中，包含两组转向二极管和一个二极管触发的箝位器件。在其他实施例中，一种用于电子器件数据引脚的双向瞬态电压抑制器（TVS）电路包含两组转向二极管和，每组都带有一个与转向二极管合并的一个箝位器件。该TVS电路用于实现受保护节点处的低电容，改善电压箝位，在浪涌事件时提供强劲的保护。在某些实施例中，该TVS电路通过完全或几乎完全耗尽在工作电压范围内连接到受保护节点P‑N结，实现了受保护节点处的低电容。在这种情况下，该TVS电路不存在受保护数据引脚的不必要的寄生电容，尤其是当数据引脚用于高速应用时。

公开(公告)号：CN105514103B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201510632924.8

申请日：2015-09-29

Applicant: 安世有限公司

Inventor： 霍德弗里德·亨克里斯·约瑟夫斯·诺特曼斯 ,  汉斯-马丁·里特

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/067 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/7416 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/87

Abstract: 本公开涉及一种静电放电(ESD)保护器件。所述静电放电保护器件可以包括：半导体控制型整流器以及p‑n二极管。在半导体衬底的主表面上横向一体布置所述半导体控制型整流器和所述二极管；并且所述半导体控制型整流器的电流通路与所述二极管的电流通路相分离。

公开(公告)号：CN104205345B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201380018873.9

申请日：2013-02-06

Applicant: 索菲克斯公司

Inventor： B·索尔格洛斯 ,  B·范坎普 ,  S·范韦梅尔斯 ,  W·梵郝特格姆

IPC: H01L29/87

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L23/60 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0647 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/87 ,  H01L2924/0002 ,  H02H9/046 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种保护装置至少包括耦接在第一节点(1201)和第二节点(1202)之间的NPN晶体管(1203)和PNP晶体管(1204)，以便响应于静电放电(ESD)事件从第一节点到第二节点沉降电流。所述晶体管可以被耦接为使得NPN晶体管的N集电极(1222)被耦接到第一节点，NPN晶体管的P基极(1244)耦接到PNP晶体管的P发射极(1224)，NPN晶体管的N发射极(1225)被耦接到PNP晶体管的N基极(1225)，并且PNP晶体管的P集电极(1223)被耦接到第二节点，从而可以实现具有NPNP结构的装置。

公开(公告)号：CN106876442A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710092151.8

申请日：2017-02-21

Applicant: 无锡盈芯半导体科技有限公司

Inventor： 王鸣巍

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/87 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/87 ,  H01L29/06 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/6603

Abstract: 本发明公开了一种基于氮化物量子点的共振隧穿二极管器件及其制备方法，隧穿二极管核心部分是夹在氮化物势垒的GaN或者InGaN量子点，通过聚焦激光光束的照射，可以实现定位和操纵单量子态。本发明的优点在于综合氮化物的宽禁带和量子点提供的分裂能级等特点，使得本方法十分适用于光谱范围较宽的微弱光探测。所述外延生长方法还可以通过调节InGaN中的In组分实现特定波长的光探测，而且外延结构和器件结构相对简单，条件温和，具有广泛的应用价值。

公开(公告)号：CN103975422B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201280033933.X

申请日：2012-11-28

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 小笠原淳 ,  伊东浩二 ,  六鎗広野

IPC: H01L21/316 ,  C03C3/105 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/87 ,  C03C3/105 ,  C03C8/24 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/66121 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8613 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明树脂封装型半导体装置10是一种包括台面型半导体元件100，以及封装台面型半导体元件100的铸模用树脂40的树脂封装型半导体装置10；并且，通过实施将沟道的内面氧化从而形成基底氧化层121的基底氧化层形成工序，形成通过基底氧化层覆盖沟道的内面的由铅系玻璃复合物构成的玻璃复合物层的玻璃复合物层形成工序，以及在铅系玻璃复合物的溶倒点Tf以下的温度下烧制玻璃复合物层的烧制工序，来形成铅系玻璃层124。本发明的树脂封装型半导体装置虽然与以往的树脂封装型半导体装置同样具有将台面型半导体元件用树脂铸模的结构，但是一种比以往的树脂封装型半导体装置具有更高的高温反偏压耐量的树脂封装型半导体装置。

公开(公告)号：CN102893398B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201080066832.3

申请日：2010-05-18

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 帕特里斯·贝塞 ,  吉恩·菲利普·莱恩

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/74

CPC classification number: H01L27/0259 ,  H01L29/87

Abstract: 一种集成电路，包括静电放电（ESD）保护电路（100），被配置以向所述集成电路的外部端子（102）提供ESD保护。所述ESD保护电路（100）包括：晶闸管电路（200、204），其包括可操作地耦合于外部端子（102）的第一双极型开关器件（200）以及可操作地耦合于另一外部端子（104）的第二双极型开关器件（204），所述第一双极型开关器件（200）的集电极耦合于所述第二双极型开关器件（204）的基极，所述第一双极型开关器件（200）的基极耦合于所述第二双极型开关器件（204）的集电极。第三双极型开关器件（214）也被提供并且可操作地耦合于所述晶闸管电路（200、204）并且具有用于触发所述晶闸管电路（200、204）的阈值电压，所述阈值电压可独立地配置所述晶闸管电路（200、204）。所述第一和第二开关器件（200、204）被配置以便在使用时提供双向快速恢复特性和与其相关联的快速恢复电压。

公开(公告)号：CN102738144B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201210059406.8

申请日：2012-03-08

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 陈伟梵

IPC: H01L27/02 ,  H02H9/04

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/87

Abstract: 本发明公开了一种静电放电防护装置包括一基底、一井区、一第一掺杂区以及一第二掺杂区。基底具有一第一导电型，且基底与一第一电源节点电连接。井区具有一第二导电型，且设置于基底中。第一掺杂区具有第一导电型，且设置于井区中。第一掺杂区以及井区与一第二电源节点电连接。第二掺杂区具有第二导电型，且设置于基底中。第二掺杂区处于浮接状态。

公开(公告)号：CN102884624B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201180009779.8

申请日：2011-02-22

Applicant: 索菲科斯公司

Inventor： 斯文·范韦梅尔斯 ,  奥利维耶·马里沙尔

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L29/87

Abstract: 高保持电压(HV)静电放电(ESD)保护电路，包括可控硅整流器(SCE)器件和位于SCR器件的阳极和阴极之间长度(LCA)内的补偿区域，所述补偿区域增加了SCR器件的保持电压。所述补偿区域可以向SCR器件引入负反馈机制，这可以影响SCR的回路增益，并且使其在较高的保持电压下达到再生反馈。

公开(公告)号：CN102769041B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201110112016.8

申请日：2011-05-03

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 高翔 ,  刘梅

IPC: H01L29/87 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/87

Abstract: 本发明公开了一种用于ESD保护的硅控整流管结构，其包括两个具有相反导电类型的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区和第二阱区的交界区域表面设有具第一导电类型的第一扩散区，所述第一扩散区的掺杂浓度大于与其相接触的具有相同导电类型的阱区的掺杂浓度；在与所述第一扩散区具有相反导电类型的阱区中，设有与该阱区具有相同导电类型且掺杂浓度高于该阱区的第三阱区，所述第三阱区位于与所述第一扩散区相邻的隔离区下方。该硅控整流管结构在导通能力不下降的情况下，具有较高的嵌位电压，因此降低了发生闩锁失效的风险。