公开(公告)号：CN102884624A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201180009779.8

申请日：2011-02-22

Applicant: 索菲科斯公司

Inventor： 斯文·范韦梅尔斯 ,  奥利维耶·马里沙尔

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L29/87

Abstract: 高保持电压(HV)静电放电(ESD)保护电路，包括可控硅整流器(SCE)器件和位于SCR器件的阳极和阴极之间长度(LCA)内的补偿区域，所述补偿区域增加了SCR器件的保持电压。所述补偿区域可以向SCR器件引入负反馈机制，这可以影响SCR的回路增益，并且使其在较高的保持电压下达到再生反馈。

公开(公告)号：CN102884624B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201180009779.8

申请日：2011-02-22

Applicant: 索菲科斯公司

Inventor： 斯文·范韦梅尔斯 ,  奥利维耶·马里沙尔

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L29/87

Abstract: 高保持电压(HV)静电放电(ESD)保护电路，包括可控硅整流器(SCE)器件和位于SCR器件的阳极和阴极之间长度(LCA)内的补偿区域，所述补偿区域增加了SCR器件的保持电压。所述补偿区域可以向SCR器件引入负反馈机制，这可以影响SCR的回路增益，并且使其在较高的保持电压下达到再生反馈。