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公开(公告)号：CN108899362B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201810960335.6
申请日：2018-08-22
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06
摘要： 本发明涉及一种平面栅IGBT器件，其在所述IGBT器件的截面上，还包括设置于第一导电类型漂移区的第二导电类型浮空层，所述第二导电类型浮空层位于第一导电类型载流子存储层的正下方且第二导电类型浮空层与第一导电类型载流子存储层邻接；第二导电类型浮空层在第一导电类型漂移区的横向长度不小于第一导电类型载流子存储层在第一导电类型漂移区内的横向长度。在第二导电类型基区两侧对称设置第二导电类型区，且此第二导电类型区与发射极连接。本发明其结构紧凑，能有效提高击穿电压，且有效降低关断损耗，与现有工艺兼容，安全可靠。
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公开(公告)号：CN108899370B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201810961256.7
申请日：2018-08-22
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
发明人： 陈钱
摘要： 本发明涉及一种集成电阻区的VDMOS器件，其在元胞沟槽之间设置第一导电类型欧姆接触区以及第一导电类型体区，在栅介质层内注入电荷，在VDMOS正向导通状态下，栅介质层与第一导电类型体区形成积累层，元胞沟槽沟槽之间不存在第二导电类体区，导通电阻将大幅降低。在体二极管导通状态下，在注入少量的少子电荷后，第一导电类型欧姆接触区以及第一导电类型体区即可导通，从而降低体二极管的正向导通压降，此时导电机制以单极型为主，第一导电类型漂移区中少数载流子浓度较低，极大地提高了体二极管的反向恢复特性。在VDMOS阻断状态下，栅介质层中的电荷能形成耗尽区，与现有的VDMOS结构相比，其耐压不变。
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公开(公告)号：CN110416319B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201910773796.7
申请日：2019-08-21
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329
摘要： 本发明涉及一种双面肖特基控制的快恢复二极管器件及制备方法，其包括半导体基板，所述半导体基板包括N型衬底以及与N型缓冲层，在N型衬底的中心区设置有源区；在二极管器件的截面上，有源区内包括若干呈交替分布的有源P柱与有源N柱，在N型衬底上设置阳极金属，所述有源P柱与N型衬底上的阳极金属欧姆接触，有源N柱与N型衬底上的阳极金属肖特基接触；在N型缓冲层上设置若干交替分布的阴极P‑区以及阴极N+区，所述阴极N+区与阴极金属欧姆接触，阴极P‑区与阴极金属肖特基接触。本发明能获得较快的反向恢复时间，减少动态损耗，提高优软度，可靠性高。
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公开(公告)号：CN107064767B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201611240202.9
申请日：2016-12-29
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路，其特征是：包括双脉冲主电路，双脉冲主电路包括被测器件、陪测器件、第一功率器件和第二功率器件，被测器件的门极为双脉冲驱动电路；所述双脉冲驱动电路包括多个并联的栅极电阻和多个并联的栅极电容，第一光继电器组的一端连接被测器件的栅极信号，第一光继电器组的另一端连接电阻行矩阵的一端，电阻行矩阵的另一端连接被测器件的栅极和第二光继电器组的正输入端，第二光继电器组的负端连接栅极电容的一端，栅极电容的另一端连接被测器件的发射极。本发明能够改变IGBT栅极电阻、栅极电容的不同组合，从而更快、更准确的验证IGBT芯片的动态测试参数。
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公开(公告)号：CN110504306B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201910773778.9
申请日：2019-08-21
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/10
摘要： 本发明涉及一种沟槽栅IGBT器件，尤其是一种具有可调电容的沟槽栅IGBT器件，属于沟槽栅IGBT器件的技术领域。在元胞沟槽内填充电容多晶硅体、电介质体以及栅极多晶硅，通过电容多晶硅体、栅极多晶硅以及电介质体能形成电容结构，电介质体的厚度可调，从而能调节得到不同大小的电容，即相当于在IGBT器件的栅电极与发射极之间串联一个电容，从而能降低电容Cge的大小；设计灵活，兼顾大电流密度和小寄生电容，有利于提高尤其是大功率IGBT的工作频率，降低开关损耗。
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公开(公告)号：CN115084233A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210860597.1
申请日：2022-07-21
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： H01L29/06
摘要： 本发明涉及一种功率器件用复合终端结构。其包括第一导电类型衬底以及位于所述第一导电类型衬底内的JTE横向终端扩展结构，所述JTE横向终端扩展结构包括第二导电类型JTE区；在所述终端结构的截面图上，在第二导电类型JTE区内设置若干截断型沟槽，所述截断型沟槽沿第一导电类型衬底中心指向所述第一导电类型衬底外圈边缘方向依次排布，截断型沟槽在第一导电类型衬底的深度大于第二导电类型JTE区的结深；在任一截断型沟槽内均设置低介电绝缘填充体，所述低介电绝缘填充体填满所在的截断型沟槽。本发明有效改善终端受外界电荷的影响，提高终端耐压的可靠性。
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公开(公告)号：CN114975620A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210607268.6
申请日：2022-05-31
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及一种低输入电容的沟槽型IGBT器件及制备方法。其对任一元胞，均包括两个呈长条状的元胞沟槽，在沿元胞沟槽的长度方向上，在元胞沟槽内设置若干槽内发射极导电多晶硅，所述槽内发射极导电多晶硅从元胞沟槽的槽口向元胞沟槽的底部方向延伸，且槽内发射极导电多晶硅通过多晶硅间介质层所在区域的栅极导电多晶硅绝缘隔离；在元胞沟槽间相互邻近的外侧壁上设置第一导电类型源区，所述第一导电类型源区沿元胞沟槽的长度方向分布，槽内发射极导电多晶硅在元胞沟槽内的底部位于第一导电类型源区的底部的下方。本发明在不影响米勒电容下，降低了输入电容，有效的降低了器件的开关损耗。
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公开(公告)号：CN110444533B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201910773763.2
申请日：2019-08-21
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种防静电IGBT模块结构，其包括封装壳体以及封装在所述封装壳体内的IGBT器件IGBT1与IGBT器件IGBT2；IGBT器件IGBT1的集电极端与IGBT器件IGBT2的发射极连接；IGBT器件IGBT1栅极连接端子与IGBT器件IGBT1发射极连接端子间通过第一TVS管连接，IGBT器件IGBT2栅极连接端子与IGBT器件IGBT2发射极连接端子间通过第二TVS管连接，通过第一TVS管、第二TVS管分别与IGBT器件IGBT1、IGBT器件IGBT2配合，能有效实现对IGBT模块的静电防护，避免在测试、运输和应用过程中避免受到静电损伤，安全可靠。
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公开(公告)号：CN106711204B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201510776865.1
申请日：2015-11-12
申请人： 上海联星电子有限公司 , 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/423
摘要： 本发明提供了一种IGBT器件及其制作方法，包括：基底，所述基底包括本体层、位于所述本体层表面内的阱区和源区；位于所述基底正面的第一介质层以及位于所述第一介质层表面的栅极，所述栅极和所述本体层之间的第一介质层的厚度范围为1nm～100nm；位于所述栅极表面的第二介质层以及位于所述第二介质层和所述基底正面的发射极。由于栅极和本体层之间的第一介质层的厚度限定在1nm～100nm的范围内，因此，减小了栅极与基底背面集电极之间的密勒电容的间距，增大了密勒电容，进而降低了IGBT器件在开通和关断的过程中所承受的电压的变化率，提高了IGBT器件的抗闩锁能力。
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公开(公告)号：CN110444586A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910773364.6
申请日：2019-08-21
申请人： 江苏中科君芯科技有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/28 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及一种具有分流区的沟槽栅IGBT器件及制备方法，其在元胞沟槽槽底的正下方设置第二导电类型分流区，所述第二导电类型分流区包覆元胞沟槽的槽底；在元胞沟槽内填充有发射极金属以及栅极导电多晶硅，所述栅极导电多晶硅在元胞沟槽内位于发射极金属的外圈，发射极金属通过金属绝缘隔离体与栅极导电多晶硅绝缘隔离，栅极导电多晶硅通过绝缘栅氧化层与所在元胞沟槽的侧壁以及底壁绝缘隔离，填充在元胞沟槽内的发射极金属与所在元胞沟槽槽底下方的第二导电类型分流区欧姆接触。本发明能有效提升抗闩锁能力以及耐压能力，减小米勒电容，有效提高IGBT器件的开关效率，减低开关损耗。
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