公开(公告)号：CN108735808A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810359822.7

申请日：2018-04-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 金田充 ,  高桥彻雄 ,  铃木健司 ,  上马场龙 ,  梅山真理子 ,  西康一

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348

Abstract: 目的在于提供能够抑制耐压的下降的技术。半导体开关元件具有第1栅极电极和第2栅极电极。第1栅极电极隔着第1栅极绝缘膜配置于第1沟槽内，该第1沟槽从发射极区域的上表面到达半导体层，与发射极区域、基极区域及电荷存储层相交叉。第2栅极电极隔着第2栅极绝缘膜配置于第2沟槽内，该第2沟槽从发射极区域及导电区域的上表面到达半导体层，与发射极区域、基极区域、电荷存储层及导电区域相邻。第2沟槽的深度比第1沟槽的深度浅，且第2沟槽的宽度比第1沟槽的宽度窄。

公开(公告)号：CN107949916B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201580082726.7

申请日：2015-08-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小西和也 ,  深田祐介 ,  上马场龙 ,  梅山真理子 ,  樽崎敦司 ,  多留谷政良

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

Abstract: 具有：半导体基板；发射极电极，其形成于该半导体基板之上；栅极电极，其形成于该半导体基板之上；第1导电型的源极层，其形成于该半导体基板之上；第2导电型的基极层，其形成于该半导体基板之上；集电极电极，其形成于该半导体基板之下；多个有源沟槽栅，它们形成于该半导体基板的上表面侧，与该栅极电极连接；以及多个伪沟槽栅，它们形成于该半导体基板的上表面侧，未与该栅极电极连接。交替地设置有第1构造和第2构造，该第1构造是大于或等于3个该有源沟槽栅并排的构造，该第2构造是大于或等于3个该伪沟槽栅并排的构造。

公开(公告)号：CN107949916A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201580082726.7

申请日：2015-08-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小西和也 ,  深田祐介 ,  上马场龙 ,  梅山真理子 ,  樽崎敦司 ,  多留谷政良

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/407 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

Abstract: 具有：半导体基板；发射极电极，其形成于该半导体基板之上；栅极电极，其形成于该半导体基板之上；第1导电型的源极层，其形成于该半导体基板之上；第2导电型的基极层，其形成于该半导体基板之上；集电极电极，其形成于该半导体基板之下；多个有源沟槽栅，它们形成于该半导体基板的上表面侧，与该栅极电极连接；以及多个伪沟槽栅，它们形成于该半导体基板的上表面侧，未与该栅极电极连接。交替地设置有第1构造和第2构造，该第1构造是大于或等于3个该有源沟槽栅并排的构造，该第2构造是大于或等于3个该伪沟槽栅并排的构造。