公开(公告)号：CN107949916B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201580082726.7

申请日：2015-08-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小西和也 ,  深田祐介 ,  上马场龙 ,  梅山真理子 ,  樽崎敦司 ,  多留谷政良

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

Abstract: 具有：半导体基板；发射极电极，其形成于该半导体基板之上；栅极电极，其形成于该半导体基板之上；第1导电型的源极层，其形成于该半导体基板之上；第2导电型的基极层，其形成于该半导体基板之上；集电极电极，其形成于该半导体基板之下；多个有源沟槽栅，它们形成于该半导体基板的上表面侧，与该栅极电极连接；以及多个伪沟槽栅，它们形成于该半导体基板的上表面侧，未与该栅极电极连接。交替地设置有第1构造和第2构造，该第1构造是大于或等于3个该有源沟槽栅并排的构造，该第2构造是大于或等于3个该伪沟槽栅并排的构造。

公开(公告)号：CN107949916A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201580082726.7

申请日：2015-08-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小西和也 ,  深田祐介 ,  上马场龙 ,  梅山真理子 ,  樽崎敦司 ,  多留谷政良

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/407 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

Abstract: 具有：半导体基板；发射极电极，其形成于该半导体基板之上；栅极电极，其形成于该半导体基板之上；第1导电型的源极层，其形成于该半导体基板之上；第2导电型的基极层，其形成于该半导体基板之上；集电极电极，其形成于该半导体基板之下；多个有源沟槽栅，它们形成于该半导体基板的上表面侧，与该栅极电极连接；以及多个伪沟槽栅，它们形成于该半导体基板的上表面侧，未与该栅极电极连接。交替地设置有第1构造和第2构造，该第1构造是大于或等于3个该有源沟槽栅并排的构造，该第2构造是大于或等于3个该伪沟槽栅并排的构造。