公开(公告)号：CN108550619B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201810491009.5

申请日：2014-09-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C·P·桑道 ,  H-J·舒尔策 ,  J·G·拉文 ,  F·J·涅德诺斯塞德 ,  F·D·普菲尔施 ,  H-P·菲尔斯尔

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

Abstract: 一种IGBT包括至少一个第一类晶体管单元，该第一类晶体管单元包括基区、第一发射区、体区和第二发射区。体区被布置在第一发射区与基区之间。基区被布置在体区与第二发射区之间。IGBT还包括毗邻体区且通过栅极电介质与体区介电绝缘的栅电极以及毗邻基区且通过基电极电介质与基区介电绝缘的基电极。基区具有邻接基电极电介质的第一基区部分和被布置在第二发射区与第一基区部分之间的第二基区部分。第一基区部分的掺杂浓度比第二基区部分的掺杂浓度高。

公开(公告)号：CN112687683A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011071730.2

申请日：2020-10-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H·梅尔兹纳 ,  M·丹克尔 ,  P·伊尔斯格勒 ,  S·施密特 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/095 ,  H01L27/098 ,  H01L27/082 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/739

Abstract: 公开了一种晶体管器件。该晶体管器件包括：半导体本体(100)；多个单元区域(1)，各自包括多个晶体管单元(10)，其至少部分地集成在半导体本体(100)中并且各自包括相应的栅极电极(16)；多个布线通道(6)，各自布置在两个或更多个单元区域(1)之间；栅极焊盘(31)，布置在半导体本体的第一表面(101)上方；和多个栅极流道(2)，各自耦合至栅极焊盘并且各自布置在多个布线通道之一中。多个栅极流道中的每个与多个单元区域之一相关联，使得多个单元区域中的每个中的栅极电极连接到相关联的栅极流道，并且多个布线通道中的每个包括两个或更多个平行且彼此间隔开布线的栅极流道。

公开(公告)号：CN107093553B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201710090927.2

申请日：2017-02-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·舒斯特德 ,  M·布鲁格 ,  M·杰里纳克 ,  J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了用于将离子注入到半导体衬底中的方法和注入系统。该方法包括向半导体衬底中执行离子的测试注入。在半导体衬底上以第一注入角度范围注入测试注入的离子。此外，该方法包括在测试注入之后基于半导体衬底来确定注入角度偏移，以及基于确定的注入角度偏移来调整半导体衬底相对于注入方向的倾斜角度。另外，该方法包括在倾斜角度的调整之后向半导体衬底中执行离子的至少一个目标注入。在半导体衬底上以第二注入角度范围注入至少一个目标注入的离子。此外，第一注入角度范围大于第二注入角度范围。

公开(公告)号：CN107564810B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201710516182.1

申请日：2017-06-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  A·毛德 ,  R·拉普 ,  H-J·舒尔策 ,  W·舒斯特德

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/808

Abstract: 本公开涉及使用定向离子束形成电极沟槽和含沟槽电极结构的半导体器件。例如，通过在半导体衬底(500a)的处理表面(101a)上引导具有束发散角(θ)的离子束(690)，在半导体衬底(500a)中形成平行的电极沟槽(150a)。定向离子束(690)的中心轴以倾斜角(α)相对于处理表面(101a)的法线(105)倾斜，其中倾斜角(α)和束发散角(θ)中的至少一个不等于0。半导体衬底(500a)在形成电极沟槽(150a)期间沿着平行于处理表面(101a)的方向移动。导电电极(155)形成在电极沟槽(150a)中，其中电极沟槽(150a)的第一侧壁(151)通过第一倾斜角相对于法线(105)倾斜，第二侧壁(157)通过第二倾斜角相对于法线(105)倾斜，其中

公开(公告)号：CN107039252B

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201611018130.3

申请日：2016-11-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·拉普 ,  I·莫德 ,  I·穆里 ,  F·J·桑托斯罗德里奎兹 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/306

Abstract: 各种实施例涉及用于减薄衬底的方法。根据各种实施例，一种方法可以包括：提供具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的衬底；通过处理衬底的第一侧而在衬底中或上方中的至少一项形成掩埋层；将衬底从衬底的第二侧减薄，其中掩埋层包括与衬底相比对减薄具有较大抵抗性的固态化合物，并且其中减薄在掩埋层处停止。

公开(公告)号：CN110896063A

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201911274738.6

申请日：2017-03-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·K·乔施 ,  F·希勒 ,  M·福格 ,  O·亨贝尔 ,  T·拉斯卡 ,  M·米勒 ,  R·罗思 ,  C·沙菲尔 ,  H-J·舒尔策 ,  H·舒尔策 ,  J·斯泰恩布伦纳 ,  F·翁巴赫

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/532

Abstract: 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。

公开(公告)号：CN106449361B

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201610649585.9

申请日：2016-08-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·弗伦德 ,  H·奥弗纳 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/544

Abstract: 本公开涉及单晶晶锭、半导体晶圆以及制造半导体晶圆的方法。一种制造半导体晶圆的方法包括在半导体晶锭中形成沿着轴向延伸的凹口或平边。在半导体晶锭中形成多个标记。在沿着轴向的不同位置处的多个标记中的至少一些标记能够通过特性特征彼此区分。然后，半导体晶锭被切割成半导体晶圆。

公开(公告)号：CN106711093B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201611027771.5

申请日：2016-11-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H·奥弗纳 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/02035 ,  H01L21/304

Abstract: 本公开涉及用于薄晶片处理的改进的晶片边缘形状，提供了一种晶片，包括前表面、后表面以及位于前表面和后表面之间的边缘，该边缘具有位于前表面的边缘与晶片边缘的侧面之间的弯曲边缘轮廓。边缘轮廓包括接合前表面的边缘的第一凸曲线、接合侧面的第二凸曲线以及接合第一凸曲线和第二凸曲线的中间凹曲线。

公开(公告)号：CN104851907B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201510079099.3

申请日：2015-02-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策 ,  A·毛德 ,  E·格瑞布尔

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/31

Abstract: 空腔形成在形成于半导体基底层的第一半导体层中。空腔从第一半导体层的处理表面延伸至基底层。凹陷的掩模衬垫形成在空腔侧壁的远离表面的部分上，或者掩模插塞形成在空腔的远离处理表面的部分中。第二半导体层通过外延生长在处理表面上。第二半导体层跨越空腔。

公开(公告)号：CN108417625A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810482333.0

申请日：2015-02-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策 ,  A·毛德 ,  E·格瑞布尔

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/02 ,  H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/683 ,  H01L23/544 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/36 ,  H01L21/331 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/26533 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/544 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/16 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8611 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 空腔形成在形成于半导体基底层的第一半导体层中。空腔从第一半导体层的处理表面延伸至基底层。凹陷的掩模衬垫形成在空腔侧壁的远离表面的部分上，或者掩模插塞形成在空腔的远离处理表面的部分中。第二半导体层通过外延生长在处理表面上。第二半导体层跨越空腔。