-
公开(公告)号：CN110896063B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201911274738.6
申请日：2017-03-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： R·K·乔施 , F·希勒 , M·福格 , O·亨贝尔 , T·拉斯卡 , M·米勒 , R·罗思 , C·沙菲尔 , H-J·舒尔策 , H·舒尔策 , J·斯泰恩布伦纳 , F·翁巴赫
IPC: H01L23/485 , H01L23/532
Abstract: 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。
-
公开(公告)号：CN107195616B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201710149143.2
申请日：2017-03-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： R·K·乔施 , F·希勒 , M·福格 , O·亨贝尔 , T·拉斯卡 , M·米勒 , R·罗思 , C·沙菲尔 , H-J·舒尔策 , H·舒尔策 , J·斯泰恩布伦纳 , F·翁巴赫
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。
-
公开(公告)号：CN110896063A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201911274738.6
申请日：2017-03-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： R·K·乔施 , F·希勒 , M·福格 , O·亨贝尔 , T·拉斯卡 , M·米勒 , R·罗思 , C·沙菲尔 , H-J·舒尔策 , H·舒尔策 , J·斯泰恩布伦纳 , F·翁巴赫
IPC: H01L23/485 , H01L23/532
Abstract: 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。
-
公开(公告)号：CN107452605A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710267613.5
申请日：2017-04-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 一种形成接触结构的方法包括提供碳化硅衬底，具有形成在衬底中并延伸至衬底的主表面的高掺杂碳化硅接触区域。形成碳基接触区域，与高掺杂碳化硅接触区域直接接触并延伸至主表面。在碳基接触区域上形成导体，从而碳基接触区域插入在导体与高掺杂碳化硅接触区域之间。用于形成碳基接触区域的热预算被维持在诱使高掺杂碳化硅接触区域的金属硅化的水平之下。
-
公开(公告)号：CN105826246B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201610055011.9
申请日：2016-01-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L21/76885 , H01L24/00 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开的实施方式涉及用于铜结构化的中间层及其形成方法。一种在半导体衬底之上形成金属化层的方法包括：在层级间电介质层之上沉积扩散阻挡衬垫的毯式层，以及在扩散阻挡衬垫之上沉积中间层的毯式层。包含铜的功率金属层的毯式层沉积在中间层之上。中间层包括主要元素和铜的固溶体。中间层具有与功率金属层不同的蚀刻选择性。在沉积功率金属层之后，对功率金属层、中间层和扩散阻挡衬垫进行结构化。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104944358B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510144873.4
申请日：2015-03-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01M10/4257 , H01L23/58 , H01L2924/0002 , H01M2/0202 , H01M2/0207 , H01M2/024 , H01M10/052 , H01M10/0585 , Y10T29/49108 , H01L2924/00
Abstract: 电池包括具有第一主表面的第一基板、由导电材料或半导体材料制成的第二基板、以及绝缘材料的载体。载体具有第一和第二主表面，第二基板被附接至载体的第一主表面。在载体的第二主表面中形成开口以使第二基板的第二主表面的一部分未被覆盖。载体的第二主表面被附接至第一基板，由此形成空腔。电池进一步包括设置在空腔中的电解质。
-
公开(公告)号：CN105185818B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201510283585.7
申请日：2015-05-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 根据各种实施例，一种半导体晶片可以包括：包括集成电路结构的半导体本体；以及形成在该集成电路结构之上和/或形成在该集成电路结构中的至少一个四面体非晶碳层，该至少一个四面体非晶碳层可以包括大于大致0.4的sp3杂化碳的物质量分数和小于大致0.1的氢的物质量分数。
-
公开(公告)号：CN105826246A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610055011.9
申请日：2016-01-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L21/76885 , H01L24/00 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L21/768 , H01L21/76838
Abstract: 本公开的实施方式涉及用于铜结构化的中间层及其形成方法。一种在半导体衬底之上形成金属化层的方法包括：在层级间电介质层之上沉积扩散阻挡衬垫的毯式层，以及在扩散阻挡衬垫之上沉积中间层的毯式层。包含铜的功率金属层的毯式层沉积在中间层之上。中间层包括主要元素和铜的固溶体。中间层具有与功率金属层不同的蚀刻选择性。在沉积功率金属层之后，对功率金属层、中间层和扩散阻挡衬垫进行结构化。
-
公开(公告)号：CN104944358A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510144873.4
申请日：2015-03-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01M10/4257 , H01L23/58 , H01L2924/0002 , H01M2/0202 , H01M2/0207 , H01M2/024 , H01M10/052 , H01M10/0585 , Y10T29/49108 , H01L2924/00
Abstract: 电池包括具有第一主表面的第一基板、由导电材料或半导体材料制成的第二基板、以及绝缘材料的载体。载体具有第一和第二主表面，第二基板被附接至载体的第一主表面。在载体的第二主表面中形成开口以使第二基板的第二主表面的一部分未被覆盖。载体的第二主表面被附接至第一基板，由此形成空腔。电池进一步包括设置在空腔中的电解质。
-
公开(公告)号：CN107195616A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710149143.2
申请日：2017-03-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： R·K·乔施 , F·希勒 , M·福格 , O·亨贝尔 , T·拉斯卡 , M·米勒 , R·罗思 , C·沙菲尔 , H-J·舒尔策 , H·舒尔策 , J·斯泰恩布伦纳 , F·翁巴赫
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.023 seconds)
