-
公开(公告)号：CN102183334A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110039698.4
申请日：2011-01-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01L9/12
CPC classification number: B81C1/00071 , B81B2201/0264 , G01L9/0042
Abstract: 一种用于提供压力传感器衬底的方法包括：创建第一空腔，所述第一空腔在衬底内部在与衬底的主表面垂直的第一方向上延伸并且在衬底内部在与第一方向垂直的第二方向上延伸进入衬底的第一通气区域；创建第二空腔，所述第二空腔在衬底内部在第一方向上延伸，在第二方向上平行于第一空腔延伸，并且不延伸进入第一通气区域；以及将第一空腔开口于第一通气区域中。
-
公开(公告)号：CN110896063A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201911274738.6
申请日：2017-03-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： R·K·乔施 , F·希勒 , M·福格 , O·亨贝尔 , T·拉斯卡 , M·米勒 , R·罗思 , C·沙菲尔 , H-J·舒尔策 , H·舒尔策 , J·斯泰恩布伦纳 , F·翁巴赫
IPC: H01L23/485 , H01L23/532
Abstract: 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。
-
公开(公告)号：CN104253150B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201410294978.3
申请日：2014-06-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： G·施密特 , M·米勒 , F·J·桑托斯罗德里奎兹 , D·施罗格尔
CPC classification number: H01L21/76841 , H01L29/0615 , H01L29/0619
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。功率半导体器件包括半导体本体，半导体本体具有横向相互相邻的有源区域和高压外围区域，高压外围区域横向围绕有源区域。该器件进一步包括：金属化层，在半导体本体的正面上并且连接至有源区域；第一阻挡层，包括高熔点金属或高熔点合金，在有源区域和金属化层之间；以及第二阻挡层，覆盖了外围区域的至少一部分，第二阻挡层包括非晶的半绝缘材料。第一阻挡层和第二阻挡层部分地重叠并且形成重叠区域。重叠区域延伸在有源区域的整个周界之上。也提供了一种用于制造该功率半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN105895700A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610079865.0
申请日：2016-02-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/0727 , H01L29/8611 , H01L29/8613 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及半导体器件以及用于形成半导体器件的方法。该半导体器件包括第一晶体管结构，所述第一晶体管结构包括位于半导体衬底内的第一导电类型的第一晶体管体区。第一晶体管体区的至少部分位于第一晶体管结构的第一源极区/漏极区和第一晶体管结构的第二源极区/漏极区之间。半导体器件包括第二晶体管结构，所述第二晶体管结构包括位于半导体衬底内的第二导电类型的第二晶体管体区。第二晶体管体区的至少部分位于第二晶体管结构的第一源极区/漏极区和第二晶体管结构的第二源极区/漏极区之间。第二晶体管结构的第二源极区/漏极区的至少部分位于包括第一晶体管结构的第二源极区/漏极区的掺杂区与第二晶体管体区之间。
-
公开(公告)号：CN104253150A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410294978.3
申请日：2014-06-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： G·施密特 , M·米勒 , F·J·桑托斯罗德里奎兹 , D·施罗格尔
CPC classification number: H01L21/76841 , H01L29/0615 , H01L29/0619
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。功率半导体器件包括半导体本体，半导体本体具有横向相互相邻的有源区域和高压外围区域，高压外围区域横向围绕有源区域。该器件进一步包括：金属化层，在半导体本体的正面上并且连接至有源区域；第一阻挡层，包括高熔点金属或高熔点合金，在有源区域和金属化层之间；以及第二阻挡层，覆盖了外围区域的至少一部分，第二阻挡层包括非晶的半绝缘材料。第一阻挡层和第二阻挡层部分地重叠并且形成重叠区域。重叠区域延伸在有源区域的整个周界之上。也提供了一种用于制造该功率半导体器件的方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105895700B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201610079865.0
申请日：2016-02-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及半导体器件以及用于形成半导体器件的方法。该半导体器件包括第一晶体管结构，所述第一晶体管结构包括位于半导体衬底内的第一导电类型的第一晶体管体区。第一晶体管体区的至少部分位于第一晶体管结构的第一源极区/漏极区和第一晶体管结构的第二源极区/漏极区之间。半导体器件包括第二晶体管结构，所述第二晶体管结构包括位于半导体衬底内的第二导电类型的第二晶体管体区。第二晶体管体区的至少部分位于第二晶体管结构的第一源极区/漏极区和第二晶体管结构的第二源极区/漏极区之间。第二晶体管结构的第二源极区/漏极区的至少部分位于包括第一晶体管结构的第二源极区/漏极区的掺杂区与第二晶体管体区之间。
-
公开(公告)号：CN107195616A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710149143.2
申请日：2017-03-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： R·K·乔施 , F·希勒 , M·福格 , O·亨贝尔 , T·拉斯卡 , M·米勒 , R·罗思 , C·沙菲尔 , H-J·舒尔策 , H·舒尔策 , J·斯泰恩布伦纳 , F·翁巴赫
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。
-
公开(公告)号：CN102183334B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201110039698.4
申请日：2011-01-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01L9/12
CPC classification number: B81C1/00071 , B81B2201/0264 , G01L9/0042
Abstract: 一种用于提供压力传感器衬底的方法包括：创建第一空腔，所述第一空腔在衬底内部在与衬底的主表面垂直的第一方向上延伸并且在衬底内部在与第一方向垂直的第二方向上延伸进入衬底的第一通气区域；创建第二空腔，所述第二空腔在衬底内部在第一方向上延伸，在第二方向上平行于第一空腔延伸，并且不延伸进入第一通气区域；以及将第一空腔开口于第一通气区域中。
-
公开(公告)号：CN110896063B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201911274738.6
申请日：2017-03-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： R·K·乔施 , F·希勒 , M·福格 , O·亨贝尔 , T·拉斯卡 , M·米勒 , R·罗思 , C·沙菲尔 , H-J·舒尔策 , H·舒尔策 , J·斯泰恩布伦纳 , F·翁巴赫
IPC: H01L23/485 , H01L23/532
Abstract: 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。
-
公开(公告)号：CN107195616B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201710149143.2
申请日：2017-03-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： R·K·乔施 , F·希勒 , M·福格 , O·亨贝尔 , T·拉斯卡 , M·米勒 , R·罗思 , C·沙菲尔 , H-J·舒尔策 , H·舒尔策 , J·斯泰恩布伦纳 , F·翁巴赫
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.029 seconds)
