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公开(公告)号：CN110896063A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201911274738.6
申请日：2017-03-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： R·K·乔施 , F·希勒 , M·福格 , O·亨贝尔 , T·拉斯卡 , M·米勒 , R·罗思 , C·沙菲尔 , H-J·舒尔策 , H·舒尔策 , J·斯泰恩布伦纳 , F·翁巴赫
IPC: H01L23/485 , H01L23/532
Abstract: 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。
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公开(公告)号：CN107195616A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710149143.2
申请日：2017-03-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： R·K·乔施 , F·希勒 , M·福格 , O·亨贝尔 , T·拉斯卡 , M·米勒 , R·罗思 , C·沙菲尔 , H-J·舒尔策 , H·舒尔策 , J·斯泰恩布伦纳 , F·翁巴赫
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。
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公开(公告)号：CN110896063B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201911274738.6
申请日：2017-03-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： R·K·乔施 , F·希勒 , M·福格 , O·亨贝尔 , T·拉斯卡 , M·米勒 , R·罗思 , C·沙菲尔 , H-J·舒尔策 , H·舒尔策 , J·斯泰恩布伦纳 , F·翁巴赫
IPC: H01L23/485 , H01L23/532
Abstract: 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。
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公开(公告)号：CN114078798A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110947964.7
申请日：2021-08-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 公开了包括接合焊盘金属层结构的半导体器件。提出了一种半导体器件(100)。半导体器件(100)包括布线金属层结构(102)。半导体器件(100)进一步包括被直接布置在布线金属层结构(102)上的电介质层结构(104)。半导体器件(100)进一步包括被至少部分地直接布置在电介质层结构(104)上的接合焊盘金属层结构(106)。电介质层结构(104)的层厚度(td)在布线金属层结构(102)的层厚度(tw)的1%至30%的范围内。布线金属层结构(102)和接合焊盘金属结构(106)被通过电介质层结构(104)中的开口(108)电连接。
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公开(公告)号：CN107195616B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201710149143.2
申请日：2017-03-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： R·K·乔施 , F·希勒 , M·福格 , O·亨贝尔 , T·拉斯卡 , M·米勒 , R·罗思 , C·沙菲尔 , H-J·舒尔策 , H·舒尔策 , J·斯泰恩布伦纳 , F·翁巴赫
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。
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