公开(公告)号：CN110896063A

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201911274738.6

申请日：2017-03-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·K·乔施 ,  F·希勒 ,  M·福格 ,  O·亨贝尔 ,  T·拉斯卡 ,  M·米勒 ,  R·罗思 ,  C·沙菲尔 ,  H-J·舒尔策 ,  H·舒尔策 ,  J·斯泰恩布伦纳 ,  F·翁巴赫

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/532

Abstract: 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。

公开(公告)号：CN107195616A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710149143.2

申请日：2017-03-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·K·乔施 ,  F·希勒 ,  M·福格 ,  O·亨贝尔 ,  T·拉斯卡 ,  M·米勒 ,  R·罗思 ,  C·沙菲尔 ,  H-J·舒尔策 ,  H·舒尔策 ,  J·斯泰恩布伦纳 ,  F·翁巴赫

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。

公开(公告)号：CN110896063B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201911274738.6

申请日：2017-03-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·K·乔施 ,  F·希勒 ,  M·福格 ,  O·亨贝尔 ,  T·拉斯卡 ,  M·米勒 ,  R·罗思 ,  C·沙菲尔 ,  H-J·舒尔策 ,  H·舒尔策 ,  J·斯泰恩布伦纳 ,  F·翁巴赫

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/532

Abstract: 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。

公开(公告)号：CN107195616B

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201710149143.2

申请日：2017-03-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·K·乔施 ,  F·希勒 ,  M·福格 ,  O·亨贝尔 ,  T·拉斯卡 ,  M·米勒 ,  R·罗思 ,  C·沙菲尔 ,  H-J·舒尔策 ,  H·舒尔策 ,  J·斯泰恩布伦纳 ,  F·翁巴赫

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。