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公开(公告)号:CN106444270A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201610617619.6
申请日:2016-07-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G03F1/00 , G03F1/44 , H01L21/027 , H01L23/544
Abstract: 在不同实施例中提供了掩模版。掩模版可以包括特征部。特征部可以包括基部结构和阶梯结构。阶梯结构包括中央区域和边缘区域。在顶视图中,中央区域包括比边缘区域更大的宽度。阶梯结构被配置为被布置在待被光刻处理的衬底的形貌阶梯之上。
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公开(公告)号:CN112687683A
公开(公告)日:2021-04-20
申请号:CN202011071730.2
申请日:2020-10-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/095 , H01L27/098 , H01L27/082 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/80 , H01L29/739
Abstract: 公开了一种晶体管器件。该晶体管器件包括:半导体本体(100);多个单元区域(1),各自包括多个晶体管单元(10),其至少部分地集成在半导体本体(100)中并且各自包括相应的栅极电极(16);多个布线通道(6),各自布置在两个或更多个单元区域(1)之间;栅极焊盘(31),布置在半导体本体的第一表面(101)上方;和多个栅极流道(2),各自耦合至栅极焊盘并且各自布置在多个布线通道之一中。多个栅极流道中的每个与多个单元区域之一相关联,使得多个单元区域中的每个中的栅极电极连接到相关联的栅极流道,并且多个布线通道中的每个包括两个或更多个平行且彼此间隔开布线的栅极流道。
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公开(公告)号:CN104078561A
公开(公告)日:2014-10-01
申请号:CN201410113466.2
申请日:2014-03-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁阻器件和用于制造磁阻器件的方法。该磁阻器件包括衬底和在衬底之上布置的电绝缘层。磁阻器件还包括在电绝缘层中嵌入的第一自由层和在电绝缘层中嵌入的第二自由层。第一自由层和第二自由层被电绝缘层的一部分分离。
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公开(公告)号:CN102052927B
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201010541275.8
申请日:2010-11-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01D5/12
CPC classification number: G01D5/145 , G01D5/2457 , G01P3/487
Abstract: 本发明涉及用于位置测量的磁编码器元件。公开了一种在位置测量系统中使用的磁编码器元件,所述位置测量系统包括用于沿着第一方向测量位置的磁场传感器。所述编码器元件包括:至少一个第一轨道,其包括沿着所述第一方向提供磁性图的材料,所述磁性图由剩余磁化矢量形成,所述剩余磁化矢量具有取决于沿着所述第一方向的位置的可变幅度。剩余磁化矢量的梯度使得在第一轨道以上的通道中的以及处于平面以上的预定距离处的所得到的磁场包括垂直于该第一方向的场分量,所述场分量沿着该第一方向不改变其符号。
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公开(公告)号:CN102052927A
公开(公告)日:2011-05-11
申请号:CN201010541275.8
申请日:2010-11-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01D5/12
CPC classification number: G01D5/145 , G01D5/2457 , G01P3/487
Abstract: 本发明涉及用于位置测量的磁编码器元件。公开了一种在位置测量系统中使用的磁编码器元件,所述位置测量系统包括用于沿着第一方向测量位置的磁场传感器。所述编码器元件包括:至少一个第一轨道,其包括沿着所述第一方向提供磁性图的材料,所述磁性图由剩余磁化矢量形成,所述剩余磁化矢量具有取决于沿着所述第一方向的位置的可变幅度。剩余磁化矢量的梯度使得在第一轨道以上的通道中的以及处于平面以上的预定距离处的所得到的磁场包括垂直于该第一方向的场分量,所述场分量沿着该第一方向不改变其符号。
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