公开(公告)号：CN107093553A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710090927.2

申请日：2017-02-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·舒斯特德 ,  M·布鲁格 ,  M·杰里纳克 ,  J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了用于将离子注入到半导体衬底中的方法和注入系统。该方法包括向半导体衬底中执行离子的测试注入。在半导体衬底上以第一注入角度范围注入测试注入的离子。此外，该方法包括在测试注入之后基于半导体衬底来确定注入角度偏移，以及基于确定的注入角度偏移来调整半导体衬底相对于注入方向的倾斜角度。另外，该方法包括在倾斜角度的调整之后向半导体衬底中执行离子的至少一个目标注入。在半导体衬底上以第二注入角度范围注入至少一个目标注入的离子。此外，第一注入角度范围大于第二注入角度范围。

公开(公告)号：CN107093553B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201710090927.2

申请日：2017-02-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·舒斯特德 ,  M·布鲁格 ,  M·杰里纳克 ,  J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了用于将离子注入到半导体衬底中的方法和注入系统。该方法包括向半导体衬底中执行离子的测试注入。在半导体衬底上以第一注入角度范围注入测试注入的离子。此外，该方法包括在测试注入之后基于半导体衬底来确定注入角度偏移，以及基于确定的注入角度偏移来调整半导体衬底相对于注入方向的倾斜角度。另外，该方法包括在倾斜角度的调整之后向半导体衬底中执行离子的至少一个目标注入。在半导体衬底上以第二注入角度范围注入至少一个目标注入的离子。此外，第一注入角度范围大于第二注入角度范围。