公开(公告)号：CN106098521A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610270946.9

申请日：2016-04-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E·韦尔特斯彻 ,  P·祖潘 ,  W·舒斯特德 ,  M·杰里纳克 ,  R·埃伯维恩 ,  F·科勒纳

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/081 ,  H01J2237/0822 ,  H01J37/317

Abstract: 本公开涉及用于金属注入的离子源及其方法，具体地，用于注入机的离子源包括设置在离子源室中的第一固态源电极。第一固态源电极包括耦合至第一负电位节点的源材料。第二固态源电极设置在离子源室中。第二固态源电极包括耦合至第二负电位节点的源材料，并且第一固态源电极和第二固态源电极被配置为产生通过注入机注入的离子。

公开(公告)号：CN106252414B

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201610422875.X

申请日：2016-06-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·西明耶科 ,  M·聪德尔 ,  K-H·巴赫 ,  F·希尔勒 ,  C·坎彭 ,  W·舒斯特德

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的各个实施例涉及具有场电极和改进的雪崩击穿行为的晶体管。公开了一种半导体器件和用于形成该半导体器件的方法。该半导体器件的一个实施例包括至少一个晶体管单元，其中该至少一个晶体管单元包括：在半导体本体中的，第一掺杂类型的漂移区域、第一掺杂类型的源极区域、第二掺杂类型的本体区域以及第一掺杂类型的漏极区域；栅极电极；场电极；其中漂移区域雪崩区域，其中场电极布置在沟槽中，以及其中雪崩区域包括比起接近半导体本体的由源极区域限定出来的表面更接近底部平面的至少一个部分。

公开(公告)号：CN106128953B

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201610294432.7

申请日：2016-05-05

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  M·杰里纳克 ,  H-J·舒尔策 ,  W·舒斯特德 ,  M·斯塔特穆勒

IPC: H01L21/324 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法与含氧相关热施主的半导体器件。一种制造半导体器件的方法包括确定表示半导体晶圆(100)中的非本征掺杂剂浓度(Dext)和本征氧浓度(Doi)的信息。基于与非本征掺杂剂浓度(Dext)和本征氧浓度(Doi)有关的信息以及与半导体晶圆(100)中的氧相关热施主的生成速率或分解速率有关的信息，确定用于生成或分解氧相关热施主的处理温度梯度(Tproc(t))以补偿目标掺杂剂浓度(Dtarg)与非本征掺杂剂浓度(Dext)之差。

公开(公告)号：CN104835711A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510070660.1

申请日：2015-02-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·布雷梅瑟 ,  S·福斯 ,  H-J·舒尔策 ,  W·舒斯特德

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/12 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06

CPC classification number: C23C14/48 ,  H01J37/1477 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/30483 ,  H01L21/265 ,  H01L21/68764 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/36 ,  H01L29/45 ,  H01L29/744 ,  H01L29/861

Abstract: 一种离子注入装置包括离子束导向单元、衬底支撑和控制器。该控制器被配置为在经过离子束导向单元的离子束和衬底支撑之间产生相对运动。离子束在衬底上的束轨迹包括圆或螺旋，衬底被装配在衬底支撑上。

公开(公告)号：CN106876270B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201611123257.1

申请日：2016-12-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·舒斯特德 ,  R·巴布斯克 ,  R·伯格 ,  T·古特 ,  J·G·拉文 ,  H·舒尔策

IPC: H01L21/331

Abstract: 用于形成半导体器件的方法包括形成非晶或多晶半导体层，该非晶或多晶半导体层与位于半导体衬底中的具有第一导电类型的至少一个半导体掺杂区域相邻。该方法还包括在形成非晶或多晶半导体层期间或之后将掺杂物结合到该非晶或多晶半导体层中。该方法还包括退火非晶或多晶半导体层，以将非晶或多晶半导体层的至少一部分转换为基本单晶半导体层并且在该单晶半导体层中形成具有第二导电类型的至少一个掺杂区域，使得pn结形成在具有第一导电类型的至少一个半导体掺杂区域与具有第二导电类型的至少一个掺杂区域之间。

公开(公告)号：CN107564810A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201710516182.1

申请日：2017-06-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  A·毛德 ,  R·拉普 ,  H-J·舒尔策 ,  W·舒斯特德

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/808

Abstract: 本公开涉及使用定向离子束形成电极沟槽和含沟槽电极结构的半导体器件。例如，通过在半导体衬底(500a)的处理表面(101a)上引导具有束发散角(θ)的离子束(690)，在半导体衬底(500a)中形成平行的电极沟槽(150a)。定向离子束(690)的中心轴以倾斜角(α)相对于处理表面(101a)的法线(105)倾斜，其中倾斜角(α)和束发散角(θ)中的至少一个不等于0。半导体衬底(500a)在形成电极沟槽(150a)期间沿着平行于处理表面(101a)的方向移动。导电电极(155)形成在电极沟槽(150a)中，其中电极沟槽(150a)的第一侧壁(151)通过第一倾斜角 相对于法线(105)倾斜，第二侧壁(157)通过第二倾斜角 相对于法线(105)倾斜，其中。

公开(公告)号：CN107093553A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710090927.2

申请日：2017-02-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·舒斯特德 ,  M·布鲁格 ,  M·杰里纳克 ,  J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了用于将离子注入到半导体衬底中的方法和注入系统。该方法包括向半导体衬底中执行离子的测试注入。在半导体衬底上以第一注入角度范围注入测试注入的离子。此外，该方法包括在测试注入之后基于半导体衬底来确定注入角度偏移，以及基于确定的注入角度偏移来调整半导体衬底相对于注入方向的倾斜角度。另外，该方法包括在倾斜角度的调整之后向半导体衬底中执行离子的至少一个目标注入。在半导体衬底上以第二注入角度范围注入至少一个目标注入的离子。此外，第一注入角度范围大于第二注入角度范围。

公开(公告)号：CN106128953A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610294432.7

申请日：2016-05-05

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  M·杰里纳克 ,  H-J·舒尔策 ,  W·舒斯特德 ,  M·斯塔特穆勒

IPC: H01L21/324 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0692 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8234 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法与含氧相关热施主的半导体器件。一种制造半导体器件的方法包括确定表示半导体晶圆(100)中的非本征掺杂剂浓度(Dext)和本征氧浓度(Doi)的信息。基于与非本征掺杂剂浓度(Dext)和本征氧浓度(Doi)有关的信息以及与半导体晶圆(100)中的氧相关热施主的生成速率或分解速率有关的信息，确定用于生成或分解氧相关热施主的处理温度梯度(Tproc(t))以补偿目标掺杂剂浓度(Dtarg)与非本征掺杂剂浓度(Dext)之差。

公开(公告)号：CN107093553B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201710090927.2

申请日：2017-02-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·舒斯特德 ,  M·布鲁格 ,  M·杰里纳克 ,  J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了用于将离子注入到半导体衬底中的方法和注入系统。该方法包括向半导体衬底中执行离子的测试注入。在半导体衬底上以第一注入角度范围注入测试注入的离子。此外，该方法包括在测试注入之后基于半导体衬底来确定注入角度偏移，以及基于确定的注入角度偏移来调整半导体衬底相对于注入方向的倾斜角度。另外，该方法包括在倾斜角度的调整之后向半导体衬底中执行离子的至少一个目标注入。在半导体衬底上以第二注入角度范围注入至少一个目标注入的离子。此外，第一注入角度范围大于第二注入角度范围。

公开(公告)号：CN107564810B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201710516182.1

申请日：2017-06-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  A·毛德 ,  R·拉普 ,  H-J·舒尔策 ,  W·舒斯特德

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/808

Abstract: 本公开涉及使用定向离子束形成电极沟槽和含沟槽电极结构的半导体器件。例如，通过在半导体衬底(500a)的处理表面(101a)上引导具有束发散角(θ)的离子束(690)，在半导体衬底(500a)中形成平行的电极沟槽(150a)。定向离子束(690)的中心轴以倾斜角(α)相对于处理表面(101a)的法线(105)倾斜，其中倾斜角(α)和束发散角(θ)中的至少一个不等于0。半导体衬底(500a)在形成电极沟槽(150a)期间沿着平行于处理表面(101a)的方向移动。导电电极(155)形成在电极沟槽(150a)中，其中电极沟槽(150a)的第一侧壁(151)通过第一倾斜角相对于法线(105)倾斜，第二侧壁(157)通过第二倾斜角相对于法线(105)倾斜，其中