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公开(公告)号：CN108550619A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810491009.5
申请日：2014-09-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 一种IGBT包括至少一个第一类晶体管单元，该第一类晶体管单元包括基区、第一发射区、体区和第二发射区。体区被布置在第一发射区与基区之间。基区被布置在体区与第二发射区之间。IGBT还包括毗邻体区且通过栅极电介质与体区介电绝缘的栅电极以及毗邻基区且通过基电极电介质与基区介电绝缘的基电极。基区具有邻接基电极电介质的第一基区部分和被布置在第二发射区与第一基区部分之间的第二基区部分。第一基区部分的掺杂浓度比第二基区部分的掺杂浓度高。
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公开(公告)号：CN108550619B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201810491009.5
申请日：2014-09-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 一种IGBT包括至少一个第一类晶体管单元，该第一类晶体管单元包括基区、第一发射区、体区和第二发射区。体区被布置在第一发射区与基区之间。基区被布置在体区与第二发射区之间。IGBT还包括毗邻体区且通过栅极电介质与体区介电绝缘的栅电极以及毗邻基区且通过基电极电介质与基区介电绝缘的基电极。基区具有邻接基电极电介质的第一基区部分和被布置在第二发射区与第一基区部分之间的第二基区部分。第一基区部分的掺杂浓度比第二基区部分的掺杂浓度高。
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公开(公告)号：CN104518017B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201410514781.6
申请日：2014-09-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/739
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0834 , H01L29/0847 , H01L29/407 , H01L29/42368 , H01L29/7393 , H01L29/7395 , H01L29/7397
Abstract: 一种IGBT包括至少一个第一类晶体管单元，该第一类晶体管单元包括基区、第一发射区、体区和第二发射区。体区被布置在第一发射区与基区之间。基区被布置在体区与第二发射区之间。IGBT还包括毗邻体区且通过栅极电介质与体区介电绝缘的栅电极以及毗邻基区且通过基电极电介质与基区介电绝缘的基电极。基区具有邻接基电极电介质的第一基区部分和被布置在第二发射区与第一基区部分之间的第二基区部分。第一基区部分的掺杂浓度比第二基区部分的掺杂浓度高。
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公开(公告)号：CN104518017A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410514781.6
申请日：2014-09-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/739
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0834 , H01L29/0847 , H01L29/407 , H01L29/42368 , H01L29/7393 , H01L29/7395 , H01L29/7397
Abstract: 一种IGBT包括至少一个第一类晶体管单元，该第一类晶体管单元包括基区、第一发射区、体区和第二发射区。体区被布置在第一发射区与基区之间。基区被布置在体区与第二发射区之间。IGBT还包括毗邻体区且通过栅极电介质与体区介电绝缘的栅电极以及毗邻基区且通过基电极电介质与基区介电绝缘的基电极。基区具有邻接基电极电介质的第一基区部分和被布置在第二发射区与第一基区部分之间的第二基区部分。第一基区部分的掺杂浓度比第二基区部分的掺杂浓度高。
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