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公开(公告)号：CN106571320B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201610875848.8
申请日：2016-09-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 制造半导体晶圆的方法的实施例包括：针对半导体晶锭的至少两个位置确定至少一个材料特性。在半导体晶锭中形成沿着轴向延伸的凹口或平面。在半导体晶锭中形成多个标记。沿着轴向处于不同位置的多个标记中的至少一些标记可通过根据至少一个材料特性设置的特性特征来相互区分。然后，将半导体晶锭切分成半导体晶圆。
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公开(公告)号：CN106449361B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201610649585.9
申请日：2016-08-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L23/544
Abstract: 本公开涉及单晶晶锭、半导体晶圆以及制造半导体晶圆的方法。一种制造半导体晶圆的方法包括在半导体晶锭中形成沿着轴向延伸的凹口或平边。在半导体晶锭中形成多个标记。在沿着轴向的不同位置处的多个标记中的至少一些标记能够通过特性特征彼此区分。然后，半导体晶锭被切割成半导体晶圆。
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公开(公告)号：CN106571320A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610875848.8
申请日：2016-09-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 制造半导体晶圆的方法的实施例包括：针对半导体晶锭的至少两个位置确定至少一个材料特性。在半导体晶锭中形成沿着轴向延伸的凹口或平面。在半导体晶锭中形成多个标记。沿着轴向处于不同位置的多个标记中的至少一些标记可通过根据至少一个材料特性设置的特性特征来相互区分。然后，将半导体晶锭切分成半导体晶圆。
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公开(公告)号：CN106449361A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610649585.9
申请日：2016-08-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L23/544
Abstract: 本公开涉及单晶晶锭、半导体晶圆以及制造半导体晶圆的方法。一种制造半导体晶圆的方法包括在半导体晶锭中形成沿着轴向延伸的凹口或平边。在半导体晶锭中形成多个标记。在沿着轴向的不同位置处的多个标记中的至少一些标记能够通过特性特征彼此区分。然后，半导体晶锭被切割成半导体晶圆。
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