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公开(公告)号：CN114864529B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202210551401.0
申请日：2022-05-18
申请人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种碳化硅复合基板及其制造方法与应用，所述碳化硅复合基板包括层叠设置的单晶层、中间层与多晶支撑层；所述中间层中包括第一杂质、第二杂质与第三杂质；所述多晶支撑层中包括第一杂质与第二杂质。本发明通过在中间层以及多晶支撑层中均设置第一杂质与第二杂质，降低了单晶层与多晶支撑层之间的电阻率；引入的第一杂质与第二杂质，能够根据需要调节多晶支撑层的热膨胀系数，在满足使多晶支撑层的电阻率需求基础上，能够使多晶支撑层的热膨胀系数与单晶层相当，避免热膨胀系数相差过大造成的热失配。
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公开(公告)号：CN118087036A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410206654.3
申请日：2024-02-26
申请人： 复旦大学
摘要： 本发明涉及一种氧化镓p‑n同质结材料及其制备和应用，该同质结材料的制备方法包括以下步骤：(1)取氮化镓薄膜放置于外延生长设备中，通入载气，将腔体气氛调至第一腔体气氛条件，并在腔体温度600～1050℃条件下进行10～30min的处理；(2)再将腔体气氛调至第二腔体气氛条件，并在1000～1400℃的腔体温度下进行90～210min生长；(3)最后继续在退火炉、高压釜、或离子注入设备中进行性能调控，得到氧化镓p‑n同质结材料。本发明填补了超宽禁带半导体氧化镓同质p‑n结制备技术方面的空白，可制备出氧化镓同质p‑n结，可应用在深紫外日盲探测器、气体传感器和功率器件的制备。
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公开(公告)号：CN116623293A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310913101.7
申请日：2023-07-25
IPC分类号： C30B28/14 , C30B29/36 , C30B31/22 , C30B33/02 , C30B33/06 , C30B33/10 , H01L21/02 , H01L29/16
摘要： 本发明提供一种复合碳化硅衬底及其制备方法和应用，属于半导体技术领域，所述制备方法包括以下步骤：在中间牺牲层的表面两侧制备单晶碳化硅薄层，分别记为第一单晶碳化硅薄层和第二单晶碳化硅薄层，所述第一单晶碳化硅薄层和第二单晶碳化硅薄层分别与所述中间牺牲层键合连接，得到键合组件；在所述键合组件的表面两侧生长多晶碳化硅层，所述多晶碳化硅层中含有游离C相；去除所述键合组件中的中间牺牲层，得到两个所述复合碳化硅衬底。该制备方法可避免多晶碳化硅层和单晶碳化硅薄层之间的接合界面，成功率高，成本低。基于该方法制备的复合碳化硅衬底具有较低的电阻率，多晶碳化硅层和单晶碳化硅薄层之间结合紧密、牢固，可实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN114959899A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210387910.4
申请日：2022-04-13
申请人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
摘要： 本发明提供一种碳化硅复合基板及其制备方法，所述碳化硅复合基板包括单晶碳化硅层以及碳化硅支撑层，所述单晶碳化硅层与所述碳化硅支撑层之间设置有至少1层金属硅化物层，所述单晶碳化硅层与相邻的金属硅化物层之间设置有第一界面层，所述碳化硅支撑层与相邻的金属硅化物层之间设置第二界面层，所述金属硅化物层的电阻率低于100μΩ·cm。所述碳化硅复合基板有效降低了碳化硅支撑层和单晶碳化硅薄层之间的界面电阻，降低了碳化硅复合基板的制造成本，提高了碳化硅复合基板的应用潜力。
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公开(公告)号：CN110983289B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201911225719.4
申请日：2019-12-04
申请人： 江苏杰太光电技术有限公司
摘要： 本发明提供的一种基于LPCVD二次离子注入制备钝化接触结构的方法，能够很好地解决管式LPCVD离子注入法制备重掺杂的多晶硅层遇到的问题，即提高表面离子浓度的同时不可避免的导致扩散穿过隧穿氧化层的离子增多的问题，可提高多晶硅的表面离子浓度，提高电导率，减小接触电阻，从而提高电池填充因子；减小扩散穿过隧穿氧化层的离子，减少俄歇复合，提高该结构的钝化效果，提高开路电压和短路电流；工艺过程成熟，采用已有设备二次工艺即可完成。
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公开(公告)号：CN114639596A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210223599.X
申请日：2020-09-22
申请人： 南方科技大学
摘要： 为克服现有宽禁带半导体材料存在大量自发缺陷，难以获得本征半导体以及难以实现反型掺杂的问题，本发明公开了一种通过外加电压，可控地提高自发缺陷的形成能，同时降低反型掺杂缺陷的形成能，实现本征宽禁带半导体材料制备与反型掺杂的方法。该方法包括以下操作步骤：在生长本征宽禁带半导体材料以及反型掺杂过程中，给自发形成N型导电的宽禁带半导体材料施加正偏压，给自发形成P型导电的宽禁带半导体材料施加负偏压。本发明同时公开了上述方法在制备本征氧化锌以及P型掺杂氧化锌中的应用。
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公开(公告)号：CN114000199A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202110992773.2
申请日：2021-08-27
申请人： 深圳市汇芯通信技术有限公司
摘要： 本申请公开了一种单晶氮化铝薄膜及其制作方法、体声波滤波器的制作方法，单晶氮化铝薄膜的制作方法包括步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成单晶含有铝和氮的三元或多元化合物薄膜；通过离子注入方式对单晶含有铝和氮的三元或多元化合物薄膜进行金属掺杂；形成掺杂的单晶氮化铝薄膜。通过上述方案以提供一种高品质掺杂的单晶氮化铝薄膜作为体声波滤波器的压电层，以提高滤波器的带宽。
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公开(公告)号：CN112410885A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011250278.6
申请日：2020-11-10
申请人： 珠海光库科技股份有限公司
摘要： 本发明提供铌酸锂单晶薄膜及其制作方法，制作方法包括：在原料铌酸锂晶圆的光学级表面上制备介质层；穿过介质层朝向光学级表面注入离子，离子穿透光学级表面后形成离子层，在离子层和介质层之间形成单晶铌酸锂薄层；将载体晶圆与介质层键合；加热至第一预设温度，使单晶铌酸锂薄层与原料铌酸锂晶圆分离并存留在介质层上；加热至第二预设温度，第二预设温度大于第一预设温度。通过单晶铌酸锂薄层与原料铌酸锂晶圆分离，并牢固地位于介质层上，以可实现稳定的光波导。
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公开(公告)号：CN110835741B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201911033263.1
申请日：2019-10-28
申请人： 北京科技大学
摘要： 一种通过离子注入制备金刚石氮镍复合色心的方法，属于光电器件用基体材料制备领域。步骤为：a.将高质量单晶金刚石抛光到表面粗糙度低于1nm；b.将剂量为高于1×1015cm‑2低于5×1016cm‑2的氮离子注入金刚石内部；c.对离子注入后的金刚石进行800℃到1200℃真空或保护气体或真空等离子体高温退火；d.再以与氮离子注入相同深度所需的能量将剂量为注入的氮离子剂量的1/4(或低于1/4)的镍离子注入金刚石；e.对注入后的金刚石再次进行先1000℃到1200℃真空或保护气体或真空等离子体高温退火；f.接着升高退火温度至1400℃促进孤氮形成及氮原子移动；g.再将温度升至1600℃至2000℃，以促进氮镍原子聚合。本发明以通过可控的离子注入方法，实现金刚石氮镍复合色心的精确制备。
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公开(公告)号：CN106537568B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201580038164.6
申请日：2015-04-10
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L21/336 , C30B29/36 , C30B31/22 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/28 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/02694 , C30B29/36 , C30B31/185 , C30B31/22 , C30B33/02 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/046 , H01L21/0465 , H01L21/265 , H01L21/28 , H01L21/7806 , H01L29/0834 , H01L29/0878 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/7813
摘要： 本发明涉及半导体装置的制造方法及半导体装置。所述半导体装置的制造方法具备：准备在SiC支承衬底上配设了与上述SiC支承衬底相比杂质浓度为1万分之1以下、并且厚度为50μm以上的SiC外延生长层的SiC外延衬底的工序(a)；选择性地将杂质离子注入上述SiC外延衬底的第1主面而形成构成半导体元件的杂质区域的工序(b)；将规定的离子注入上述SiC外延衬底的第2主面而形成控制上述SiC外延衬底的翘曲的离子注入区域的工序(c)；和在上述工序(b)及工序(c)之后将上述SiC外延衬底加热的工序(d)。
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