发明公开
- 专利标题: 一种碳化硅复合基板及其制备方法
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申请号: CN202210387910.4申请日: 2022-04-13
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公开(公告)号: CN114959899A公开(公告)日: 2022-08-30
- 发明人: 郭超 , 母凤文
- 申请人: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
- 申请人地址: 北京市海淀区花园北路25号小关(厂南区)4号楼1层146
- 专利权人: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
- 当前专利权人: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区花园北路25号小关(厂南区)4号楼1层146
- 代理机构: 北京品源专利代理有限公司
- 代理商 赵颖
- 主分类号: C30B29/36
- IPC分类号: C30B29/36 ; C30B31/20 ; C30B31/22
摘要:
本发明提供一种碳化硅复合基板及其制备方法,所述碳化硅复合基板包括单晶碳化硅层以及碳化硅支撑层,所述单晶碳化硅层与所述碳化硅支撑层之间设置有至少1层金属硅化物层,所述单晶碳化硅层与相邻的金属硅化物层之间设置有第一界面层,所述碳化硅支撑层与相邻的金属硅化物层之间设置第二界面层,所述金属硅化物层的电阻率低于100μΩ·cm。所述碳化硅复合基板有效降低了碳化硅支撑层和单晶碳化硅薄层之间的界面电阻,降低了碳化硅复合基板的制造成本,提高了碳化硅复合基板的应用潜力。
公开/授权文献
- CN114959899B 一种碳化硅复合基板及其制备方法 公开/授权日:2024-08-06
IPC分类: