公开(公告)号：CN118957749A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411016947.1

申请日：2024-07-29

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 顾溢 ,  刘博文 ,  于春蕾 ,  马英杰 ,  李淘 ,  邵秀梅 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC分类号： C30B25/18 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  C30B25/16 ,  C30B29/40

摘要： 本发明公开了一种基于大过冲快速递变的铟镓砷材料结构及其制备方法，所述材料结构自上而下包括InwAl1‑wAs固定组分接触层、InxGa1‑xAs固定组分吸收层、InwAl1‑wAs固定组分缓冲层、InyAl1‑yAs固定组分弛豫层、InzAl1‑zAs大过冲快速递变线性缓冲层、In0.52Al0.48As晶格匹配缓冲层和InP同质缓冲层。所述InwAl1‑wAs固定组分接触层、InxGa1‑xAs固定组分吸收层和InwAl1‑wAs固定组分缓冲层三者晶格匹配，其中0.52＜w≤0.85、0.53＜x≤0.85。所述InyAl1‑yAs固定组分弛豫层的组分为w+0.05≤y≤1，所述InzAl1‑zAs大过冲快速递变线性缓冲层自下而上的组分由0.52线性递增至y，递变速率为v，0.4/h≤v≤0.6/h。本发明的材料结构设计可促进铟镓砷吸收层处于完全弛豫状态下生长，大幅降低晶圆翘曲，提高铟镓砷少子寿命，以此材料结构制备焦平面探测器时，有利于获得较高的信噪比。

公开(公告)号：CN118854447A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410912068.0

申请日：2024-07-08

申请人： 天津中环领先材料技术有限公司 ,  中环领先半导体科技股份有限公司

发明人： 徐翀 ,  范宗帅 ,  谢琼震 ,  孙振康 ,  武朝磊 ,  孙铭阳 ,  张校源 ,  赵磊 ,  刘志超

IPC分类号： C30B25/16 ,  H01L21/20 ,  H01L21/67 ,  C30B25/10 ,  C30B29/06

摘要： 本申请公开了一种外延控制方法，属于半导体制造技术领域。包括：提供第一温控片，置于基座上，通过加热元件对第一温控片进行第一加热处理，获取不同温度下第一温控片的方阻，以确定温度系数α；提供第二温控片，置于基座上，通过加热元件对第二温控片进行第二加热处理，获取第二加热处理后的第二温控片的方阻，并结合温度系数α，以确定第二温控片的第一温度差ΔT1；判断第一温度差ΔT1是否满足第一预设温度的范围；若第一温度差ΔT1不满足第一预设温度的范围，则通过调节加热元件和基座之间的距离，以使第一温度差ΔT1满足第一预设温度的范围。本申请提供的外延控制方法，可以改善外延片在形成过程中的温度均匀性，从而改善外延片的缺陷。

公开(公告)号：CN118854443A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411128229.3

申请日：2024-08-16

申请人： 杭州晶驰机电科技有限公司

发明人： 郭森 ,  边晨

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/12 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36

摘要： 本发明涉及一种碳化硅衬底装载腔及其工作方法，它用于碳化硅外延炉中，它属于碳化硅外延领域。本发明包括主腔室、转角气缸、舱盖组件、石英顶针、石英块、升降托盘、载盘升降组件、载盘定位组件、载盘组件和中心托盘，主腔室顶部与舱盖组件相连，主腔室的三个侧面分别安装有一个载盘定位组件，主腔室内部底面安装有三个石英顶针，用于支撑载盘组件；主腔室的两侧分别安装有一个转角气缸，用于压紧舱盖组件；升降托盘上装有三个石英块，用于顶托载盘组件的中心托盘；主腔室的底面安装有一个载盘升降组件。本发明实现了碳化硅衬底在载盘上的自动化放置和载盘的自动化定位，提升了碳化硅外延设备的自动化水平，提高了设备安全性，满足使用需求。

公开(公告)号：CN118712208A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410758272.1

申请日：2024-06-13

申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所

发明人： 李赟 ,  赵志飞 ,  王翼 ,  熊瑞 ,  曹越 ,  姜海涛

IPC分类号： H01L29/06 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  C30B25/16 ,  H01L29/16 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336

摘要： 一种3C‑SiC复合结构及其制备方法，本发明通过4H‑SiC进行长时间氢气刻蚀，在表面形成单个晶胞高度（4层Si‑C双原子层）的晶体台阶，再进行表面碳化和生长3C‑SiC异质成核层，保证3C‑SiC外延过程中原子层排列有序，从而降低3C‑SiC异质外延层中的双定位边缺陷密度。4H‑SiC/3C‑SiC异质结存在二维电子/空穴气，为避免该影响，本发明通过离子注入从3C‑SiC外延片剥离出薄层3C‑SiC并将其键合至低电阻率SiC底座上，形成3C‑SiC/ SiC复合衬底，再利用该复合衬底进行3C‑SiC同质外延生长，制备出MOSFET器件所需的外延结构。制备的3C‑SiC具有更低的栅氧界面态密度和更高的栅氧势垒，所述方法适用于1200V以下耐压的高性能、高可靠SiC MOSFET芯片研制。

公开(公告)号：CN118668293A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410712478.0

申请日：2024-06-04

申请人： 武汉大学

发明人： 刘胜 ,  梁康 ,  宋云飞 ,  孙启盟 ,  杨德坤 ,  沈威 ,  吴改 ,  汪启军 ,  张文泽

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/12 ,  C30B25/16

摘要： 本发明公开了一种集成原位测量的分子束外延薄膜生长系统，属于半导体薄膜测量技术领域，所述生长系统包括，真空反应腔室，设置有安装口且底端部分或全部由透光材料构成，用于提供反应环境，安装口用于安装炉源；样品台，设置于真空反应腔室内；第一驱动组件，设置于真空反应腔室外且通过连杆与样品台连接，用于驱动样品台和调节样品台的位置；宽光谱监测装置，设置于真空反应腔室的底部，包括第二驱动组件和监测组件；第二驱动组件带动的监测组件与第一驱动组件驱动的样品台上的样品保持同步运动，获取薄膜生长的信息。本发明可实现半导体薄膜厚度非接触式、原位在线监测，在不影响薄膜生长的情况下得到精确的薄膜厚度数据。

公开(公告)号：CN118668191A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410702675.4

申请日：2024-05-31

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 张磊 ,  朱磊 ,  贾燕伟 ,  赵万辉 ,  吴周礼

IPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  C30B25/12 ,  C30B29/04 ,  C30B25/16

摘要： 本申请提供了一种基片台系统MPCVD设备，包括：层叠设置的微波反射台和大钼台；基片台，设置在所述大钼台远离所述微波反射台的一侧；其中，所述大钼台远离所述微波反射台的一侧设置有环形凸起，所述环形凸起与所述基片台同轴，并环绕在所述基片台的外周。如此设置，在基片台的外周设置环形凸台，可以使基片台上方形成的等离子体分布较为均匀，进而减小中心和边缘的温度差，保证金刚石生长速率一致，降低金刚石晶体应力，降低裂片率。

公开(公告)号：CN114744085B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202210411473.5

申请日：2022-04-19

申请人： 江西兆驰半导体有限公司

发明人： 程龙 ,  曾家明 ,  高虹 ,  郑文杰 ,  胡加辉

IPC分类号： H01L33/00 ,  C30B25/16 ,  C30B29/40 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14

摘要： 本发明提供一种调控不同圈别氮化物外延片翘曲一致性的方法，该方法包括将若干用于生长氮化物外延片的衬底放入金属有机气相沉积设备中，且分别置于金属有机气相沉积设备内圈、中圈以及外圈，随后在各个衬底上外延生长氮化物缓冲层后，对氮化物缓冲层进行翘曲调控，其中，在不通入任何金属有机源且只通入气氛N2/H2/NH3的条件下，控制位于设备不同圈别的衬底上的氮化物缓冲层的调控温度不同，且温差小于100℃，得到翘曲调控后的氮化物缓冲层，并在翘曲调控后的氮化物缓冲层上依次沉积其它外延层。本发明提出的上述方法，旨在解决现有技术中，不能分区调整氮化物外延层翘曲，从而改善外延层的波长均匀性的问题。

公开(公告)号：CN118581570A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410590429.4

申请日：2024-05-13

申请人： 长春理工大学重庆研究院 ,  长春理工大学

发明人： 王海珠 ,  张云 ,  赵鑫 ,  范杰 ,  徐睿良 ,  付曦瑶 ,  马晓辉

IPC分类号： C30B25/18 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  C30B25/16 ,  C30B29/42 ,  C30B29/40

摘要： 本发明公开了一种InAs‑GaAs量子点材料及其制备方法，该InAs‑GaAs量子点材料包括依次层叠的GaAs衬底层、GaAs缓冲层和InAs量子点层；制备方法包括以下步骤：(1)于外延生长装置中，对GaAs衬底进行原位退火处理；(2)在GaAs衬底上沉积GaAs缓冲层；(3)降温至InAs量子点的生长温度，通入Ⅲ族源和Ⅴ族源，沉积InAs量子点；生长温度为435～480℃；Ⅴ/Ⅲ比为5～335；沉积量为1.8～2.7ML；沉积的速率为0.023～0.277ML/s。本发明采用S‑K自组装生长模式，通过调整生长速率、Ⅴ/Ⅲ比、生长温度等参数，得到了高质量、高面密度的InAs‑GaAs量子点材料。

公开(公告)号：CN118563286A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202411045272.3

申请日：2024-08-01

申请人： 深圳优普莱等离子体技术有限公司 ,  广东优普莱金刚石技术有限公司

发明人： 李长辉 ,  吴家伟 ,  全峰

IPC分类号： C23C16/458 ,  C30B25/12 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B29/04 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52

摘要： 本发明公开了一种防止籽晶位移的MPCVD金刚石培育方法及系统，所述方法包括：当对籽晶进行超过预设次数的升温测温操作时，将生长面朝上放置于钼托上的籽晶进行第一次翻转；将所述钼托放入反应腔内的基片台上，并对所述反应腔抽真空后，向所述反应腔内通入预设流量范围的氢气；将所述反应腔内氢气的流量增加至流量阈值范围，并升高微波发生器作用于所述籽晶的输出功率至预设输出功率，当所述籽晶的表面温度处于温度阈值范围内时，对所述籽晶的背面进行预设时间范围的刻蚀；当取出冷却后的所述钼托和所述籽晶时，将所述籽晶进行第二次翻转，使得所述籽晶的生长面朝上。本申请能够避免籽晶因气流冲击发生位移的情况，提高了金刚石生长的稳定性。

公开(公告)号：CN118531499A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410624258.2

申请日：2024-05-17

申请人： 温州大学新材料与产业技术研究院

发明人： 赵梅 ,  张礼杰 ,  雷敏婷 ,  张克难

IPC分类号： C30B29/02 ,  C30B29/64 ,  C30B25/02 ,  C30B25/16

摘要： 本发明属于二维纳米材料领域，具体公开了一种二维非层状镍单质晶体材料及其制备方法。该制备方法具体为：采用碘化镍和氯氧化铋混合作为前驱体，放置于中心温区，衬底倒置在前驱体的正上方，通入适量载气，通过化学气相法在衬底上沉积一段时间，制备得到二维非层状镍单质晶体材料。本发明将碘化镍和氯氧化铋混合作为前驱体，能够降低中心温区的温度，减少制备过程中的能耗，且材料沿二维方向生长。利用本发明方法，制备了高质量的二维镍单质晶体，拓展了新的二维镍单质晶体的合成方法。所述的二维镍单质晶体具有三角形、四边形或六边形规则形貌，尺寸和厚度可控，在电子器件应用中具有广泛的前景。