公开(公告)号：CN106711093B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201611027771.5

申请日：2016-11-17

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： H·奥弗纳 ,  H-J·舒尔策

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/02035 ,  H01L21/304

摘要： 本公开涉及用于薄晶片处理的改进的晶片边缘形状，提供了一种晶片，包括前表面、后表面以及位于前表面和后表面之间的边缘，该边缘具有位于前表面的边缘与晶片边缘的侧面之间的弯曲边缘轮廓。边缘轮廓包括接合前表面的边缘的第一凸曲线、接合侧面的第二凸曲线以及接合第一凸曲线和第二凸曲线的中间凹曲线。

公开(公告)号：CN104051504B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201410200993.7

申请日：2014-03-14

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： H·泽阿德 ,  P·莫恩斯 ,  E·德巴克尔

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02639 ,  H01L23/562 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1604 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本公开涉及半导体晶片及其形成工艺。半导体晶片可以包括衬底、多晶模板层以及半导体层。该衬底具有中心区域和边缘区域，该多晶模板层沿着该衬底的外周边缘设置，并且半导体层在该中心区域之上，其中该半导体层是单晶的。在一实施例中，该多晶模板层和单晶层通过中间区域彼此横向间隔开。在另一个实施例中，该半导体层可以包含铝。形成衬底的工艺可以包括在该边缘区域内形成图案化的多晶模板层和在主表面之上形成半导体层。形成衬底的另一个工艺可以包括在主表面之上形成半导体层和去除该半导体层的一部分以使得该半导体层与该衬底的边缘间隔开。

公开(公告)号：CN103560106B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201310590120.7

申请日：2013-11-22

申请人： 上海新傲科技股份有限公司

发明人： 叶斐 ,  陈猛 ,  陈国兴

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76251 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02021

摘要： 本发明提供一种低翘曲度的半导体衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供第一衬底及第二衬底，所述第一衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置有第一绝缘层，所述第二表面上设置有第二绝缘层，所述第二衬底包括支撑层、支撑层表面的氧化层以及氧化层表面的器件层；以器件层及第一绝缘层为中间层，将第一衬底与第二衬底键合在一起；在所述第二绝缘层表面粘贴形成一保护层，所述第二绝缘层和保护层的作用在于调整所述半导体衬底的翘曲度。本发明的优点在于，在衬底的第二绝缘层表面粘贴保护层，所述保护层能够防止第二绝缘层被腐蚀，从而能有效地降低晶片的翘曲度。

公开(公告)号：CN102646688B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201210034022.0

申请日：2012-02-15

申请人： 索尼公司

发明人： 松谷弘康

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1464 ,  H01L21/02021 ,  H01L27/146 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L2225/06558

摘要： 本发明公开了半导体装置及其制造方法、半导体晶片的层叠方法和包括上述半导体装置的电子设备。所述半导体装置的制造方法包括：在第一半导体晶片的表面侧上形成布线层；在所述布线层上形成埋入膜以填充级差，并且使所述第一半导体晶片的周边区域中的所述布线层的上方的表面与所述第一半导体晶片的内侧区域中的所述布线层的上方的表面基本彼此齐平；并且使所述布线层上方的表面与第二半导体晶片的期望表面相对，并进行层叠，从而将所述第一半导体晶片层叠至所述第二半导体晶片。根据本发明，能够通过增大半导体装置中的接合面的附着力以防止碎裂、晶片间的脱落等，由此改善了该半导体装置的可靠性。

公开(公告)号：CN105826253A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201510553511.0

申请日：2015-09-02

申请人： 株式会社东芝

发明人： 鹰野正宗

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/02076 ,  H01L21/76894 ,  H01L21/02021

摘要： 实施方式的包含衬底的装置的制造方法如下：在具有第一面及第二面的衬底的第二面侧形成膜，将衬底切断，将膜切断，且对通过衬底的切断所形成的第一切断部或通过膜的切断所形成的第二切断部喷射粒子，对第一切断部或第二切断部进行加工。

公开(公告)号：CN105575856A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510977772.5

申请日：2015-12-23

申请人： 中国电子科技集团公司第十一研究所

发明人： 赵超 ,  陈元瑞 ,  程鹏

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67092 ,  H01L21/02021

摘要： 本发明公开了一种对InSb进行割圆倒角的装置，本发明主要用于非规则形状的InSb晶圆的制备工艺中，解决InSb单晶晶锭利用率低的问题。通过采用新型的割圆倒角工艺，可以使InSb单晶晶锭在切割成晶片以后再进行割圆，并在同一台设备上通过一次操作同时完成割圆和倒角工艺。因而极大的提高了材料的利用率，并提高了晶圆的加工效率。

公开(公告)号：CN105280476A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510591788.2

申请日：2015-09-17

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 刘鹏 ,  任昱 ,  吕煜坤 ,  张旭昇

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02021

摘要： 本发明公开了一种改善晶圆边缘产品良率的方法，在STI CMP工艺前，在介质膜保护层上增加沉积一研磨停止层，然后通过涂布光刻负胶，进行晶圆边缘曝光，使晶圆边缘曝光区域的光刻负胶保留，而将晶圆边缘曝光区域以外的光刻负胶去除，接着，刻蚀去除光刻负胶覆盖区域以外的研磨停止层，停止在介质膜保护层上，然后再进行STI CMP工艺，以在STI的硬掩模层去除工艺后，使晶圆边缘曝光区域的介质膜保护层得以保留，可避免因Si直接裸露而造成的金属离子污染和深沟槽刻蚀产生的硅刺问题，从而提高了产品良率。

公开(公告)号：CN105140362A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510354411.5

申请日：2015-06-25

申请人： 江苏苏创光学器材有限公司

发明人： 苏凤坚 ,  刘俊 ,  郝正平

IPC分类号： H01L33/16 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L33/16 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/02024

摘要： 本发明涉及一种蓝宝石LED灯丝基板的生产方法，具体步骤包括晶体掏棒、晶体切割、研磨、倒角、退火、双面抛光、激光取片、刷银等工序；本发明的蓝宝石LED灯丝基板的生产方法成片质量高，废品率低，生产效率高。

公开(公告)号：CN105097614A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510245836.2

申请日：2015-05-14

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 卡尔·普利瓦西尔

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/304 ,  B32B37/12 ,  B32B37/18 ,  B32B38/0004 ,  B32B38/10 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68327 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6836

摘要： 本发明提供晶片的加工方法，该晶片的加工方法即使实施边缘修剪加工，也能够降低引起器件不良的可能。一种晶片的加工方法，该晶片在表面上具有形成有多个器件的器件区域、以及围绕该器件区域的外周剩余区域，在外周缘部上具有从表面至背面的圆弧状的倒角部，其特征在于，该晶片的加工方法具备：片材粘贴步骤，经由配设在所述外周剩余区域的粘合剂将相对于晶片具有密合性以及粘力的片材粘贴到晶片的表面上；以及去除步骤，在实施了所述片材粘贴步骤后，从晶片的表面使切削刀具以规定的深度切入所述倒角部并且沿外周缘切削所述晶片来去除所述倒角部的一部分，并且至少使与所述器件区域相邻的一部分的所述粘合剂残存。

公开(公告)号：CN104813439A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380060888.1

申请日：2013-09-10

申请人： 道康宁公司

发明人： M·罗伯达 ,  克里斯多佛·帕菲纽克

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/30625 ,  B24B1/00 ,  B24B7/228 ,  B24B9/065 ,  B24B37/28 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02035 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/30

摘要： 本发明涉及用于制造具有优异的弯曲度、翘曲度、总厚度变化(TTV)、局部厚度变化(LTV)和部位正面最小二乘焦平面范围(SFQR)技术规格的碳化硅晶片的方法。所得的SiC晶片具有适合SiC的外延沉积的镜状表面。在增添所述外延层后，所述弯曲度、翘曲度、总厚度变化(TTV)、局部厚度变化(LTV)和部位正面最小二乘焦平面范围(SFQR)技术规格得以保持。