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公开(公告)号：CN117191537A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311025582.4
申请日：2023-08-15
申请人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
IPC分类号： G01N1/40 , G01N1/38 , G01N27/626
摘要： 本发明提出了测试In材料中的杂质痕量元素含量的方法，其特征在于，方法包括：取In材料置于45％～55％的硝酸中，放置于22℃±5℃的环境静置24～72h，待溶液变得澄清透明，稀释以得到样品溶液；取浓度为100ppm的In储备溶液稀释10000倍，作为空白溶液；基于配置的工作参数，分别测定空白溶液和样品溶液中，各杂质痕量元素的响应强度；根据各杂质痕量元素的响应强度，按照对应的溶解比例确定实际的In材料中的痕量元素的含量。本发明实施例可以用于实现高纯(＞5N)In的痕量元素定量化测试，使该项测试能够实现，进一步可用于协助实现锑化铟材料制备用高纯铟材料的质量可控。
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公开(公告)号：CN115383921A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211000860.6
申请日：2022-08-19
申请人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
摘要： 本发明涉及一种大尺寸锑化物晶体材料切割定向以及断段方法，包括：将大尺寸非规则锑化物晶体固定到经过特殊设计的石墨托上；将石墨托固定到切割机的基准台面上，基准台面下方设置有双方向转台以及平移平台，双方向转台用于调整石墨托相对单线切割机的角度，平移平台用于调整石墨托相对单线切割机的距离；通过切割机对固定在石墨托上的大尺寸非规则锑化晶体进行切割，切割完一次后使用X射线定向仪对大尺寸非规则锑化晶体进行定向，并根据定向调整结果调整双方向转台的角度；确定切割完成的非规则锑化晶体固定的断段标记处，将所述基准台面移动到所述断段标记处进行断段，得到锑化物晶体材料。
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公开(公告)号：CN109365391A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811176041.0
申请日：2018-10-10
申请人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
摘要： 本发明公开了一种对InSb晶片抛光用陶瓷盘的清洗方法，本发明在InSb晶片的抛光工艺中，能够通过较为简单的清洗工艺，将陶瓷盘表面沾污去除，而且能够进行一批次多个陶瓷盘同时清洗，从而较高效率的优化陶瓷盘表面平整度，最终达到优化晶片抛光质量和成品率的效果。通过该工艺的发明，能够节省每年的陶瓷盘换新成本，且能够在一定程度上提升InSb合格抛光晶片产量。
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公开(公告)号：CN104576354A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510014588.0
申请日：2015-01-12
申请人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/30612
摘要： 本发明提出了一种锑化铟晶片化学抛光方法。其中，机械化学抛光完成后，将粘结有锑化铟晶片的抛光盘倒置于盛有0.005％～10％的溴甲醇化学抛光液的抛光槽内，使得所述锑化铟晶片的表面朝向所述抛光槽的底部并且所述锑化铟晶片浸没于所述溴甲醇化学抛光液中，以进行化学抛光。采用这种化学抛光方法可以明显降低锑化铟晶片表面的粗糙度，去除表面的损伤，提高晶片表面的平滑度。
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公开(公告)号：CN117840906A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311637582.X
申请日：2023-12-01
申请人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
摘要： 本申请公开了一种大尺寸锑化物晶片抛光方法，包括：提供带有晶片槽的托盘，其中所述托盘上还设置有操作槽，所述操作槽与所述晶片槽形相通，所述晶片槽具有设定的规格；基于所述操作槽，将指定厚度的垫片设置到所述托盘上；将晶片设置到所述垫片上，并使得所述晶片表面的平整度满足需求；对设置晶片后的托盘进行清洗；清洗后，使用抛光液对晶片进行粗抛光，以及使用化学机械抛光或者化学抛光对晶片进行精抛光，以完成抛光。本申请的方法能够获得高平整度、高表面质量的大尺寸锑化物晶片。
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公开(公告)号：CN113774490A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110981778.5
申请日：2021-08-25
申请人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
摘要： 本发明公开了一种大尺寸 晶向低位错密度锑化铟InSb晶体及其生长方法，大尺寸 晶向低位错密度锑化铟InSb晶体生长方法包括：制备满足位错精度要求的 晶向InSb籽晶；将一定比例的原材料In和Sb装入炉膛内，并控制炉膛内环境参数，以在InSb晶体生长过程中，In‑Sb偏离1:1摩尔比在误差范围内；将制备好的 晶向InSb籽晶插入熔体表面进行熔接，并控制晶体拉速、转速以及坩埚转速，以使得InSb晶体横截面轮廓与圆形的相似度大于阈值。采用本发明制备InSb晶体，解决了籽晶位错的遗传效应，降低晶体生长过程中的热应力以及热应力差异，避免了In‑Sb比例失衡问题，从而减少位错缺陷，提高InSb晶体的质量和成品率。
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公开(公告)号：CN111910255A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010770751.7
申请日：2020-08-04
申请人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
摘要： 本发明公开了一种大尺寸 晶向低位错密度InSb晶体生长方法，本发明通过对大尺寸 晶向低位错密度InSb晶体生长方法创新性的设计，使得该方法能够稳定的控制晶体生长过程中的热应力以及In-Sb比例，降低位错的遗传效应，抑制位错形成和增殖，降低位错密度，最终提高InSb材料的质量。
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公开(公告)号：CN110552060A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910856183.X
申请日：2019-09-11
申请人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
摘要： 本发明提出了一种InSb晶体生长固液界面控制方法及装置，晶体生长装置包括：炉体、容器、加热组件、提拉组件和冷却组件。容器设于炉体内，加热组件用于加热容器，以熔融容器内的原材料。提拉组件可活动地设于炉体内，提拉组件用于将籽晶与容器内熔融的原材料进行熔接，以进行晶体生长。冷却组件靠近晶体设置，冷却组件用于对晶体进行冷却。根据本发明的晶体生长装置，在晶体生长过程中，可以利用冷却组件对晶体进行冷却降温，以控制晶体生长过成中的温度，从而可以对晶体生长时固液界面的形状进行有效控制，使固液界面有效控制为微凸界面，从而可以降低锑化铟晶体的位错密度，提高锑化铟径向电学参数，进而提高锑化铟晶体材料的质量。
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公开(公告)号：CN109652855A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811441917.X
申请日：2018-11-29
申请人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
摘要： 本发明公开了一种石英舟熏碳方法及锑化铟提纯方法，其中所述石英舟熏碳方法包括以下步骤：向熏碳装置中注入丙酮以使熏碳装置的定性滤纸上浸有丙酮；点燃所述熏碳装置的定性滤纸，以使丙酮燃烧；利用所述丙酮不完全燃烧时产生的碳微粒对石英舟的内壁进行熏碳处理，获得第一石英舟；在真空状态下对所述第一石英舟进行加热处理获得熏碳石英舟。本发明实施例通过对石英舟的内壁进行熏碳处理，以使石英舟的内壁覆盖一层碳膜，使得在利用该石英舟对锑化铟进行提纯时能够保证石英舟不开裂，提高了多晶锭条的成品率，同时节约了成本。
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公开(公告)号：CN103236396A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310131975.3
申请日：2013-04-16
申请人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种外延InSb衬底的表面处理方法，包括：步骤1，清洗待处理的InSb晶片，并将清洗后的InSb晶片进行干燥处理；步骤2，配制腐蚀液，并将干燥处理后的InSb晶片放入腐蚀液中进行湿化学处理；其中，配制的腐蚀液为配比为0.05%～10%的溴-甲醇，或者，HNO3:HF:CH3COOH:DI H2O的配比为1～5：0.5～5：0.5～5：5～100的CP4体系溶液；步骤3，对湿化学处理后的InSb晶片进行冲洗，并将冲洗后的InSb晶片进行干燥处理，得到表面处理后的InSb晶片。本发明所述方法在去除晶片表面自然氧化层的同时，在表面形成一层新的氧化层，该氧化层厚度更薄，脱氧温度也大大降低。
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