发明公开
- 专利标题: 一种测试In材料中的杂质痕量元素含量的方法
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申请号: CN202311025582.4申请日: 2023-08-15
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公开(公告)号: CN117191537A公开(公告)日: 2023-12-08
- 发明人: 牛佳佳 , 刘朋超 , 王文燕 , 李乾 , 赵超 , 折伟林
- 申请人: 中国电子科技集团公司第十一研究所
- 申请人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路4号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第十一研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第十一研究所
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路4号
- 代理机构: 工业和信息化部电子专利中心
- 代理商 王斌
- 主分类号: G01N1/40
- IPC分类号: G01N1/40 ; G01N1/38 ; G01N27/626
摘要:
本发明提出了测试In材料中的杂质痕量元素含量的方法,其特征在于,方法包括:取In材料置于45%~55%的硝酸中,放置于22℃±5℃的环境静置24~72h,待溶液变得澄清透明,稀释以得到样品溶液;取浓度为100ppm的In储备溶液稀释10000倍,作为空白溶液;基于配置的工作参数,分别测定空白溶液和样品溶液中,各杂质痕量元素的响应强度;根据各杂质痕量元素的响应强度,按照对应的溶解比例确定实际的In材料中的痕量元素的含量。本发明实施例可以用于实现高纯(>5N)In的痕量元素定量化测试,使该项测试能够实现,进一步可用于协助实现锑化铟材料制备用高纯铟材料的质量可控。