被加工物的磨削方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109659226A

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201811176230.8

    申请日:2018-10-10

    Inventor: 掛札将树

    Abstract: 提供被加工物的磨削方法,防止在被加工物的背面上形成划痕或被加工物出现破裂。利用磨削磨具(42b)对在正面(Wa)上具有器件区域(Wa1)和外周剩余区域(Wa2)的被加工物(W)的背面(Wb)进行磨削的方法包含如下步骤:保护步骤,利用保护部件(T1)将被加工物的正面覆盖;保持步骤,利用卡盘工作台(30)的保持面(30a)对保护部件侧进行保持,该卡盘工作台通过相对于铅直方向以45度~180度的角度倾斜的旋转轴(33)而进行旋转;和磨削步骤,针对与器件区域对应的被加工物背面,一边提供磨削水一边利用通过垂直于保持面的旋转轴(40)而进行旋转的磨削磨具(42b)进行磨削,从而形成圆形凹部(Wb1)和围绕圆形凹部的环状加强部(Wb2),在磨削步骤中,通过被加工物的倾斜来促进含有脱落磨粒的磨削水的排出。

    加工装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107791115A

    公开(公告)日:2018-03-13

    申请号:CN201710767736.5

    申请日:2017-08-31

    Abstract: 提供一种加工装置,能够在晶片的被加工面上形成希望的去疵层而不用花费时间。加工装置(1)具有对磨削后的晶片(W)的被加工面进行研磨的研磨构件(60)和在晶片(W)的被加工面上形成去疵层的去疵层形成构件(70),去疵层形成构件(70)具有:旋转构件(71),其使在晶片(W)的被加工面上形成去疵层的去疵轮(72)与旋转构件(71)一起旋转;升降构件(75),其使去疵轮(72)与旋转构件(71)一起相对于保持工作台(3)的保持面(3a)在垂直方向上进行升降;以及水平移动构件(76),其使去疵轮(72)与旋转构件(71)一起相对于保持工作台(3)的保持面(3a)在水平方向上进行移动,因此能够通过与研磨构件(60)作为不同机构的去疵层形成构件(70)在短时间内在晶片(W)的被加工面上形成去疵层。

    封装基板的加工方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103579105B

    公开(公告)日:2018-01-23

    申请号:CN201310310927.0

    申请日:2013-07-23

    Inventor: 关家一马

    Abstract: 本发明提供一种封装基板的加工方法,其能够按每个封装器件可靠地吸引保持封装基板,将封装基板分割成一个一个封装器件而不会使封装器件飞散。一种封装基板的加工方法,其沿着多条分割预定线将由电极板和从电极板的背面侧灌封了器件的合成树脂层构成的封装基板分割成一个一个封装器件,该加工方法包括:内部应力释放工序,通过沿着所选择的分割预定线来切削封装基板的电极板来形成释放槽,从而释放封装基板的内部应力;树脂层平坦化工序,磨削封装基板的合成树脂层从而实现平坦化;和封装基板分割工序,沿着分割预定线对吸引保持在保持工作台上的封装基板进行分割。

    用于晶圆研磨的装置

    公开(公告)号:CN102886733B

    公开(公告)日:2018-01-05

    申请号:CN201210188917.X

    申请日:2012-06-08

    CPC classification number: B24B7/228 B24D7/14

    Abstract: 本发明涉及用于晶圆研磨的装置。其中,一种研磨砂轮包括:外部基底,具有附接的第一磨粒抛光垫;内部框架,具有附接的第二磨粒抛光垫;以及主轴,通过外部基底和内部框架共享该主轴,其中,外部基底和内部框架中在至少一个可以沿着共享的主轴独立的移动;以及其中,外部基底、内部框架、以及共享主轴均具有相同中心。一种研磨系统包括:上述研磨砂轮;和除了驱动研磨砂轮旋转的电机以外,还包括砂轮头,附接至共享的主轴,能够垂直移动;以及卡盘工作台,用于将晶圆固定在卡盘工作台的顶部;其中,研磨砂轮与卡盘工作台的一部分重叠,研磨砂轮和卡盘工作台均能够以另一个的相反方向旋转。

    硅芯线痕平磨修整装置及其修整工艺

    公开(公告)号:CN107511730A

    公开(公告)日:2017-12-26

    申请号:CN201710940511.5

    申请日:2017-10-11

    CPC classification number: B24B7/228 B24B7/07 B24B27/0076 B24B41/005 B24B41/02

    Abstract: 本发明涉及一种硅芯线痕平磨修整装置及其修整工艺,所述装置包括工作平台(1),所述工作平台(1)上左右平行设置有两个限位导条(2),两个限位导条(2)之间形成平磨轨道(3),所述工作平台(1)一侧设置有固定座(4),所述固定座(4)上沿竖直方向设置有滑轨(5),所述滑轨(5)上设置有滑座(6),所述滑座(6)上设置有电机(7),所述电机(7)输出端设置有平磨砂轮(8),所述平磨砂轮(8)位于平磨轨道(3)下方,所述平磨砂轮(8)上端略高于平磨轨道(3)。本发明一种硅芯线痕平磨修整装置及其修整工艺,它能够对硅芯表面因切割产生的线痕进行有效修整,大大提高了产品的质量。

    一种薄板圆板状工件的两面磨削装置

    公开(公告)号:CN107234509A

    公开(公告)日:2017-10-10

    申请号:CN201610188971.2

    申请日:2016-03-28

    Abstract: 本发明涉及机床领域,具体为一种薄板圆板状工件的两面磨削装置。该装置设有上下垂直方向上的上基座和下基座,上主轴支座固定在上基座上,上砂轮轴安装在上主轴支座上,上砂轮轴在上主轴支座上在垂直方向上上下移动,上砂轮固定在上砂轮轴的一端,上砂轮以铅直轴为中心进行回转运动;下主轴支座固定在下基座上,下砂轮轴安装在下主轴支座上,下砂轮轴在下主轴支座上在垂直方向上上下移动,下砂轮固定在下砂轮轴上,下砂轮以铅直轴为中心进行回转运动,上砂轮轴和下砂轮轴两个砂轮轴在垂直方向上延伸的中心线保持一致;本发明能够满足简单地测定加工后的工件平行度,适用于半导体晶片等形状的、对薄板圆板状工件的两面同时磨削。

    一种用于双面研磨抛光设备上的单面抛光系统

    公开(公告)号:CN106737128A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611046819.7

    申请日:2016-11-23

    CPC classification number: B24B37/102 B24B7/228 B24B37/30

    Abstract: 本发明公开了一种用于双面研磨抛光设备上的单面抛光系统,包括设置在双面研磨抛光设备上的上抛光盘和下抛光盘之间的游星轮,所述游星轮内设有通孔,该通孔中设有填充物,待抛光工件放置于游星轮的通孔内且该待抛光工件一端面与填充物接触,该填充物可设置在游星轮内上部与上抛光盘的抛光表面接触,或者设置在游星轮内下部与下抛光盘的抛光表面接触,并且上抛光盘或者下抛光盘上设置缓冲层,用于盖合游星轮。本发明在实现材料单面抛光的目的下,还能减少设备购置资金,降低加工成本。

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