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公开(公告)号：CN108081118B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201711121579.7
申请日：2017-11-14
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的加工方法，加工性良好并且能够高效地进行去疵层的形成。晶片的加工方法是使用了包含研磨用磨粒和去疵用磨粒这两种磨粒的研磨垫的晶片的加工方法。晶片的加工方法包含如下的工序：研磨工序(ST4)，一边对保持在以第1旋转速度旋转的卡盘工作台上的晶片提供碱性的研磨液，一边使以规定的速度旋转的研磨垫与该晶片抵接而进行研磨；以及去疵层形成工序(ST5)，维持研磨工序(ST4)中的使以规定的速度旋转的研磨垫与旋转的卡盘工作台上所保持的晶片抵接的状态，在研磨工序(ST4)之后连续地使卡盘工作台以比第1旋转速度小的第2旋转速度旋转，一边提供不与该晶片发生反应的液体一边在该晶片上形成去疵层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108081118A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711121579.7
申请日：2017-11-14
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B24B37/30 , B24B27/0023 , B24B27/0076 , B24B37/042 , B24B37/107 , B24B37/345 , B24B57/02
Abstract: 提供晶片的加工方法，加工性良好并且能够高效地进行去疵层的形成。晶片的加工方法是使用了包含研磨用磨粒和去疵用磨粒这两种磨粒的研磨垫的晶片的加工方法。晶片的加工方法包含如下的工序：研磨工序(ST4)，一边对保持在以第1旋转速度旋转的卡盘工作台上的晶片提供碱性的研磨液，一边使以规定的速度旋转的研磨垫与该晶片抵接而进行研磨；以及去疵层形成工序(ST5)，维持研磨工序(ST4)中的使以规定的速度旋转的研磨垫与旋转的卡盘工作台上所保持的晶片抵接的状态，在研磨工序(ST4)之后连续地使卡盘工作台以比第1旋转速度小的第2旋转速度旋转，一边提供不与该晶片发生反应的液体一边在该晶片上形成去疵层。
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公开(公告)号：CN107791115A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710767736.5
申请日：2017-08-31
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B24B7/228 , B24B27/0023 , B24B27/0069 , B24B27/0076 , B24B37/10 , B24B37/34 , B24B37/345
Abstract: 提供一种加工装置，能够在晶片的被加工面上形成希望的去疵层而不用花费时间。加工装置(1)具有对磨削后的晶片(W)的被加工面进行研磨的研磨构件(60)和在晶片(W)的被加工面上形成去疵层的去疵层形成构件(70)，去疵层形成构件(70)具有：旋转构件(71)，其使在晶片(W)的被加工面上形成去疵层的去疵轮(72)与旋转构件(71)一起旋转；升降构件(75)，其使去疵轮(72)与旋转构件(71)一起相对于保持工作台(3)的保持面(3a)在垂直方向上进行升降；以及水平移动构件(76)，其使去疵轮(72)与旋转构件(71)一起相对于保持工作台(3)的保持面(3a)在水平方向上进行移动，因此能够通过与研磨构件(60)作为不同机构的去疵层形成构件(70)在短时间内在晶片(W)的被加工面上形成去疵层。
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公开(公告)号：CN118231285A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311665148.2
申请日：2023-12-05
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供带粘贴装置，其与以往的带粘贴装置相比能够施加适当的压力而使保护带紧贴于被加工物。该带粘贴装置在板状的被加工物的第一面上粘贴保护带，其中，该带粘贴装置包含：卡盘工作台，其具有对被加工物的第二面侧进行保持的保持面；柱状的辊，其具有呈曲面状构成的侧面；支承构造，其按照辊能够绕辊的轴心旋转的方式对辊的两端部进行支承；以及移动机构，其使卡盘工作台与支承构造相对地移动，辊的侧面或/和卡盘工作台的保持面构成为能够抑制从辊向第一面的压力的偏差的形状，该压力的偏差是因辊的侧面隔着保护带而被推抵于被加工物的第一面侧时的辊的变形而产生的。
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公开(公告)号：CN117415692A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202310833301.1
申请日：2023-07-07
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供被加工物的磨削方法，能够抑制磨削被加工物所需的时间变长。在进行无火花磨削的停止步骤之前，实施如下的分离步骤：维持多个磨削磨具与被加工物接触的状态不变、使移动机构进行动作而使卡盘工作台与磨削磨轮分离。而且，在分离步骤中，磨削载荷减少。因此，与未实施分离步骤的情况相比，完成无火花磨削所需的时间缩短，能够抑制磨削被加工物所需的时间变长。
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公开(公告)号：CN107791115B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201710767736.5
申请日：2017-08-31
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供一种加工装置，能够在晶片的被加工面上形成希望的去疵层而不用花费时间。加工装置(1)具有对磨削后的晶片(W)的被加工面进行研磨的研磨构件(60)和在晶片(W)的被加工面上形成去疵层的去疵层形成构件(70)，去疵层形成构件(70)具有：旋转构件(71)，其使在晶片(W)的被加工面上形成去疵层的去疵轮(72)与旋转构件(71)一起旋转；升降构件(75)，其使去疵轮(72)与旋转构件(71)一起相对于保持工作台(3)的保持面(3a)在垂直方向上进行升降；以及水平移动构件(76)，其使去疵轮(72)与旋转构件(71)一起相对于保持工作台(3)的保持面(3a)在水平方向上进行移动，因此能够通过与研磨构件(60)作为不同机构的去疵层形成构件(70)在短时间内在晶片(W)的被加工面上形成去疵层。
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