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公开(公告)号：CN111293054B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN201911189953.6
申请日：2019-11-28
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/67 , H01L21/304
Abstract: 提供保护部件形成装置，能够在片不起皱的情况下将该片载置于载台上。该保护部件形成装置包含：载台，其对片进行载置，具有被框体围绕的卡盘工作台；多个空气提供口，它们分别形成于框体，与空气提供源连通；能够移动的保持单元，其与载台面对，对晶片进行保持；树脂提供单元，其向片上提供液态树脂；以及按压垫，其被支承为能够在与片面对的位置沿上下方向移动。按压垫在比多个空气提供口靠内侧的区域与载置于载台上的片的一部分接触而对片进行按压。
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公开(公告)号：CN112309934B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202010716599.4
申请日：2020-07-23
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 关家一马
IPC: H01L21/677
Abstract: 提供搬运系统，其对多个加工装置分别搬运被加工物，其构建容易。搬运系统对多个加工装置分别搬运被加工物，其包含：线路，其在多个加工装置的整个范围内固定于加工装置的上部；无人搬运车，其沿线路行驶，具有收纳部、行驶部、行驶机构、升降机构以及接收机，其中，收纳部具有对被加工物进行收纳的收纳空间，行驶部从上方与收纳部连结，行驶机构设置于行驶部，升降机构配置于行驶部，从上方悬吊收纳部而使收纳部升降，该无人搬运车的该接收机接收控制信号；贮存单元，其具有收纳部保持台和接收机，收纳部保持台在从收纳有被加工物的被加工物贮存器向无人搬运车的收纳部交接被加工物时对收纳部进行保持，该贮存单元的该接收机接收控制信号。
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公开(公告)号：CN111128840B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201911010540.7
申请日：2019-10-23
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/683
Abstract: 提供晶片的扩展方法和晶片的扩展装置，将器件彼此的长边方向间隔和短边方向间隔均等地扩展。该方法将在由多条分割预定线划分的多个区域内分别形成有长方形的器件的晶片扩展，将相邻的器件间的间隔扩大，该方法包含：治具准备工序，准备具有椭圆开口部的环状治具，椭圆开口部具有：供器件的短边所排列的方向的露出粘接带粘贴而对露出粘接带的宽度进行限制的短轴部；和供器件的长边所排列的方向的露出粘接带粘贴的长轴部，其与短轴部相比将露出粘接带的宽度限制得较宽；和扩展工序，通过具有与晶片的外周对应的外周的圆筒状推压部件从粘接带侧推压晶片而使晶片远离环状框架，对晶片与环状框架之间的露出粘接带进行扩展，将相邻的器件间的间隔扩大。
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公开(公告)号：CN111146084B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN201911059193.7
申请日：2019-11-01
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 铃木克彦
IPC: H01L21/304 , H10D30/60 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种带金属膜的半导体器件的制造方法，降低安装电磁波屏蔽件所需的空间。带金属膜的半导体器件的制造方法具备：切削槽形成步骤，使切削刀具切入至被加工物的第1面，沿着分割预定线形成深度超过被加工物的完工厚度的切削槽；保护部件粘贴步骤，在切削槽形成步骤后，在被加工物的第1面上粘贴保护部件；磨削步骤，隔着保护部件利用卡盘工作台保持被加工物，对第2面侧进行磨削直至被加工物达到完工厚度为止，由此将被加工物分割成多个半导体器件；金属膜被覆步骤，在磨削步骤后，在第1面侧粘贴有保护部件的多个半导体器件的各侧面和磨削后的第2面侧被覆金属膜；以及保护部件除去步骤，在金属膜被覆步骤后，从第1面侧除去保护部件。
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公开(公告)号：CN111128839B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN201911009980.0
申请日：2019-10-23
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/683
Abstract: 提供晶片的扩展方法和晶片的扩展装置，将器件彼此的长边方向间隔和短边方向间隔均等地扩展。对在由多条分割预定线划分的多个区域内分别形成有长方形的器件的晶片进行扩展，将相邻的器件间的间隔扩大，晶片的扩展方法包含如下工序：治具准备工序，准备具有初期限制部、末期限制部和将初期限制部和末期限制部连结的弯曲限制部的环状治具；固定工序，将环状框架载置于圆筒状框架固定件上，将环状治具载置于环状框架上，将环状框架和环状治具固定在圆筒状框架固定件上；和扩展工序，通过具有与晶片的外周对应的外周的圆筒状推压部件从粘接带侧推压晶片而使晶片远离环状框架，对处于晶片与环状框架之间的露出粘接带进行扩展，将相邻的器件间的间隔扩大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111063608B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN201910977745.6
申请日：2019-10-15
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 木内逸人
IPC: H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 提供晶片的加工方法，即使对晶片的背面进行加工也不会使器件的品质降低。该晶片的加工方法对由分割预定线(12)划分而在正面(10a)上形成有多个器件(11)的晶片(10)的背面(10b)进行加工，其中，至少包含如下工序：晶片配设工序，在上表面(22)形成为平坦的支承工作台(20)的上表面上铺设大小为晶片的形状以上的聚烯烃系片或聚酯系片中的任意片材(14)，并且在片材的上表面上铺设直径小于晶片的剥离层(16)，将晶片的正面定位于片材的上表面而进行配设；片材热压接工序，在密闭环境内对隔着片材和剥离层而配设于支承工作台的晶片进行减压并对片材进行加热，并且对晶片进行按压而将晶片的外周热压接在片材上；加工工序，对晶片的背面实施加工；以及剥离工序，将片材从晶片剥离。
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公开(公告)号：CN108933098B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN201810477901.8
申请日：2018-05-18
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔
IPC: H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 处理晶圆的方法和保护膜。本发明涉及一种处理晶圆的方法，该晶圆在一侧具有器件区域，该器件区域具有多个器件。该方法包括提供保护膜并且将用于覆盖晶圆上的器件的保护膜施加到晶圆的所述一侧，使得保护膜的前表面与晶圆的所述一侧直接接触。该方法还包括在将保护膜施加到晶圆的所述一侧期间和/或之后对保护膜加热，使得保护膜附接到晶圆的所述一侧，并且处理晶圆的与所述一侧相反的侧。此外，本发明涉及一种处理这种晶圆的方法，其中液体粘合剂仅被分配到保护膜的周边部分上和/或仅被分配到晶圆的周边部分上。
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公开(公告)号：CN119069342A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410654006.4
申请日：2024-05-24
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法和倒角部去除装置，能够在实施基于磨削装置的磨削加工之前有效地从晶片的外周去除倒角部。该晶片的加工方法对具有有效区域以及位于围绕该有效区域的外周的端部的倒角部的晶片进行加工，其中，该晶片的加工方法包含如下的工序：改质层形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于该有效区域与该倒角部的边界部的内部而进行照射，沿着该倒角部而形成改质层；倒角部去除工序，对该晶片的有效区域进行保持，对晶片的外周赋予外力而去除倒角部；以及加工工序，对去除了该倒角部的晶片的背面进行磨削而加工成期望的厚度。
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公开(公告)号：CN112059933B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202010465911.7
申请日：2020-05-28
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 相川弘树
Abstract: 提供环状磨具，其高品质地切削硬质材料。该环状磨具具有磨具部，该磨具部包含结合材料和分散固定在该结合材料中的磨粒，该结合材料包含锡镍合金。优选锡在所述锡镍合金中的含有率为57wt％以上且不足75wt％。另外，优选该环状磨具由所述磨具部构成。或者，该环状磨具还具有环状基台，该环状基台具有把持部，所述磨具部在该环状基台的外周缘露出。环状磨具具有使用了包含锡镍合金的结合材料的磨具部，该环状磨具在对硬质材料进行切削时积极地产生自发磨锐的作用，因此切削能力得到维持。
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