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公开(公告)号：CN102085639A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010539654.3
申请日：2010-11-09
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供一种晶片的加工装置，能够与粗磨削工序和精磨削工序同步地得到表面精度与晶片的种类对应的研磨面。晶片的加工装置具备：转动工作台，其配设成能够旋转，并且能够沿晶片搬入搬出区域、粗磨削区域、精磨削区域和研磨区域适当旋转；四个卡盘工作台，它们配设于转动工作台并具有保持面；晶片搬入搬出构件，其将晶片相对于卡盘工作台进行搬入搬出；粗磨削构件，其对片实施粗磨削加工；精磨削构件，其对晶片实施精磨削加工；第一研磨构件，其对在定位于研磨区域的卡盘工作台上保持的晶片实施第一研磨加工，该晶片的加工装置具有第二研磨构件，其对在定位于晶片搬入搬出区域的卡盘工作台上保持的、实施过第一研磨加工的晶片实施第二研磨加工。
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公开(公告)号：CN108081118A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711121579.7
申请日：2017-11-14
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B24B37/30 , B24B27/0023 , B24B27/0076 , B24B37/042 , B24B37/107 , B24B37/345 , B24B57/02
Abstract: 提供晶片的加工方法，加工性良好并且能够高效地进行去疵层的形成。晶片的加工方法是使用了包含研磨用磨粒和去疵用磨粒这两种磨粒的研磨垫的晶片的加工方法。晶片的加工方法包含如下的工序：研磨工序(ST4)，一边对保持在以第1旋转速度旋转的卡盘工作台上的晶片提供碱性的研磨液，一边使以规定的速度旋转的研磨垫与该晶片抵接而进行研磨；以及去疵层形成工序(ST5)，维持研磨工序(ST4)中的使以规定的速度旋转的研磨垫与旋转的卡盘工作台上所保持的晶片抵接的状态，在研磨工序(ST4)之后连续地使卡盘工作台以比第1旋转速度小的第2旋转速度旋转，一边提供不与该晶片发生反应的液体一边在该晶片上形成去疵层。
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公开(公告)号：CN107791115A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710767736.5
申请日：2017-08-31
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B24B7/228 , B24B27/0023 , B24B27/0069 , B24B27/0076 , B24B37/10 , B24B37/34 , B24B37/345
Abstract: 提供一种加工装置，能够在晶片的被加工面上形成希望的去疵层而不用花费时间。加工装置(1)具有对磨削后的晶片(W)的被加工面进行研磨的研磨构件(60)和在晶片(W)的被加工面上形成去疵层的去疵层形成构件(70)，去疵层形成构件(70)具有：旋转构件(71)，其使在晶片(W)的被加工面上形成去疵层的去疵轮(72)与旋转构件(71)一起旋转；升降构件(75)，其使去疵轮(72)与旋转构件(71)一起相对于保持工作台(3)的保持面(3a)在垂直方向上进行升降；以及水平移动构件(76)，其使去疵轮(72)与旋转构件(71)一起相对于保持工作台(3)的保持面(3a)在水平方向上进行移动，因此能够通过与研磨构件(60)作为不同机构的去疵层形成构件(70)在短时间内在晶片(W)的被加工面上形成去疵层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108081118B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201711121579.7
申请日：2017-11-14
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的加工方法，加工性良好并且能够高效地进行去疵层的形成。晶片的加工方法是使用了包含研磨用磨粒和去疵用磨粒这两种磨粒的研磨垫的晶片的加工方法。晶片的加工方法包含如下的工序：研磨工序(ST4)，一边对保持在以第1旋转速度旋转的卡盘工作台上的晶片提供碱性的研磨液，一边使以规定的速度旋转的研磨垫与该晶片抵接而进行研磨；以及去疵层形成工序(ST5)，维持研磨工序(ST4)中的使以规定的速度旋转的研磨垫与旋转的卡盘工作台上所保持的晶片抵接的状态，在研磨工序(ST4)之后连续地使卡盘工作台以比第1旋转速度小的第2旋转速度旋转，一边提供不与该晶片发生反应的液体一边在该晶片上形成去疵层。
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公开(公告)号：CN103903975B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201310721982.9
申请日：2013-12-24
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种板状物的加工方法。在对板状物进行磨削并对被磨削面进行蚀刻的加工方法中，即使是蚀刻速率有波动的情况下，也能够将板状物精加工得平坦。以规定的蚀刻方法对平坦的板状物（1）进行蚀刻，预先把握蚀刻后的板状物（1）的形状，在磨削步骤中，将板状物磨削成为非平坦形状的磨削完成形状，该磨削完成形状是通过使所述蚀刻后的板状物的形状反转成相反的形状而得到的。当对被磨削面实施了基于随后的规定的蚀刻方法的蚀刻，板状物（1）形成为厚度均匀的平坦形状。
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公开(公告)号：CN103903975A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201310721982.9
申请日：2013-12-24
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B1/00 , B24B7/04 , H01L21/30625
Abstract: 本发明提供一种板状物的加工方法。在对板状物进行磨削并对被磨削面进行蚀刻的加工方法中，即使是蚀刻速率有波动的情况下，也能够将板状物精加工得平坦。以规定的蚀刻方法对平坦的板状物（1）进行蚀刻，预先把握蚀刻后的板状物（1）的形状，在磨削步骤中，将板状物磨削成为非平坦形状的磨削完成形状，该磨削完成形状是通过使所述蚀刻后的板状物的形状反转成相反的形状而得到的。当对被磨削面实施了基于随后的规定的蚀刻方法的蚀刻，板状物（1）形成为厚度均匀的平坦形状。
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公开(公告)号：CN107791115B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201710767736.5
申请日：2017-08-31
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供一种加工装置，能够在晶片的被加工面上形成希望的去疵层而不用花费时间。加工装置(1)具有对磨削后的晶片(W)的被加工面进行研磨的研磨构件(60)和在晶片(W)的被加工面上形成去疵层的去疵层形成构件(70)，去疵层形成构件(70)具有：旋转构件(71)，其使在晶片(W)的被加工面上形成去疵层的去疵轮(72)与旋转构件(71)一起旋转；升降构件(75)，其使去疵轮(72)与旋转构件(71)一起相对于保持工作台(3)的保持面(3a)在垂直方向上进行升降；以及水平移动构件(76)，其使去疵轮(72)与旋转构件(71)一起相对于保持工作台(3)的保持面(3a)在水平方向上进行移动，因此能够通过与研磨构件(60)作为不同机构的去疵层形成构件(70)在短时间内在晶片(W)的被加工面上形成去疵层。
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公开(公告)号：CN102085639B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201010539654.3
申请日：2010-11-09
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供一种晶片的加工装置，能够与粗磨削工序和精磨削工序同步地得到表面精度与晶片的种类对应的研磨面。晶片的加工装置具备：转动工作台，其配设成能够旋转，并且能够沿晶片搬入搬出区域、粗磨削区域、精磨削区域和研磨区域适当旋转；四个卡盘工作台，它们配设于转动工作台并具有保持面；晶片搬入搬出构件，其将晶片相对于卡盘工作台进行搬入搬出；粗磨削构件，其对片实施粗磨削加工；精磨削构件，其对晶片实施精磨削加工；第一研磨构件，其对在定位于研磨区域的卡盘工作台上保持的晶片实施第一研磨加工，该晶片的加工装置具有第二研磨构件，其对在定位于晶片搬入搬出区域的卡盘工作台上保持的、实施过第一研磨加工的晶片实施第二研磨加工。
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