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公开(公告)号：CN119567121A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411753468.8
申请日：2024-12-02
Applicant: 东莞励治研磨科技有限公司
IPC: B24D18/00 , B24B37/20 , B24B37/24 , D06N3/14 , D06N3/00 , D06M15/564 , D06M15/643 , D06M15/227 , D06M15/333 , D06M11/44 , D06M11/79 , D06M15/53 , D06M15/03 , D06M101/32
Abstract: 本申请涉及研磨材料领域，公开一种无纺布研磨垫的制备工艺及产品。一种无纺布研磨垫的制备工艺，包括以下步骤：S1、使用预处理剂对干法成型的聚酯无纺布进行浸泡处理，制得预处理聚酯无纺布；S2、使用水性聚氨酯浸渍液对预处理聚酯无纺布进行浸渍处理，辊压、干燥，制得浸渍聚酯无纺布；S3、将制得的浸渍聚酯无纺布进行定型、磨毛、开槽、水洗、干燥，制得无纺布研磨垫；本申请的制备工艺通过对干法成型的聚酯无纺布进行先预处理、后浸渍、定型、磨毛和开槽的制备工艺，制备得到的无纺布研磨垫在研磨过程中，研磨液具有较好的流通和渗透性能，研磨效率高，研磨垫的使用寿命长。
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公开(公告)号：CN119501806A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411538308.1
申请日：2024-10-31
Applicant: 华海清科股份有限公司
Abstract: 本发明涉及晶圆抛光方法及设备、数据处理设备、程序、存储介质。所述抛光方法包括：装载待抛光的晶圆；读入第一抛光配方，依照其对晶圆进行初级抛光；检测晶圆的全部分区的晶圆参数，判断晶圆的全部分区的晶圆参数是否都达标，都达标则卸载晶圆、未都达标则通过动态调整模型根据晶圆参数得到第二抛光配方，基于第二抛光配方对晶圆的未达标的分区进行二级抛光，然后返回重新检测晶圆的分区的晶圆参数，直到判断晶圆的全部分区的晶圆参数都达标，卸载抛光完毕的晶圆。本发明能够在晶圆抛光过程中实现多区自动触发以时间‑压力自动联合调节的返工功能，避免了对整个晶圆进行重复处理，降低了材料消耗和成本。
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公开(公告)号：CN119427201A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411023365.6
申请日：2024-07-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种研磨装置，能够防止研磨液的磨粒、工件的研磨屑附着于光学传感器头，提高工件的膜厚的测定精度。研磨装置具备：研磨台(3)，该研磨台支承形成有通孔(4)的研磨垫(2)；光学膜厚测定系统(20)，该光学膜厚测定系统具有安装于研磨台(3)的光学传感器头(25)；透明液流入路(50)，该透明液流入路向通孔(4)供给透明液；以及与通孔(4)连通的投光侧透明液流出路(51)及受光侧透明液流出路(52)。光学传感器头(25)具有向斜上方发出光的投光面(71)和接收来自工件(W)的反射光的受光面(72)，投光面(71)面向投光侧透明液流出路(51)，受光面(72)面向受光侧透明液流出路(52)。
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公开(公告)号：CN119427197A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411020854.6
申请日：2024-07-29
Applicant: AGC株式会社
Inventor： 藤川祥太朗
Abstract: 本发明涉及一种研磨垫及玻璃板的制造方法，该研磨垫研磨玻璃板的表面，其特征在于，研磨垫具有多个凸状列部，多个凸状列部在与凸状列部延伸的方向X正交的方向Y上隔开间隔地配置，凸状列部由沿着方向X延伸的凸台或互相离散地沿着方向X配置的多个凸台构成，凸状列部的宽度W为0.5~5mm，凸状列部彼此的间隔G为0.5~5mm，通过测定方法P而得到的变化率D为10N/mm以下。
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公开(公告)号：CN119427121A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411741658.8
申请日：2024-11-29
Applicant: 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 , 西安欣芯材料科技有限公司
Inventor： 刘志康
Abstract: 本发明提供了一种研磨设备，属于半导体技术领域。包括：本体，呈顶部开口的圆柱形结构，所述本体内部设有容置空间，所述本体的侧壁上开设有安装孔；研磨垫，设置在所述容置空间内，所述研磨垫用于对硅片的边缘进行研磨；安装支架，包括：第一连接件和第二连接件，所述第一连接件设置在所述本体的外部，所述第一连接件与第二连接件固定连接，所述第二连接件穿设于所述安装孔中，并与所述研磨垫连接；配重块，设置在所述本体的外部，并与所述第一连接件固定连接；盖体，设置在所述本体的顶部开口处，所述盖体用于封闭所述容置空间。本发明的技术方案解决了现有技术中硅片研磨工具的研磨效果较差的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118700017B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202410979172.1
申请日：2024-07-22
Applicant: 沈阳工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于电助光催化抛光大尺寸金刚石的抛光盘，包括支撑盘、接触盘、光源、过孔式电液滑环、电源供应部件和液体供应部件。抛光盘为中空式抛光盘，上表面设置有许多通孔且上表面设置有多圈环槽；光源设置在抛光盘中间，光源发出的光照射范围为待抛光金刚石的待抛光面；过孔式电液滑环设置在抛光盘上方，向抛光盘供应电源和液体并传递运动；液体供应部分，用于向光源提供冷却液并回收废液；在抛光过程中，待抛光金刚石的待抛光面浸润在抛光液中；光源发出的光照射在待抛光表面，同一时刻发生氧化反应以及抛光垫对金刚石表面的研磨反应。本发明实施例可以提高金刚石的材料去除率和表面质量。
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公开(公告)号：CN119304781A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411540617.2
申请日：2024-10-31
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
Inventor： 张文军
IPC: B24B49/12 , B24B49/10 , B24B37/005 , B24B37/04 , B24B37/20
Abstract: 本发明涉及一种用于检测抛光垫及提高双面抛光平坦度装置及其控制方法，所属硅片加工技术领域，包括抛光定盘，所述的抛光定盘上设有抛光垫，所述的抛光定盘外侧设有机械臂，所述的机械臂下端与抛光布间设有检测工具。所述的检测工具包括工具防护壳体，所述的工具防护壳体内设有若干朝下对抛光垫进行检测的激光显微镜，所述的激光显微镜侧边均设有厚度测量传感器。具有结构简单、操作便捷和运行稳定性好的特点。解决了抛光过程中去除不均匀和加工过程出现平坦度波动的问题。对抛光垫进行多种检测，通过检测评价提高硅片加工的平坦度及稳定性。
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公开(公告)号：CN119260586A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411538305.8
申请日：2024-10-31
Applicant: 华海清科股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种抛光头、抛光设备、抛光方法、处理器及存储介质。其中抛光头包括：基座；保持环，设置于基座下方；抛光头气膜，设置于基座且置于保持环内侧，用于固持晶圆；保持环气膜，设置于保持环内侧且置于保持环和抛光头气膜之间，保持环气膜加压膨胀时与晶圆的边缘相接触，以对晶圆的边缘施加作用力，作用力在晶圆的边缘形成径向夹紧力和轴向下压力。本申请通过保持环气膜对晶圆的边缘施加径向夹紧力和轴向下压力，该径向夹紧力可夹持晶圆，防止晶圆在抛光过程中移动，减低了滑片的风险；该轴向下压力可在晶圆抛光过程中对晶圆的边缘施加压紧力，可以更精准地控制晶圆边缘的抛光效果，保证了整个晶圆表面的抛光一致性。
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公开(公告)号：CN119217255A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411147173.6
申请日：2024-08-20
Applicant: 北京晶亦精微科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶圆边缘缺陷修复装置及修复方法，包括防护壳、承载台、抛光头、研磨液喷嘴以及清洗喷嘴，承载台转动连接于防护壳内，承载台的顶面上设有研磨环垫，研磨环垫靠近承载台的外周边缘设置，防护壳的底部设有旋转驱动件，研磨液喷嘴设置于防护壳的内周壁上、用于喷淋研磨液至承载台上，清洗喷嘴嵌装于承载台的顶面、用于清洗晶圆的底面。本发明提供的晶圆边缘缺陷修复装置，承载台上的研磨环垫对晶圆的边缘位置进行修复研磨，还可以借助清洗喷嘴对晶圆底面进行有效清洁，满足了晶圆边缘修复以及晶圆冲洗的双重功能，不仅能研磨掉晶圆边缘位置的边缘残留物，还能够及时清洗晶圆表面的研磨残留物及化学残留物，有助于提高产品良率。
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公开(公告)号：CN119098895A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411262012.1
申请日：2024-09-09
Applicant: 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC: B24B37/013 , B24B37/005 , B24B37/10 , B24B37/20 , B24B37/34 , B24B49/12
Abstract: 本发明涉及抛光终点检测技术领域，公开了一种抛光终点检测系统、方法、控制器及化学机械抛光设备，抛光终点检测系统包括离子发生器、光谱仪和控制器；离子发生器，设置在抛光盘内，用于发射离子束，离子发生器射出离子束的表面朝向晶圆中抛光停止层所在表面，离子束用于诱导抛光停止层中的电子进入激发态；光谱仪，设置在抛光盘内，且位于离子发生器的侧边，用于检测电子从激发态回到基态时发出的光形成的目标光谱，并向控制器发送目标光谱；控制器，用于控制离子发生器发射离子束，用于接收目标光谱，以及用于根据目标光谱和预设光谱确定是否达到抛光终点。本发明可以尽可能忽略抛光环境因素的影响，提升抛光终点检测的准确性。
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