公开(公告)号：CN119546417A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202380053519.3

申请日：2023-05-12

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 斋藤步

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  B24B37/30 ,  B24B41/06 ,  B24B47/22 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提出一种用于对应各种尺寸的基板来进行研磨的基板研磨方法等。提出一种基板研磨方法，是通过研磨装置进行的基板研磨方法，该研磨装置具备：具有研磨面的研磨台、用于保持基板并将基板按压于所述研磨面的顶环及使所述顶环上下移动的上下移动机构。该方法包含如下步骤：获取步骤，获取关于所述基板的厚度的信息；位置调整步骤，基于获取的关于所述基板的厚度的信息，调整所述顶环相对于所述研磨台的高度位置；及研磨步骤，通过对顶环的压力室供给压力流体而将所述基板按压于所述研磨面，由此研磨所述基板。

公开(公告)号：CN119526257A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411212017.3

申请日：2024-08-30

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 八木圭太 ,  盐川阳一 ,  铃木佑多

IPC: B24B37/013 ,  B24B49/10 ,  B24B49/12 ,  B24B37/10 ,  B24B7/22

Abstract: 本发明提供一种改善了测定范围内的膜厚分布的精度的膜厚信号处理装置、研磨装置及膜厚信号处理方法。膜厚信号处理装置具有接收部和校正部。接收部接收从电涡流传感器输出的传感器数据来生成第一膜厚数据(168)和第二膜厚数据(172)。校正部校正由接收部生成的第一膜厚数据和第二膜厚数据。校正部基于在电涡流传感器的一次测定中作为测定对象的研磨对象物上的测定范围(174、176)的尺寸、在研磨对象物上的第一测定点(146)测定出的第一膜厚数据和在研磨对象物上的第二测定点(148)测定出的第二膜厚数据来求出校正后的膜厚数据(166)。第一测定点和第二测定点之间的距离为测定范围的尺寸以下。

公开(公告)号：CN119489394A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411714559.0

申请日：2024-11-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 李佳祺 ,  吴昱江

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  B24B55/06 ,  B24B49/02 ,  F26B21/00

Abstract: 本发明提供了一种石英晶片自动研磨、清洗及测厚系统，涉及石英晶片加工技术领域。包括：扫描枪用于对待研磨的石英晶片二维码进行扫描以获取研磨相关数据，触摸屏用于对当前的研磨相关数据进行显示，研磨机用于对待研磨的石英晶片进行研磨，得到研磨后的石英晶片，计圈模块用于对研磨机的研磨圈数进行计数，清洗烘干模块用于对研磨后的石英晶片进行清洗和烘干，得到清洗后的石英晶片，测厚模块用于对清洗后的石英晶片进行厚度测量，得到厚度数据，圈数计算模块用于根据当前的厚度数据、预设厚度数据和研磨前的厚度数据进行计算，得到研磨指令和研磨速率及待研磨圈数，本发明解决了现有技术中测量晶片厚度精度不高的问题。

公开(公告)号：CN119115781B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411585590.9

申请日：2024-11-08

Applicant: 江苏元夫半导体科技有限公司

Inventor： 请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名

IPC: B24B37/013 ,  G06F18/213 ,  G06F18/214 ,  G06F18/2413 ,  G06F18/25

Abstract: 本申请实施例公开了一种抛光终点检测方法、装置、电子设备及存储介质，应用于化学机械抛光设备，该化学机械抛光设备包括驱动电机及抛光盘，驱动电机用于驱动抛光盘旋转，该方法包括：在对晶圆进行化学机械抛光的过程中，采集驱动电机驱动抛光盘旋转预设圈数对应的扭矩信号；根据扭矩信号提取扭矩特征，得到扭矩特征集合；该扭矩特征集合包括扭矩信号对应的频域特征、时域特征以及时频域特征中的至少一个；通过抛光终点检测模型对扭矩特征集合进行分析，确定抛光终点检测结果，该抛光终点检测结果用于表征是否到达抛光终点，从而能够在对晶圆进行化学机械抛光的过程中，准确地识别是否到达抛光终点，提高了抛光终点检测的准确性。

公开(公告)号：CN119343749A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202380044990.6

申请日：2023-04-06

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 宫崎裕司

IPC: H01L21/304 ,  B24B1/00 ,  B24B37/013 ,  B24B37/08 ,  G05B19/418 ,  H01L21/02

Abstract: 管理装置(20)具备对多个晶片加工装置(1)进行管理的控制部(22)。控制部(22)基于由各晶片加工装置(1)加工后的晶片的加工后特性与规定品种的晶片的规格的中心值的距离，从多个晶片加工装置(1)之中决定分配给规定品种的晶片的加工的晶片加工装置(1)。

公开(公告)号：CN119212826A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202380039820.9

申请日：2023-03-08

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 吉田笃史 ,  石井游 ,  中西正行

IPC: B24B37/005 ,  B24B7/00 ,  B24B21/00 ,  B24B37/013 ,  B24B37/10 ,  B24B37/32 ,  B24B41/06 ,  B24B49/10 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

Abstract: 基板研磨装置是对基板的处理面进行研磨处理的基板研磨装置，具备：配置有第一磨削部件和最大径比所述第一磨削部件大的第二磨削部件的磨削组件；包含研磨部件的研磨组件；及控制所述磨削组件和所述研磨组件的控制装置，所述控制装置以通过所述第一磨削部件对所述处理面的一部分进行第一磨削、及通过所述第二磨削部件对所述处理面进行第二磨削的方式控制所述磨削组件，并以对进行了所述第一磨削和所述第二磨削的所述处理面进行研磨的方式控制所述研磨组件。

公开(公告)号：CN112108994B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN201910544450.X

申请日：2019-06-21

Applicant: 清华大学

Inventor： 赵德文

IPC: B24B37/12 ,  B24B37/14 ,  B24B41/04 ,  B24B37/013 ,  B24B49/10 ,  B24B49/16

Abstract: 本发明涉及化学机械抛光后处理技术领域，公开了一种用于化学机械抛光的承载头，包括连轴盘、平衡架、承载盘、柔性膜、环状压盘，所述平衡架的中轴部可滑动地设置于连轴盘的中心通孔内并通过其底盘部及翼缘部带动承载盘相对于连轴盘上下移动，所述柔性膜的一部分被环状压盘夹紧至承载盘下部以形成可调压腔室，所述平衡架的一部分由非金属材料制成。

公开(公告)号：CN118990319A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411331290.8

申请日：2024-09-24

Applicant: 武汉颐光科技有限公司

Inventor： 方毅 ,  张琪

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/013 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B49/12 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明提供一种应用于CMP设备的EPD装置，包括光源、第一光谱仪、传感器、信号发生器和处理模块，光源产生测量光且光源为闪烁光；当传感器感知到研磨盘的第一旋转位置时，向信号发生器发送开始信号，信号发生器产生光源触发信号，光源点亮，光源触发信号为脉冲序列信号；经过预设延迟时间后，产生光谱仪触发信号，触发第一光谱仪采集测量光谱；处理模块基于测量光谱计算样品上的膜层厚度，根据膜层厚度进行研磨终止检测。本发明考虑了光源触发信号和光谱仪触发信号存在的时间延迟差异，可以保证在一定时间内不会让光源的单次点亮过程偏移至光谱仪的单帧采集时间以外，降低光谱仪采集到错误光谱的可能性，提高终点检测装置的终点判断准确率。

公开(公告)号：CN118418034A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410895834.7

申请日：2024-07-05

Applicant: 江苏元夫半导体科技有限公司

Inventor： 请求不公布姓名

IPC: B24B37/013 ,  B24B49/12 ,  H01L21/66

Abstract: 本申请实施例公开了一种化学机械抛光的光学终点检测方法及相关设备，该方法包括：在化学机械抛光过程中，获取采集的反射相干光谱数据，并根据反射相干光谱数据得到反射相干光谱曲线；在反射相干光谱曲线上选取一段波长区域，在该段波长区域内，标定反射相干光谱曲线的特征极值，以及获取目标相干级数；对比目标相干级数与预设的标准终点光谱曲线的标准相干级数是否相等；若两者相等，获取反射相干光谱曲线与标准终点光谱曲线的差异，根据差异进行光学终点检测；本申请能够准确快速分析出是否真正到达抛光终点，不会受到电源电压波动、温度变化等因素的影响，检测精确度较高、检测效率高。

公开(公告)号：CN118338987A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202280083258.5

申请日：2022-12-02

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 天海史郎 ,  桥本浩昌

IPC: B24B37/013 ,  B24B37/08 ,  B24B37/12 ,  B24B37/26 ,  B24B49/04 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明是一种双面研磨装置，其是具有上平台及下平台的晶圆的双面研磨装置，其特征在于，在所述上平台中，在旋转中心与周缘之间设置有多个平台贯通孔，且在所述上平台的与所述下平台对置的研磨面上设置有研磨布，在所述研磨布中，在与所述多个平台贯通孔对应的位置设置有孔，该孔具有所述平台贯通孔的直径以上的大小的直径，在所述上平台的所述贯通孔的每一个中插入有树脂制的中空塞，该中空塞的上表面设置有窗材并且在所述研磨面侧即下表面没有窗材，且该中空塞具有塞贯通孔，在所述上平台的上部还具备晶圆厚度测量机构，该晶圆厚度测量机构能够通过所述塞贯通孔而在研磨中以光学方式实时测量所述晶圆的厚度。由此，能够提供一种双面研磨装置，其能够表现出优异的厚度测量精度，且消除金属杂质、伤痕及颗粒的担忧。