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公开(公告)号：CN112108993B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN201910544432.1
申请日：2019-06-21
Applicant: 清华大学
IPC: B24B37/12 , B24B37/14 , B24B41/04 , B24B37/013 , B24B49/16
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光技术领域，公开了一种用于化学机械抛光的承载头，包括连轴盘、平衡架、承载盘、柔性膜、环状压盘，平衡架的中轴部可滑动地密封设置于连轴盘的中心通孔内并可以通过其底盘部及翼缘部带动承载盘相对于连轴盘上下移动，所述柔性膜具有边缘皱壁和至少一个内皱壁，并且所述边缘皱壁及内皱壁中的至少一个被环状压盘夹紧至承载盘以形成可调压腔室，使得可以通过控制平衡架的竖直位置和可调压腔室的压力来调节施加于基板的压力。
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公开(公告)号：CN115533738A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211084919.4
申请日：2022-09-06
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明提供一种固相反应的研磨块，所述研磨块包括如下重量份数的组分：磨料15～35份，粘结剂45～60份，液体弹珠15～25份；所述研磨块还包括分布在研磨块内的气孔；所述液体弹珠包括外壁与芯部；所述外壁为疏水纳米磁性颗粒，所述芯部为反应液或润滑液；所述研磨块中液体弹珠和磨料定向排布于粘结剂中。在研磨半导体晶片过程中，在摩擦作用下研磨块中定向排布在磨料附近的液体弹珠在机械力的作用下破碎，其内部的液体逐渐释放出来，与被研磨半导体晶面表面发生固相反应生成钝化层，并且液体弹珠会因机械作用而形成凹坑能起到容屑的作用，提高了固相反应研磨盘的自锐性，研磨后得到低表面粗糙度的半导体晶片。
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公开(公告)号：CN109108811B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201810578995.8
申请日：2018-06-07
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 竹之内研二
Abstract: 提供磨削装置，在对由难磨削材料形成的晶片等进行磨削的情况下，能够抑制磨削磨具的磨损，并且能够顺利地进行磨削。该磨削装置具有：保持工作台，其对被加工物进行保持；以及磨削单元，其具有对保持工作台所保持的被加工物进行磨削的磨削磨轮，磨削磨轮具有磨削磨具，该磨削磨具是利用陶瓷结合剂将磨粒和光催化剂颗粒结合而成的，该磨削装置具有：磨削水提供单元，当利用磨削单元对保持工作台所保持的被加工物进行磨削时，该磨削水提供单元至少对磨削磨具提供磨削水；以及光照射单元，其与保持工作台相邻地配设，使光照射至对保持工作台所保持的被加工物进行磨削的磨削磨具的磨削面。
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公开(公告)号：CN114025916A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202080047180.2
申请日：2020-06-19
Applicant: 株式会社东京钻石工具制作所
Inventor： 津田政明
Abstract: 在对晶片S进行化学机械磨削的合成磨石(100)中具备：以平均粒径为10μm以下的氧化铈作为主成分，对晶片S具有化学机械磨削作用的研磨剂(101)；以比晶片S的莫氏硬度低、且具有高摩擦系数的纤维物质作为主成分，具有发热作用的摩擦促进剂(102)；以酚醛树脂作为主成分，将研磨剂(101)和摩擦促进剂(102)分散、粘结的粘结剂(103)。
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公开(公告)号：CN113118967A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110286580.5
申请日：2021-03-17
Applicant: 广东纳诺格莱科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种适用于SiC晶片的磨粒定向的固相反应研磨盘及其制备方法和应用。该固相反应研磨盘包括磨粒、含铁磁性粒子、过氧化氢胶囊和树脂结合剂。本发明提供的适用于SiC晶片的磨粒定向的固相反应研磨盘中含有定向排布的磨粒和含铁磁性粒子，研磨加工过程中，含过氧化氢的胶囊破裂，释放H2O2与含铁磁性粒子发生芬顿反应，生成氧化性极强的羟基自由基(·OH)，进而在研磨的过程中，在SiC晶片表面生成软质SiO2氧化层并均匀去除，去除效率高，表面粗糙度低，且对晶片表面损伤小；另外，研磨盘在磨粒更新后，磨粒分布依旧均匀，可保持较好的研磨效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107553312B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201710945470.9
申请日：2017-10-12
Applicant: 河北思瑞恩新材料科技有限公司
IPC: B24B37/14 , B24B37/16 , B24D3/00 , B24D3/28 , B24D3/34 , B24D18/00 , C08L75/14 , C08L63/00 , C08K3/36 , C08K3/22 , C09K3/14
Abstract: 本发明提供了一种立体磨料，包括：衬底；复合在所述衬底上的胶层；复合在所述胶层上的基材；复合在所述基材上的底胶层；设置在所述底胶层上的若干磨块，所述相邻磨块之间具有间隙；所述磨块由混合物固化形成，所述混合物包括：20～40wt％的光固化胶黏剂；10～30wt％的热固化胶黏剂；0.1～3wt％的光引发剂；0.1～3wt％的热引发剂；0.1～3wt％的热固化剂；30～70wt％的磨料；1～5wt％的助剂；其中，所述光固化胶黏剂选自聚氨酯丙烯酸树脂；所述热固化胶黏剂选自环氧树脂。本发明还提供了上述立体磨料的制备方法。本发明由聚氨酯丙烯酸树脂和环氧树脂作为胶黏剂制备的立体磨料损耗较慢，使用寿命较长。
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公开(公告)号：CN111216034B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010119889.0
申请日：2020-02-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B24B37/005 , B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/14 , B24B37/27 , H01L21/306
Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制作方法，所述制作方法包括：采用GaSb晶圆作为衬底，在正面电路结构已经完成的情况下，对GaSb晶圆背面进行减薄时，采用第一磨盘和研磨液进行减薄，其中，第一磨盘上设置有碳化钨涂层，通过碳化钨涂层对GaSb晶圆的表面进行研磨，由于碳化钨与GaSb晶圆之间，不只是物理研磨，还包括化学反应，且碳化钨涂层的颗粒粒径在纳米级别，因此，对GaSb晶圆进行处理的减薄过程与抛光过程合二为一，从而能够减少减薄后抛光的过程，无需对厚度和误差进行再次进行修整和去除，从而减少了工艺过程，通过一体化减薄和抛光过程，即可达到传统意义上的镜面抛光要求。
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公开(公告)号：CN110922096A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911293214.1
申请日：2019-12-16
Applicant: 韶关大唐研磨材料有限公司
Inventor： 唐伟标
Abstract: 本发明公开了一种金刚石垫片及其制备方法，其中金刚石垫片，其特征在于按重量份包括以下组分：工程塑料1-20份，热固性树脂1-20份，增塑剂1-20份，金刚石5-35份，碳化硅10-40份，氧化锌10-40份，二氧化铈5-35份，固化剂0.5-10份。本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种组分简单，配合合理，可提高产品的成形率，减少溶剂的使用量，降低金刚石的使用量，从而大大降低生产成本，提高产品的粘结及磨削能力的金刚石垫片。
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公开(公告)号：CN108818298A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810594726.0
申请日：2018-06-11
Applicant: 苏州珂玛材料科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种研磨盘，制备研磨盘的原料包括：按重量份计，60-75份金刚石粉、8-25份氧化铝粉、5-15份铜粉、25-45份树脂、10-25份固化剂、0.1-0.5份硅烷偶联剂及5-20份辅料。上述研磨盘的原料配比合理，分散均匀，且具有适中的软硬度，研磨制品的良品率高的优点。
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公开(公告)号：CN108136563A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680044002.8
申请日：2016-07-28
Applicant: JH罗得股份有限公司
CPC classification number: B24B37/24 , C08G18/10 , C08G18/12 , C08G18/3206 , C08G18/4854 , C08G18/6674 , C08G18/7621 , C08G2101/005 , C08J9/0066 , C08J2205/044 , C08J2363/02 , C08J2375/08 , C08G18/3814
Abstract: 本发明公开了一种适用于磨光处理的聚合材料、包含所述聚合材料的介质、包含所述介质的系统以及形成和使用所述聚合材料的方法。所述聚合材料可用于对诸如蓝宝石表面这样的硬表面进行磨光。所述磨光处理可在研磨处理之后、抛光处理之前进行。
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