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公开(公告)号：CN113601390B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202110876310.X
申请日：2021-07-31
Applicant: 广东纳诺格莱科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于SiC晶片研磨的固相反应研磨盘及其制备方法和应用。该固相反应研磨盘包括基盘，叠设于基盘上的填充料和嵌设于填充料中且与填充料表面齐平的若干个磨料块；所述填充料上设有贯穿填充料的气孔；所述填充料由催化剂和助研剂组成；所述磨料块由磨料、催化剂和粘接剂混合组成；所述催化剂为含铁粒子。本发明提供的固相反应研磨盘适用于SiC晶片研磨，不仅可以获得较高的材料去除率和较好的表面质量，还能够获得低损伤的SiC晶片表面，可用于表面要求较高的SiC晶片的精密研磨加工。
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公开(公告)号：CN113118967A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110286580.5
申请日：2021-03-17
Applicant: 广东纳诺格莱科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种适用于SiC晶片的磨粒定向的固相反应研磨盘及其制备方法和应用。该固相反应研磨盘包括磨粒、含铁磁性粒子、过氧化氢胶囊和树脂结合剂。本发明提供的适用于SiC晶片的磨粒定向的固相反应研磨盘中含有定向排布的磨粒和含铁磁性粒子，研磨加工过程中，含过氧化氢的胶囊破裂，释放H2O2与含铁磁性粒子发生芬顿反应，生成氧化性极强的羟基自由基(·OH)，进而在研磨的过程中，在SiC晶片表面生成软质SiO2氧化层并均匀去除，去除效率高，表面粗糙度低，且对晶片表面损伤小；另外，研磨盘在磨粒更新后，磨粒分布依旧均匀，可保持较好的研磨效果。
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公开(公告)号：CN113118967B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110286580.5
申请日：2021-03-17
Applicant: 广东纳诺格莱科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种适用于SiC晶片的磨粒定向的固相反应研磨盘及其制备方法和应用。该固相反应研磨盘包括磨粒、含铁磁性粒子、过氧化氢胶囊和树脂结合剂。本发明提供的适用于SiC晶片的磨粒定向的固相反应研磨盘中含有定向排布的磨粒和含铁磁性粒子，研磨加工过程中，含过氧化氢的胶囊破裂，释放H2O2与含铁磁性粒子发生芬顿反应，生成氧化性极强的羟基自由基(·OH)，进而在研磨的过程中，在SiC晶片表面生成软质SiO2氧化层并均匀去除，去除效率高，表面粗糙度低，且对晶片表面损伤小；另外，研磨盘在磨粒更新后，磨粒分布依旧均匀，可保持较好的研磨效果。
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公开(公告)号：CN113601390A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110876310.X
申请日：2021-07-31
Applicant: 广东纳诺格莱科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于SiC晶片研磨的固相反应研磨盘及其制备方法和应用。该固相反应研磨盘包括基盘，叠设于基盘上的填充料和嵌设于填充料中且与填充料表面齐平的若干个磨料块；所述填充料上设有贯穿填充料的气孔；所述填充料由催化剂和助研剂组成；所述磨料块由磨料、催化剂和粘接剂混合组成；所述催化剂为含铁粒子。本发明提供的固相反应研磨盘适用于SiC晶片研磨，不仅可以获得较高的材料去除率和较好的表面质量，还能够获得低损伤的SiC晶片表面，可用于表面要求较高的SiC晶片的精密研磨加工。
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