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公开(公告)号：CN113305650B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110673642.8
申请日：2021-06-17
Applicant: 广东工业大学 , 广东纳诺格莱科技有限公司
IPC: B24B1/00 , B24B31/112 , B24B31/12 , B24B55/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种超光滑平坦化抛光方法及装置。包括基座、Z轴驱动机构、公转驱动机构、自转驱动机构、动磁场发生机构、偏摆驱动机构、以及用于盛装磁流变液的抛光盘；Z轴驱动机构安装于基座上，Z轴驱动机构的输出端与公转驱动机构连接，公转驱动机构的输出端与自转驱动机构连接，自转驱动机构的输出端设有用于装夹工件的装夹盘；抛光盘固定于基座上，且位于公转驱动机构和自转驱动机构的下方；动磁场发生机构设于抛光盘的下方，且在抛光盘内形成动态磁场；偏摆驱动机构安装于基座上，动磁场发生机构与偏摆驱动机构的输出端连接。本发明有效避免工件中心位置存在线速度零点导致工件中心与边缘存在加工效果差异的问题。
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公开(公告)号：CN113118967A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110286580.5
申请日：2021-03-17
Applicant: 广东纳诺格莱科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种适用于SiC晶片的磨粒定向的固相反应研磨盘及其制备方法和应用。该固相反应研磨盘包括磨粒、含铁磁性粒子、过氧化氢胶囊和树脂结合剂。本发明提供的适用于SiC晶片的磨粒定向的固相反应研磨盘中含有定向排布的磨粒和含铁磁性粒子，研磨加工过程中，含过氧化氢的胶囊破裂，释放H2O2与含铁磁性粒子发生芬顿反应，生成氧化性极强的羟基自由基(·OH)，进而在研磨的过程中，在SiC晶片表面生成软质SiO2氧化层并均匀去除，去除效率高，表面粗糙度低，且对晶片表面损伤小；另外，研磨盘在磨粒更新后，磨粒分布依旧均匀，可保持较好的研磨效果。
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公开(公告)号：CN113601390B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202110876310.X
申请日：2021-07-31
Applicant: 广东纳诺格莱科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于SiC晶片研磨的固相反应研磨盘及其制备方法和应用。该固相反应研磨盘包括基盘，叠设于基盘上的填充料和嵌设于填充料中且与填充料表面齐平的若干个磨料块；所述填充料上设有贯穿填充料的气孔；所述填充料由催化剂和助研剂组成；所述磨料块由磨料、催化剂和粘接剂混合组成；所述催化剂为含铁粒子。本发明提供的固相反应研磨盘适用于SiC晶片研磨，不仅可以获得较高的材料去除率和较好的表面质量，还能够获得低损伤的SiC晶片表面，可用于表面要求较高的SiC晶片的精密研磨加工。
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公开(公告)号：CN113305650A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110673642.8
申请日：2021-06-17
Applicant: 广东工业大学 , 广东纳诺格莱科技有限公司
IPC: B24B1/00 , B24B31/112 , B24B31/12 , B24B55/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种超光滑平坦化抛光方法及装置。包括基座、Z轴驱动机构、公转驱动机构、自转驱动机构、动磁场发生机构、偏摆驱动机构、以及用于盛装磁流变液的抛光盘；Z轴驱动机构安装于基座上，Z轴驱动机构的输出端与公转驱动机构连接，公转驱动机构的输出端与自转驱动机构连接，自转驱动机构的输出端设有用于装夹工件的装夹盘；抛光盘固定于基座上，且位于公转驱动机构和自转驱动机构的下方；动磁场发生机构设于抛光盘的下方，且在抛光盘内形成动态磁场；偏摆驱动机构安装于基座上，动磁场发生机构与偏摆驱动机构的输出端连接。本发明有效避免工件中心位置存在线速度零点导致工件中心与边缘存在加工效果差异的问题。
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公开(公告)号：CN113670757A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110851996.7
申请日：2021-07-27
Applicant: 广东工业大学 , 广东纳诺格莱科技有限公司
Abstract: 本发明涉及磨耗测控的技术领域，更具体地，涉及一种摩擦磨损检测装置，包括机架、第一转动组件及第二转动组件，第一转动组件的输出端夹持有工件、第二转动组件的输出端连接有对磨盘，第一转动组件位于第二转动组件上方，工件与对磨盘相对转动并产生摩擦；还包括用于实现工件进给运动及往复运动的运动组件以及用于检测工件与对磨盘摩擦过程中产生的力学信号的测力组件，第一转动组件安装于运动组件，运动组件安装于机架，测力组件连接于第一转动组件。本发明通过设置工件与对磨盘之间的旋转运动、进给运动、往复运动，实时监测摩擦过程的扭矩、法向力和切向力，适合工件的各类摩擦磨损检测试验，有效改善了检测装置的多样性和适用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113601276A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110867157.4
申请日：2021-07-29
Applicant: 广东工业大学 , 广东纳诺格莱科技有限公司
IPC: B24B1/00 , B24B31/112 , B24B31/12 , B24B41/06
Abstract: 本发明涉及一种永磁式集群磁流变抛光机构及抛光方法。包括机架、公转机构、自转机构、装夹头、抛光盘、磁场发生机构；其中，磁场发生机构包括安装座、多个径向充磁的柱形的第一永磁体、多个轴向充磁的第二永磁体、多个轴向充磁的第三永磁体；每一个第二永磁体的四周均间隔安装有多个第三永磁体，以共同组成一个永磁块；多个永磁块阵列安装于安装座的顶部，第二永磁体和第三永磁体朝向抛光盘的一端的磁极分别是N极和S极；安装座上间隔设有多个安装腔，多个第一永磁体分别横向且转动安装于多个安装腔中，转动第一永磁体，能够在抛光盘中形成磁场或使磁场消退。本发明通过转动第一永磁体，可实现充磁和消磁，便于抛光盘的清理。
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公开(公告)号：CN113118967B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110286580.5
申请日：2021-03-17
Applicant: 广东纳诺格莱科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种适用于SiC晶片的磨粒定向的固相反应研磨盘及其制备方法和应用。该固相反应研磨盘包括磨粒、含铁磁性粒子、过氧化氢胶囊和树脂结合剂。本发明提供的适用于SiC晶片的磨粒定向的固相反应研磨盘中含有定向排布的磨粒和含铁磁性粒子，研磨加工过程中，含过氧化氢的胶囊破裂，释放H2O2与含铁磁性粒子发生芬顿反应，生成氧化性极强的羟基自由基(·OH)，进而在研磨的过程中，在SiC晶片表面生成软质SiO2氧化层并均匀去除，去除效率高，表面粗糙度低，且对晶片表面损伤小；另外，研磨盘在磨粒更新后，磨粒分布依旧均匀，可保持较好的研磨效果。
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公开(公告)号：CN113670757B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110851996.7
申请日：2021-07-27
Applicant: 广东工业大学 , 广东纳诺格莱科技有限公司
Abstract: 本发明涉及磨耗测控的技术领域，更具体地，涉及一种摩擦磨损检测装置，包括机架、第一转动组件及第二转动组件，第一转动组件的输出端夹持有工件、第二转动组件的输出端连接有对磨盘，第一转动组件位于第二转动组件上方，工件与对磨盘相对转动并产生摩擦；还包括用于实现工件进给运动及往复运动的运动组件以及用于检测工件与对磨盘摩擦过程中产生的力学信号的测力组件，第一转动组件安装于运动组件，运动组件安装于机架，测力组件连接于第一转动组件。本发明通过设置工件与对磨盘之间的旋转运动、进给运动、往复运动，实时监测摩擦过程的扭矩、法向力和切向力，适合工件的各类摩擦磨损检测试验，有效改善了检测装置的多样性和适用性。
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公开(公告)号：CN113601276B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202110867157.4
申请日：2021-07-29
Applicant: 广东工业大学 , 广东纳诺格莱科技有限公司
IPC: B24B1/00 , B24B31/112 , B24B31/12 , B24B41/06
Abstract: 本发明涉及一种永磁式集群磁流变抛光机构及抛光方法。包括机架、公转机构、自转机构、装夹头、抛光盘、磁场发生机构；其中，磁场发生机构包括安装座、多个径向充磁的柱形的第一永磁体、多个轴向充磁的第二永磁体、多个轴向充磁的第三永磁体；每一个第二永磁体的四周均间隔安装有多个第三永磁体，以共同组成一个永磁块；多个永磁块阵列安装于安装座的顶部，第二永磁体和第三永磁体朝向抛光盘的一端的磁极分别是N极和S极；安装座上间隔设有多个安装腔，多个第一永磁体分别横向且转动安装于多个安装腔中，转动第一永磁体，能够在抛光盘中形成磁场或使磁场消退。本发明通过转动第一永磁体，可实现充磁和消磁，便于抛光盘的清理。
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公开(公告)号：CN113601390A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110876310.X
申请日：2021-07-31
Applicant: 广东纳诺格莱科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于SiC晶片研磨的固相反应研磨盘及其制备方法和应用。该固相反应研磨盘包括基盘，叠设于基盘上的填充料和嵌设于填充料中且与填充料表面齐平的若干个磨料块；所述填充料上设有贯穿填充料的气孔；所述填充料由催化剂和助研剂组成；所述磨料块由磨料、催化剂和粘接剂混合组成；所述催化剂为含铁粒子。本发明提供的固相反应研磨盘适用于SiC晶片研磨，不仅可以获得较高的材料去除率和较好的表面质量，还能够获得低损伤的SiC晶片表面，可用于表面要求较高的SiC晶片的精密研磨加工。
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