公开(公告)号：CN119998503A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202380073269.X

申请日：2023-08-31

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 土屋庆太郎 ,  久保埜一平 ,  萩本和德

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明是一种氮化物半导体外延片的制造方法，其为具有复合基板和外延生长于复合基板上的氮化物半导体层的氮化物半导体外延片的制造方法，该复合基板具有含陶瓷基板和贴合于含陶瓷基板上的单晶层，该制造方法包括以下工序：准备具备含陶瓷基板且具有‑150＜弯曲度(μm)≤40、翘曲度(μm)＜150且翘曲度(μm)＜90‑弯曲度(μm)的形状的复合基板的工序，该含陶瓷基板具有在氮化物半导体层的热膨胀系数的±10%以内的热膨胀系数；在复合基板的单晶层上形成对氮化物半导体层施加压缩应力的中间层的工序；及，在中间层上外延生长氮化物半导体层的工序，通过调整中间层的膜厚，从而具有翘曲度(μm)＜50、｜弯曲度(μm)｜≤40的形状。由此，提供一种翘曲较小，且无龟裂、剥落的氮化物半导体外延片的制造方法。

公开(公告)号：CN119343486A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202380046231.3

申请日：2023-05-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 松原寿树 ,  铃木温 ,  大槻刚 ,  阿部达夫

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/24 ,  C30B25/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明为一种异质外延片的制造方法，其为使3C‑SiC单晶膜在单晶硅基板上异质外延生长的异质外延片的制造方法，其包括：使用减压CVD装置，通过氢焙去除单晶硅基板的表面的自然氧化膜的第一工序；一边供给包含碳的源气体，一边在压力为13Pa以上且13332Pa以下、温度为600℃以上且1200℃以下的条件下在单晶硅基板上进行SiC的核形成的第二工序；及一边供给包含碳和硅的源气体，一边在压力为13Pa以上且13332Pa以下、温度为800℃以上且小于1200℃的条件下使SiC单晶生长从而形成3C‑SiC单晶膜的第三工序。由此，提供一种异质外延片的制造方法，其能够效率良好地使质量良好的3C‑SiC单晶膜在单晶硅基板上异质外延生长。

公开(公告)号：CN119212824A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202380040847.X

申请日：2023-04-04

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 中川和也

IPC: B24B5/04 ,  B24B41/06 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明是一种圆筒磨削机，具有：第一检测部、第二检测部，其以非接触方式检测晶棒的一端、另一端与主轴、副轴的接近；以及驱动机构，其能够变更调整副轴侧的第二支承单元的移动速度，在晶棒的一端与副轴的接触支承中，驱动机构调整为移动速度B比移动速度A低速，其中，移动速度B是从由第二检测部检测到一端与副轴的接近直到接触支承为止之间的第二支承单元的移动速度，移动速度A是直到检测到接近为止的移动速度，并且在晶棒的另一端与主轴的接触支承中，驱动机构调整为移动速度D比移动速度C低速，其中，移动速度D是从由第一检测部检测到另一端与主轴的接近直到接触支承为止之间的移动速度，移动速度C是直到检测到接近为止的移动速度。由此，提供如下的圆筒磨削机：在装载工序中，能够抑制晶棒的端部的破损、支承单元的机械位置偏移的产生，能够缩短工序所需的时间，对于检测晶棒与主轴等的位置关系的部位能够减轻维护的需求。

公开(公告)号：CN114929951B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202080091664.7

申请日：2020-11-20

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 柳濑和也 ,  冈井笃志

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明是一种单晶制造装置，其利用切克劳斯基法培育单晶，具有：主腔室，其容纳对原料融液进行收纳的坩埚和对原料融液进行加热的加热器；提拉腔室，其连接设置于主腔室的上部，生长的单晶被提拉而收纳于提拉腔室；冷却筒，其以包围提拉中的单晶的方式从主腔室的至少顶部向原料融液延伸并被冷却介质强制冷却；以及冷却辅助筒，其嵌合于冷却筒，冷却辅助筒的材料由石墨材料、碳素复合材料、不锈钢、钼、钨中的任意一种以上构成，冷却辅助筒具有覆盖冷却筒的面对原料融液的底面的结构，冷却辅助筒与冷却筒的底面的间隙是1.0mm以下。由此，能够提供一种可增大结晶内温度梯度并实现单晶的生长速度的高速化的单晶制造装置。

公开(公告)号：CN118354963A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202280083906.7

申请日：2022-11-17

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐藤圣二 ,  佐藤敦

IPC: B65D85/30

Abstract: 本发明是一种捆包体，用于对密闭收纳容器进行捆包，该密闭收纳容器由收纳有晶圆的容器主体和盖体构成，其特征在于，具备：货运箱，其具有收纳有所述密闭收纳容器的壳体和该壳体的罩；以及，缓冲件，其配置于该货运箱内，且保持所述密闭收纳容器；其中，所述缓冲件具有多个突起状保持部，这些突起状保持部用于保持所述密闭收纳容器的盖体的上表面的周缘部。由此，提供一种捆包体、密闭收纳容器的捆包方法及密闭收纳容器的输送方法，该捆包体将晶圆收纳于密闭收纳容器中，并且在进一步将密闭收纳容器捆包至货运箱进行输送时，将施加于货运箱的冲击对晶圆造成的影响抑制到最小限度。

公开(公告)号：CN118338987A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202280083258.5

申请日：2022-12-02

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 天海史郎 ,  桥本浩昌

IPC: B24B37/013 ,  B24B37/08 ,  B24B37/12 ,  B24B37/26 ,  B24B49/04 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明是一种双面研磨装置，其是具有上平台及下平台的晶圆的双面研磨装置，其特征在于，在所述上平台中，在旋转中心与周缘之间设置有多个平台贯通孔，且在所述上平台的与所述下平台对置的研磨面上设置有研磨布，在所述研磨布中，在与所述多个平台贯通孔对应的位置设置有孔，该孔具有所述平台贯通孔的直径以上的大小的直径，在所述上平台的所述贯通孔的每一个中插入有树脂制的中空塞，该中空塞的上表面设置有窗材并且在所述研磨面侧即下表面没有窗材，且该中空塞具有塞贯通孔，在所述上平台的上部还具备晶圆厚度测量机构，该晶圆厚度测量机构能够通过所述塞贯通孔而在研磨中以光学方式实时测量所述晶圆的厚度。由此，能够提供一种双面研磨装置，其能够表现出优异的厚度测量精度，且消除金属杂质、伤痕及颗粒的担忧。

公开(公告)号：CN113710397B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202080030275.3

申请日：2020-03-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林健司

IPC: B23D61/18 ,  B24B27/06 ,  B24B55/02 ,  B28D5/04 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种工件的切断方法，其通过线锯进行，通过将固定磨粒金属线卷绕至多个带沟滚轮而形成金属线列，一边将冷却剂供给至固定磨粒金属线，并使固定磨粒金属线在轴向上往复移动，一边将工件向金属线列切入进给，从而将工件在轴向排列的多个位置同时切断，其中，所述工件通过工件保持装置进行保持，其特征在于，在工件的切断结束后且从所述金属线列拉出所述工件时，将冷却剂的流量设定为180L/min以上，并将固定磨粒金属线在轴向的移动速度设定为6m/min以上30m/min以下。由此，提供一种工件的切断方法，其在切断工件后拉出金属线的过程中，不会发生固定磨粒金属线卡住于工件而产生锯痕或发生固定磨粒金属线断线的情况。

公开(公告)号：CN112005353B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN201980027567.9

申请日：2019-03-15

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 竹野博

IPC: H01L21/66 ,  C30B29/06 ,  H01L21/322

Abstract: 本发明提供一种单晶硅基板的分选方法，其具有以下工序：由晶锭制作并准备作为候补的单晶硅基板的准备工序；粒子束照射工序；恢复热处理工序；测定过剩载流子衰减曲线的测定工序；由过剩载流子衰减曲线中的过剩载流子浓度衰减至1/e的时间LT及过剩载流子浓度衰减至X％(1≤X≤10)的时间tTail(X)，计算出ΔtTail(X)＝tTail(X)‑[‑LT×ln(X/100)]，并在ΔtTail(X)为预先确定的判定值以下时，判定为合格的判定工序；分选由制作出被判定为合格的单晶硅基板的晶锭制作的单晶硅基板的分选工序。由此，提供一种能够通过复合寿命的控制抑制拖尾电流的单晶硅基板的分选方法。

公开(公告)号：CN118251751A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202280075372.3

申请日：2022-10-13

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 藤井康太 ,  阿部达夫 ,  大槻刚

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明是一种硅晶圆的清洗方法，其具备：改变SC1清洗条件来进行清洗，制作表面粗糙度不同的晶圆的试验用晶圆的SC1清洗工序；通过氢氟酸清洗，去除因SC1清洗形成的SC1氧化膜的工序；使用具有氧化力的清洗液进行清洗，形成自然氧化膜的工序；取得因SC1清洗形成的表面粗糙度与自然氧化膜的膜厚的相关关系的工序；针对自然氧化膜形成对象的晶圆，根据欲形成的自然氧化膜的膜厚与相关关系来决定表面粗糙度，并且决定形成该表面粗糙度的SC1清洗条件的工序；利用所决定的SC1清洗条件，进行SC1清洗的工序；将因SC1清洗形成的SC1氧化膜去除的工序；及使用具有氧化力的清洗液，对已去除SC1氧化膜的晶圆进行清洗，形成自然氧化膜的工序。由此，提供一种调整表面粗糙度来精度良好且再现性良好地控制自然氧化膜的膜厚的硅晶圆的清洗方法。

公开(公告)号：CN118235236A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202280073945.9

申请日：2022-10-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 藤井康太 ,  阿部达夫 ,  大槻刚 ,  五十岚健作 ,  大关正彬

IPC: H01L21/66 ,  G01B11/06 ,  G01J4/04 ,  H01L21/304 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明涉及氧化膜的评价方法，其是利用AFM测得的表面粗糙度Sa值为0.5nm以下的硅基板上的氧化膜的评价方法，其包括：准备形成有氧化膜的被评价基板与基板表面的在空间频率为60～90/μm时的功率谱密度的平均值为0.1nm3以下的基准基板的工序；测定被评价硅基板上的氧化膜的膜厚的第一膜厚测定工序；去除被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的工序；在去除了氧化膜的被评价硅基板及基准硅基板上，在同一条件下形成氧化膜的工序；测定被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的膜厚的第二膜厚测定工序；根据在第二膜厚测定工序中获得的被评价硅基板及基准硅基板上的氧化膜的膜厚，对在第一膜厚测定工序中获得的被评价硅基板上的氧化膜中的由膜厚影响因素造成的膜厚进行评价的工序。由此，可提供一种可高精度地评价由膜厚影响因素造成的氧化膜的膜厚的氧化膜的膜厚评价方法。