-
公开(公告)号：CN119365636A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202380046789.1
申请日：2023-05-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/04 , C23C16/27 , C23C16/511 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 本发明是一种金刚石层的生长方法，是根据微波等离子体CVD法的金刚石层的生长方法，其特征在于，该方法具有以下工序：将基板（2）配置于微波等离子体CVD装置（10）的反应容器（1）内；将原料气体（反应气体）（6）导入反应容器（1）内；以及将微波等离子体照射至基板（2）的表面，而使金刚石层在基板（2）的表面上生长，在使所述金刚石层生长的工序中，使基板（2）在与基板（2）的表面平行的方向上移动，以及/或者，使所述微波等离子体的照射位置在与基板（2）的表面平行的方向上移动。由此，提供大直径金刚石基板。
-
公开(公告)号：CN118202096A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202280073933.6
申请日：2022-10-01
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种异质外延片的制造方法，其为使3C‑SiC单晶膜在单晶硅基板上异质外延生长的异质外延片的制造方法，其中，使用减压CVD装置，并包含：通过氢焙去除所述单晶硅基板的表面的自然氧化膜的第一工序；与将包含碳与硅的源气体供给至所述减压CVD装置内从而将所述3C‑SiC单晶膜成膜的第二工序，其中，所述3C‑SiC单晶膜具有与表面上的液体的接触角呈50°以下的润湿性。由此，提供一种异质外延片的制造方法，其能够获得可使质量良好的GaN等在已成膜于单晶硅基板上的3C‑SiC单晶膜上异质外延生长的晶圆。
-
公开(公告)号：CN115485817A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180032465.3
申请日：2021-03-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/304 , H01L21/31 , H01L21/66
Abstract: 本发明为一种半导体基板的热氧化膜形成方法，该方法具有下述工序：相关关系获取工序，其中，预先准备多个化学氧化膜的构成不同半导体基板，在相同的热氧化处理条件下形成热氧化膜，求出化学氧化膜的构成与热氧化膜的厚度的相关关系；基板清洗工序，其中，对半导体基板进行清洗；热氧化膜的厚度推定工序，其中，求出由基板清洗工序中的清洗形成于半导体基板的化学氧化膜的构成，根据相关关系，推定假设在相关关系获取工序中的热氧化处理条件下对半导体基板进行热氧化处理时的热氧化膜的厚度；热氧化处理条件确定工序，其中，以相关关系获取工序中的热氧化处理条件为基准，以使热氧化膜的厚度为规定厚度的方式确定热氧化处理条件；热氧化膜形成工序，其中，在热氧化处理条件确定工序中确定的热氧化处理条件下在半导体基板上形成热氧化膜。由此，再现性良好地将热氧化膜形成为如预期的薄的厚度。
-
公开(公告)号：CN111052330A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880055612.7
申请日：2018-08-20
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明为一种硅晶圆的评价方法，其特征在于，其包含：预先对所述硅晶圆进行表面缺陷测定的预表面缺陷测定工序；对所述硅晶圆交替地重复利用臭氧水的氧化处理、及在不完全去除形成于所述硅晶圆表面的氧化膜的条件下利用氢氟酸的氧化膜去除处理的清洗工序；及对该清洗工序后的所述硅晶圆进行表面缺陷测定，测定相对于所述预表面缺陷测定工序中测定的缺陷而增加的增加缺陷的增加缺陷测定工序，该评价方法中，交替地重复所述清洗工序与所述增加缺陷测定工序多次，基于各清洗工序后的所述增加缺陷的测定结果来评价所述硅晶圆。由此，提供一种硅晶圆的评价方法，该评价方法能够仅对排除了起因于结晶的缺陷及在清洗等中产生的颗粒等的、起因于抛光等加工的缺陷进行评价。
-
公开(公告)号：CN110447088A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201880019193.1
申请日：2018-03-05
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明为一种半导体晶圆的清洗方法，该方法将半导体晶圆插入填充有氢氟酸的氢氟酸槽内而浸渍在所述氢氟酸中，且从所述氢氟酸槽拉出之后，将所述半导体晶圆插入填充有臭氧水的臭氧水槽内而浸渍在所述臭氧水中进行清洗，其特征在于，至少从所述半导体晶圆的下端接触于所述臭氧水开始至所述半导体晶圆完全浸渍于所述臭氧水为止，以插入速度20000mm/min以上进行所述半导体晶圆朝向所述臭氧水槽内的插入。由此，提供在将半导体晶圆浸渍于氢氟酸而清洗后浸渍于臭氧水进行清洗的方法中，能够防止微粒等异物的残留及已除去的异物的再附着的半导体晶圆的清洗方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119677900A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380055877.8
申请日：2023-06-20
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是3C‑SiC层叠基板的制造方法，其特征在于，具有：在第一单晶硅基板上使3C‑SiC单晶薄膜进行外延生长的步骤；在所述3C‑SiC单晶薄膜的上表面贴合支承基板的步骤；以及去除所述第一单晶硅基板以制造3C‑SiC层叠基板的步骤。目的是由此提供一种3C‑SiC层叠基板的制造方法。特别是提供一种得到200mmφ和300mmφ这样的大直径的3C‑SiC层叠基板的方法。
-
公开(公告)号：CN119654700A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202380056352.6
申请日：2023-07-28
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/20 , H10D86/00 , H10D62/10
Abstract: 本发明是一种量子计算机用硅基板的制造方法，其中，包含以下步骤：通过使用28Si与30Si在硅系原料气体中包含的硅整体中所占的总含量为99.9％以上的Si源气体作为该硅系原料气体在硅基板上进行外延生长，从而形成Si外延层的步骤；对所述Si外延层的表面进行氧化来形成氧(O)的δ掺杂层的步骤；以及，通过使用28Si与30Si在硅系原料气体中包含的硅整体中所占的总含量为99.9％以上的Si源气体在所述δ掺杂层上进行外延生长，从而形成Si外延层的步骤。由此，提供一种量子计算机用硅基板及其制造方法，该量子计算机用硅基板能够抑制29Si的影响，并抑制核自旋的影响。
-
公开(公告)号：CN118661242A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202280092184.1
申请日：2022-12-22
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种高频器件用基板，其特征在于，具有：表面具有凹凸的支撑基板、所述支撑基板的所述表面上的金刚石层、以及所述金刚石层上的硅氧化膜层。由此，提供利用高频特性优异的金刚石的高频器件用基板、以及利用高频特性优异的金刚石的高频器件用基板的制造方法。
-
公开(公告)号：CN118176329A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202280067121.0
申请日：2022-08-25
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种异质外延膜的制作方法，其为使3C‑SiC单晶膜在单晶Si基板上异质外延生长后将其剥离的异质外延膜的制作方法，该制作方法包括：使用减压CVD装置，通过氢焙去除单晶硅基板的表面的自然氧化膜的第一工序；一边供给包含碳与硅的源气体，一边在1333Pa以下、300～950℃以下的条件下进行SiC的核形成的第二工序；在1333Pa以下、800℃以上且小于1200℃的条件下形成3C‑SiC单晶膜并且在3C‑SiC单晶膜正下方形成空位的第三工序；及利用空位剥离3C‑SiC单晶膜从而制作异质外延膜的第四工序。由此，提供一种对器件造成的损伤少且减少材料的损失而效率良好地得到薄膜状的异质外延膜的方法。
-
公开(公告)号：CN118043947A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202280064800.2
申请日：2022-09-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/322 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明为一种外延片的制造方法，其中，使用减压CVD装置，在减压下将含有硅与碳的吸杂外延膜形成在硅基板上，并在该吸杂外延膜上形成硅外延膜。由此，提供一种低成本且低污染的含有碳的外延片及用以制造该外延片的方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
42
records
(took 0.028 seconds)
