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公开(公告)号：CN119343486A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202380046231.3
申请日：2023-05-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/24 , C30B25/18 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明为一种异质外延片的制造方法，其为使3C‑SiC单晶膜在单晶硅基板上异质外延生长的异质外延片的制造方法，其包括：使用减压CVD装置，通过氢焙去除单晶硅基板的表面的自然氧化膜的第一工序；一边供给包含碳的源气体，一边在压力为13Pa以上且13332Pa以下、温度为600℃以上且1200℃以下的条件下在单晶硅基板上进行SiC的核形成的第二工序；及一边供给包含碳和硅的源气体，一边在压力为13Pa以上且13332Pa以下、温度为800℃以上且小于1200℃的条件下使SiC单晶生长从而形成3C‑SiC单晶膜的第三工序。由此，提供一种异质外延片的制造方法，其能够效率良好地使质量良好的3C‑SiC单晶膜在单晶硅基板上异质外延生长。
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公开(公告)号：CN118591869A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202380019505.X
申请日：2023-01-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种在硅基板上进行的金刚石生长方法，其特征在于，作为前处理，对所述硅基板表面以使利用拉曼分光法所得的520cm‑1的峰值的拉曼位移成为0.1cm‑1以上的方式进行损伤赋予、或是对所述硅基板表面以使利用AFM测得的表面粗糙度Sa成为10nm以上的方式进行凹凸形成、或是对所述硅基板表面进行所述损伤赋予及所述凹凸形成两者，并通过CVD法使金刚石在进行该前处理后的硅基板上生长。由此，提供一种在硅基板上进行的金刚石生长方法、及在硅基板上进行的选择性金刚石生长方法。
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公开(公告)号：CN114930500A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080092094.3
申请日：2020-11-24
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/06 , C23C16/02 , C23C16/24
Abstract: 本发明提供一种外延片的制造方法，其为在由包含硅的IV族元素构成的晶圆上形成单晶硅层的外延片的制造方法，其包括：在含氢气氛下，去除所述由包含硅的IV族元素构成的晶圆表面的自然氧化膜的工序；在去除所述自然氧化膜之后，使所述晶圆氧化，从而形成氧原子层的工序；及在形成所述氧原子层之后，使单晶硅在所述晶圆表面进行外延生长的工序，并且在该制造方法中，将所述氧原子层的氧的平面浓度设为4×1014原子/cm2以下。由此，可提供一种能将氧原子层稳定且简便地导入至外延层，并具有优质单晶硅的外延层的外延片的制造方法。
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公开(公告)号：CN119365636A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202380046789.1
申请日：2023-05-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/04 , C23C16/27 , C23C16/511 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 本发明是一种金刚石层的生长方法，是根据微波等离子体CVD法的金刚石层的生长方法，其特征在于，该方法具有以下工序：将基板（2）配置于微波等离子体CVD装置（10）的反应容器（1）内；将原料气体（反应气体）（6）导入反应容器（1）内；以及将微波等离子体照射至基板（2）的表面，而使金刚石层在基板（2）的表面上生长，在使所述金刚石层生长的工序中，使基板（2）在与基板（2）的表面平行的方向上移动，以及/或者，使所述微波等离子体的照射位置在与基板（2）的表面平行的方向上移动。由此，提供大直径金刚石基板。
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公开(公告)号：CN119278499A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202380046200.8
申请日：2023-05-24
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 铃木温
IPC: H01L21/205 , C30B25/20 , C30B29/06 , H01L21/20 , H01L21/322 , H01L21/324
Abstract: 本发明是一种半导体晶圆的制造方法，其具有以下工序：工序(1)，在硅基板上，以第一温度形成掺杂有碳的硅膜；工序(2)，在所述掺杂有碳的硅膜上，以所述第一温度形成未掺杂碳的硅膜，由此得到层叠晶圆；及工序(3)，以比所述第一温度高的第二温度对所述层叠晶圆进行退火，或者在所述层叠晶圆上以所述第二温度进一步进行成膜，由此得到半导体晶圆。由此，提供一种用于制造包含含有碳的硅层的半导体晶圆的方法，所述半导体晶圆在晶圆表面未析出SiC，且其他的缺陷也得以抑制。
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公开(公告)号：CN118202096A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202280073933.6
申请日：2022-10-01
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种异质外延片的制造方法，其为使3C‑SiC单晶膜在单晶硅基板上异质外延生长的异质外延片的制造方法，其中，使用减压CVD装置，并包含：通过氢焙去除所述单晶硅基板的表面的自然氧化膜的第一工序；与将包含碳与硅的源气体供给至所述减压CVD装置内从而将所述3C‑SiC单晶膜成膜的第二工序，其中，所述3C‑SiC单晶膜具有与表面上的液体的接触角呈50°以下的润湿性。由此，提供一种异质外延片的制造方法，其能够获得可使质量良好的GaN等在已成膜于单晶硅基板上的3C‑SiC单晶膜上异质外延生长的晶圆。
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公开(公告)号：CN119677900A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380055877.8
申请日：2023-06-20
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是3C‑SiC层叠基板的制造方法，其特征在于，具有：在第一单晶硅基板上使3C‑SiC单晶薄膜进行外延生长的步骤；在所述3C‑SiC单晶薄膜的上表面贴合支承基板的步骤；以及去除所述第一单晶硅基板以制造3C‑SiC层叠基板的步骤。目的是由此提供一种3C‑SiC层叠基板的制造方法。特别是提供一种得到200mmφ和300mmφ这样的大直径的3C‑SiC层叠基板的方法。
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公开(公告)号：CN119654700A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202380056352.6
申请日：2023-07-28
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/20 , H10D86/00 , H10D62/10
Abstract: 本发明是一种量子计算机用硅基板的制造方法，其中，包含以下步骤：通过使用28Si与30Si在硅系原料气体中包含的硅整体中所占的总含量为99.9％以上的Si源气体作为该硅系原料气体在硅基板上进行外延生长，从而形成Si外延层的步骤；对所述Si外延层的表面进行氧化来形成氧(O)的δ掺杂层的步骤；以及，通过使用28Si与30Si在硅系原料气体中包含的硅整体中所占的总含量为99.9％以上的Si源气体在所述δ掺杂层上进行外延生长，从而形成Si外延层的步骤。由此，提供一种量子计算机用硅基板及其制造方法，该量子计算机用硅基板能够抑制29Si的影响，并抑制核自旋的影响。
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公开(公告)号：CN118661242A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202280092184.1
申请日：2022-12-22
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种高频器件用基板，其特征在于，具有：表面具有凹凸的支撑基板、所述支撑基板的所述表面上的金刚石层、以及所述金刚石层上的硅氧化膜层。由此，提供利用高频特性优异的金刚石的高频器件用基板、以及利用高频特性优异的金刚石的高频器件用基板的制造方法。
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