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公开(公告)号：CN117157740A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202280027176.9
申请日：2022-03-03
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 多贺稜
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明是一种晶圆的制造方法，包含以下工序：利用保持单元按压晶圆，使晶圆的第一主面接触树脂；一边在晶圆的第一主面上使树脂扩展，一边从保持单元对保持单元与第二主面之间进行空气喷射，由此在将由保持单元对晶圆的第二主面的保持释放的状态下，在晶圆的第一主面上使树脂扩展；一边进行空气喷射，一边使晶圆与保持单元分开；在晶圆与保持单元分开后，使树脂固化而获得包含平坦化树脂层的复合体；以平坦化树脂层为基准面，在吸附保持复合体的该状态下磨削或研磨晶圆的第二主面；以及，在吸附保持晶圆的第二主面的状态下磨削或研磨晶圆的第一主面。由此，提供一种晶圆的制造方法，其能够制造Warp良好且纳米形貌良好的晶圆。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115668458A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180035510.0
申请日：2021-03-17
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B7/04 , B24B37/005
Abstract: 本发明是一种基板晶圆的制造方法，包含如下步骤：准备具有第一主面及第二主面的晶圆；在第二主面上形成平坦化树脂层；将平坦化树脂层作为基准面而吸附保持，在该状态下，作为第一加工，对第一主面进行研削或研磨；从晶圆去除平坦化树脂层；将经第一加工的第一主面吸附保持，在该状态下，作为第二加工，对第二主面进行研削或研磨；将经第二加工的第二主面吸附保持，在该状态下，作为第三加工，对第一主面进一步进行研削或研磨；以及将经第三加工的第一主面吸附保持，在该状态下，作为第四加工，对第二主面进一步进行研削或研磨，获得基板晶圆；在第一加工和/或第三加工中，以使晶圆具有中凹状或中凸状的厚度分布的方式进行加工。由此，能够提供一种可制造具有翘曲且纳米形貌良好的基板晶圆的基板晶圆的制造方法。
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公开(公告)号：CN111941266B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202010355482.8
申请日：2020-04-29
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种稳定地测量覆盖物的厚度的覆盖物的厚度测量方法、及能够提高研磨后的晶圆的厚度精度的研磨方法。本发明的覆盖物的厚度测量方法通过将长条膜、树脂及晶圆按照该顺序进行层叠，进行按压使得所述膜与具有平坦面的平台接触并使所述树脂固化，从而形成包含所述膜及所述树脂且表面平坦的覆盖物与所述晶圆层叠而成的层叠体，在所述晶圆上的至少一个直径方向上，通过光学传感器在多个测量位置测量所述覆盖物的厚度，其中，将所述晶圆上的、测量所述覆盖物的厚度的所述至少一个直径方向设定为与所述长条膜的MD方向及TD方向不同的方向，而测量所述覆盖物的厚度。
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公开(公告)号：CN117098631A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202280024026.2
申请日：2022-02-21
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B7/17
Abstract: 本发明是一种晶圆的加工方法，其特征在于，使用10000目以上的研磨石对晶圆的表面及与该表面为相反侧的背面进行平面磨削，以使所述背面的加工余量为所述表面的加工余量的1/4倍以下的方式对进行平面磨削后的所述晶圆进行双面研磨。由此，能够提供：一种晶圆的加工方法，其能够选择性地对晶圆的背面进行粗糙化，且能够抑制晶圆因应力而翘曲；及一种晶圆，其背面充分地粗糙化，且翘曲小。
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公开(公告)号：CN118591869A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202380019505.X
申请日：2023-01-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种在硅基板上进行的金刚石生长方法，其特征在于，作为前处理，对所述硅基板表面以使利用拉曼分光法所得的520cm‑1的峰值的拉曼位移成为0.1cm‑1以上的方式进行损伤赋予、或是对所述硅基板表面以使利用AFM测得的表面粗糙度Sa成为10nm以上的方式进行凹凸形成、或是对所述硅基板表面进行所述损伤赋予及所述凹凸形成两者，并通过CVD法使金刚石在进行该前处理后的硅基板上生长。由此，提供一种在硅基板上进行的金刚石生长方法、及在硅基板上进行的选择性金刚石生长方法。
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公开(公告)号：CN111941266A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010355482.8
申请日：2020-04-29
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种稳定地测量覆盖物的厚度的覆盖物的厚度测量方法、及能够提高研磨后的晶圆的厚度精度的研磨方法。本发明的覆盖物的厚度测量方法通过将长条膜、树脂及晶圆按照该顺序进行层叠，进行按压使得所述膜与具有平坦面的平台接触并使所述树脂固化，从而形成包含所述膜及所述树脂且表面平坦的覆盖物与所述晶圆层叠而成的层叠体，在所述晶圆上的至少一个直径方向上，通过光学传感器在多个测量位置测量所述覆盖物的厚度，其中，将所述晶圆上的、测量所述覆盖物的厚度的所述至少一个直径方向设定为与所述长条膜的MD方向及TD方向不同的方向，而测量所述覆盖物的厚度。
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