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公开(公告)号：CN109891553B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201780062555.0
申请日：2017-09-15
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 铃木克佳
IPC: H01L21/265 , H01L21/20
Abstract: 本发明为一种装置形成方法，于单晶硅基板离子注入掺杂物而形成扩散层，并通过激光退火活化扩散层，其中在作为该单晶硅基板而使用该扩散层形成区域的氧浓度未满5ppma的情况下，于通过激光退火活化扩散层之前，进行将该扩散层形成区域的氧浓度予以控制在5ppma以上的步骤。如此一来可提供一种装置形成方法，即便是在扩散层形成区域的氧浓度低的情况下，也能简便地通过激光退火提升掺杂物的活化程度。
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公开(公告)号：CN118591869A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202380019505.X
申请日：2023-01-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种在硅基板上进行的金刚石生长方法，其特征在于，作为前处理，对所述硅基板表面以使利用拉曼分光法所得的520cm‑1的峰值的拉曼位移成为0.1cm‑1以上的方式进行损伤赋予、或是对所述硅基板表面以使利用AFM测得的表面粗糙度Sa成为10nm以上的方式进行凹凸形成、或是对所述硅基板表面进行所述损伤赋予及所述凹凸形成两者，并通过CVD法使金刚石在进行该前处理后的硅基板上生长。由此，提供一种在硅基板上进行的金刚石生长方法、及在硅基板上进行的选择性金刚石生长方法。
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公开(公告)号：CN116685723A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202180088195.8
申请日：2021-12-06
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 铃木克佳
IPC: C30B25/20
Abstract: 本发明涉及一种外延晶圆的制造方法，是在单晶硅晶圆上形成单晶硅层的外延晶圆的制造方法，包含以下工序：通过氢氟酸将所述单晶硅晶圆表面的自然氧化膜去除；在已去除所述自然氧化膜的所述单晶硅晶圆的表面形成氧原子层；以及在形成有所述氧原子层的所述单晶硅晶圆的表面上使所述单晶硅层外延生长，其中，使所述氧原子层的氧的平面浓度为1×1015atoms/cm2以下。由此，提供一种能够将氧原子层稳定且简便地导入至外延层，且具有优质的单晶硅外延层的外延晶圆的制造方法。
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公开(公告)号：CN114930500A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080092094.3
申请日：2020-11-24
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/06 , C23C16/02 , C23C16/24
Abstract: 本发明提供一种外延片的制造方法，其为在由包含硅的IV族元素构成的晶圆上形成单晶硅层的外延片的制造方法，其包括：在含氢气氛下，去除所述由包含硅的IV族元素构成的晶圆表面的自然氧化膜的工序；在去除所述自然氧化膜之后，使所述晶圆氧化，从而形成氧原子层的工序；及在形成所述氧原子层之后，使单晶硅在所述晶圆表面进行外延生长的工序，并且在该制造方法中，将所述氧原子层的氧的平面浓度设为4×1014原子/cm2以下。由此，可提供一种能将氧原子层稳定且简便地导入至外延层，并具有优质单晶硅的外延层的外延片的制造方法。
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公开(公告)号：CN111710598A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010186554.0
申请日：2020-03-17
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 铃木克佳
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明的目的在于提供一种便利性良好，防止离子注入缺陷残留的半导体器件的形成方法。本发明为了达成上述目的而完成，提供一种半导体器件的形成方法，其至少具有在硅基板表面进行碳或含碳分子的离子注入A的工序、与进行掺杂剂的离子注入B的工序，并包含对进行所述离子注入A及所述离子注入B后的所述硅基板进行热处理B，减少所述硅基板的所述掺杂剂的离子注入残留缺陷的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109564856B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201780046457.8
申请日：2017-07-03
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/66 , H01L29/78 , H01L21/20 , H01L21/336
Abstract: 本发明是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体硅基板上形成Fin结构部，并向该Fin结构部进行了离子注入后，在半导体硅基板进行恢复热处理，使Fin结构部的硅再结晶化，以使在形成的Fin结构部的侧壁不出现半导体硅的{111}面的端面的方式对Fin结构部进行加工。由此，提供一种半导体装置的制造方法，其在向Fin结构部进行离子注入并进行恢复热处理时，能够防止向Fin结构部引入缺陷。
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公开(公告)号：CN107210223B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201680006293.1
申请日：2016-01-07
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/322 , C30B29/06 , C30B33/12 , H01L21/26
Abstract: 本发明提供一种硅晶圆的制造方法，透过施加热处理于一被处理硅晶圆，而制造于表层具有无缺陷区域的硅晶圆，制造方法包含：步骤A，透过自上方加热被处理硅晶圆的第一热源，而仅对被处理硅晶圆的上侧的表层以1300℃以上且硅的熔点以下的温度，进行0.01msec以上且100msec以下的第一急速热处理；以及步骤B，透过加热被处理硅晶圆的第二热源所进行的第二急速热处理，而对被处理硅晶圆以1100℃以上且不超过1300℃的温度维持1秒以上且100秒以下，并以30℃/sec以上且150℃/sec以下的降温速度降温。由此，能够于块体能够形成高密度的BMD，TDDB特性良好的单晶硅晶圆。
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公开(公告)号：CN107210223A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680006293.1
申请日：2016-01-07
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/322 , C30B29/06 , C30B33/12 , H01L21/26
Abstract: 本发明提供一种硅晶圆的制造方法，透过施加热处理于一被处理硅晶圆，而制造于表层具有无缺陷区域的硅晶圆，制造方法包含：步骤A，透过自上方加热被处理硅晶圆的第一热源，而仅对被处理硅晶圆的上侧的表层以1300℃以上且硅的熔点以下的温度，进行0.01msec以上且100msec以下的第一急速热处理；以及步骤B，透过加热被处理硅晶圆的第二热源所进行的第二急速热处理，而对被处理硅晶圆以1100℃以上且不超过1300℃的温度维持1秒以上且100秒以下，并以30℃/sec以上且150℃/sec以下的降温速度降温。由此，能够于块体能够形成高密度的BMD，TDDB特性良好的单晶硅晶圆。
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公开(公告)号：CN119365636A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202380046789.1
申请日：2023-05-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/04 , C23C16/27 , C23C16/511 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 本发明是一种金刚石层的生长方法，是根据微波等离子体CVD法的金刚石层的生长方法，其特征在于，该方法具有以下工序：将基板（2）配置于微波等离子体CVD装置（10）的反应容器（1）内；将原料气体（反应气体）（6）导入反应容器（1）内；以及将微波等离子体照射至基板（2）的表面，而使金刚石层在基板（2）的表面上生长，在使所述金刚石层生长的工序中，使基板（2）在与基板（2）的表面平行的方向上移动，以及/或者，使所述微波等离子体的照射位置在与基板（2）的表面平行的方向上移动。由此，提供大直径金刚石基板。
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公开(公告)号：CN109564856A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780046457.8
申请日：2017-07-03
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/66 , H01L29/78 , H01L21/20 , H01L21/336
Abstract: 本发明是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体硅基板上形成Fin结构部，并向该Fin结构部进行了离子注入后，在半导体硅基板进行恢复热处理，使Fin结构部的硅再结晶化，以使在形成的Fin结构部的侧壁不出现半导体硅的{111}面的端面的方式对Fin结构部进行加工。由此，提供一种半导体装置的制造方法，其在向Fin结构部进行离子注入并进行恢复热处理时，能够防止向Fin结构部引入缺陷。
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