公开(公告)号：CN110578168A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910424283.5

申请日：2019-05-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 曲伟峰 ,  砂川健 ,  中杉直

IPC: C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/322

Abstract: 本发明是一种吸除层的形成方法，于单晶硅晶圆的内部形成吸除层，其中对该单晶硅晶圆进行激光的照射，将该激光的聚光点对准于该单晶硅晶圆的内部，由此将该单晶硅晶圆的内部的预定的区域予以多晶硅化，而形成作为该吸除层的多晶硅层。

公开(公告)号：CN111788662B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN201880089052.7

申请日：2018-12-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 曲伟峰 ,  砂川健 ,  中杉直

IPC: H01L21/324 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/322

Abstract: 本发明为一种单晶硅晶圆的热处理方法，其为在氮化性气氛下对Nv区域的单晶硅晶圆进行RTA热处理后，进行第二热处理而将BMD密度控制至规定的BMD密度的热处理方法，所述单晶硅晶圆的热处理方法中，预先求出BMD密度与RTA温度的关系的关系式，根据所述关系式，确定用于得到所述规定的BMD密度的RTA温度。由此，提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，其用于制造表面无缺陷且在块体部分具有规定的BMD密度的退火晶圆及外延晶圆。

公开(公告)号：CN110578168B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN201910424283.5

申请日：2019-05-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 曲伟峰 ,  砂川健 ,  中杉直

IPC: C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/322

Abstract: 本发明是一种吸除层的形成方法，于单晶硅晶圆的内部形成吸除层，其中对该单晶硅晶圆进行激光的照射，将该激光的聚光点对准于该单晶硅晶圆的内部，由此将该单晶硅晶圆的内部的预定的区域予以多晶硅化，而形成作为该吸除层的多晶硅层。

公开(公告)号：CN109564856A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780046457.8

申请日：2017-07-03

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大槻刚 ,  中杉直 ,  竹野博 ,  铃木克佳

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体硅基板上形成Fin结构部，并向该Fin结构部进行了离子注入后，在半导体硅基板进行恢复热处理，使Fin结构部的硅再结晶化，以使在形成的Fin结构部的侧壁不出现半导体硅的{111}面的端面的方式对Fin结构部进行加工。由此，提供一种半导体装置的制造方法，其在向Fin结构部进行离子注入并进行恢复热处理时，能够防止向Fin结构部引入缺陷。

公开(公告)号：CN109564856B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201780046457.8

申请日：2017-07-03

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大槻刚 ,  中杉直 ,  竹野博 ,  铃木克佳

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体硅基板上形成Fin结构部，并向该Fin结构部进行了离子注入后，在半导体硅基板进行恢复热处理，使Fin结构部的硅再结晶化，以使在形成的Fin结构部的侧壁不出现半导体硅的{111}面的端面的方式对Fin结构部进行加工。由此，提供一种半导体装置的制造方法，其在向Fin结构部进行离子注入并进行恢复热处理时，能够防止向Fin结构部引入缺陷。

公开(公告)号：CN111788662A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201880089052.7

申请日：2018-12-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 曲伟峰 ,  砂川健 ,  中杉直

IPC: H01L21/324 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/322

Abstract: 本发明为一种单晶硅晶圆的热处理方法，其为在氮化性气氛下对Nv区域的单晶硅晶圆进行RTA热处理后，进行第二热处理而将BMD密度控制至规定的BMD密度的热处理方法，所述单晶硅晶圆的热处理方法中，预先求出BMD密度与RTA温度的关系的关系式，根据所述关系式，确定用于得到所述规定的BMD密度的RTA温度。由此，提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，其用于制造表面无缺陷且在块体部分具有规定的BMD密度的退火晶圆及外延晶圆。