公开(公告)号：CN115427193B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202180030308.9

申请日：2021-04-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 田中佑宜

IPC: B24B37/08 ,  B24B37/00 ,  B24B37/28 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及一种双面研磨方法，在具有平台中心的旋转平台的上平台与下平台之间设置多片载体，使多片载体分别保持1片以上的晶圆，一边以压送方式供给浆料一边研磨晶圆的双面，其特征在于，使保持于多片载体的晶圆的配置为：从多片载体中选择基准载体，以平台中心为角度中心将与该平台中心及基准载体一起所成的角α最大的1片或2片载体作为对称载体，使得配置于基准载体的晶圆的平均厚度Aμm与配置于对称载体的晶圆的平均厚度Bμm之差为1.0μm以下，而进行晶圆的双面研磨。由此，可提供一种能够提供降低了双面研磨后的平坦度的偏差的晶(56)对比文件王威;阎秋生;潘继生;白振伟.超薄钛酸锶电瓷基片研磨加工工艺优化.现代制造工程.2014,(12),第7-10页.

公开(公告)号：CN115668458A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180035510.0

申请日：2021-03-17

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 多贺稜 ,  田中佑宜

IPC: H01L21/304 ,  B24B1/00 ,  B24B7/04 ,  B24B37/005

Abstract: 本发明是一种基板晶圆的制造方法，包含如下步骤：准备具有第一主面及第二主面的晶圆；在第二主面上形成平坦化树脂层；将平坦化树脂层作为基准面而吸附保持，在该状态下，作为第一加工，对第一主面进行研削或研磨；从晶圆去除平坦化树脂层；将经第一加工的第一主面吸附保持，在该状态下，作为第二加工，对第二主面进行研削或研磨；将经第二加工的第二主面吸附保持，在该状态下，作为第三加工，对第一主面进一步进行研削或研磨；以及将经第三加工的第一主面吸附保持，在该状态下，作为第四加工，对第二主面进一步进行研削或研磨，获得基板晶圆；在第一加工和/或第三加工中，以使晶圆具有中凹状或中凸状的厚度分布的方式进行加工。由此，能够提供一种可制造具有翘曲且纳米形貌良好的基板晶圆的基板晶圆的制造方法。

公开(公告)号：CN113710421A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202080026959.6

申请日：2020-02-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 田中佑宜

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/08 ,  B24B37/12 ,  B24B37/14 ,  B24B53/017 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种双面研磨方法，将晶圆配置于下平台的上表面所贴附的研磨垫、与在所述下平台的上方设置的上平台的下表面所贴附的研磨垫之间，研磨该晶圆的双面，其特征在于，在将上述两个研磨垫间的内周部的空隙与外周部的空隙之差的绝对值作为垫空隙的情况下，将实施所述晶圆的双面的研磨时的所述垫空隙设置为比实施上述两个研磨垫的修整时的所述垫空隙更大。由此，提供一种同时实现了品质等级(加工精度)的提高和布寿命的延长的双面研磨方法。

公开(公告)号：CN108698192B

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201780012780.3

申请日：2017-02-17

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 北爪大地 ,  田中佑宜

IPC: B24B37/08 ,  B24B37/28 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种双面研磨装置用的载体的制造方法，包含准备载体基材及比该载体基材更厚的插入材的准备步骤、将插入材嵌入支承孔而使插入材自载体基材的表面侧及背面侧两者表面突出的嵌入步骤、分别测定自载体基材的表面侧突出的插入材的表面侧突出量及自载体基材的背面侧突出的插入材的背面侧突出量的测定步骤、设定启用研磨载体时的上定盘及下定盘的转速而降低表面侧突出量及背面侧突出量的差值的设定步骤及以经设定的上定盘及下定盘的分别的转速而启用研磨载体的启用研磨步骤。由此能提高双面研磨后的晶圆的边缘部的平坦度。

公开(公告)号：CN110546740B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN201880026667.5

申请日：2018-03-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 田中佑宜 ,  上滨直纪

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/015

Abstract: 本发明提供一种硅晶圆的研磨方法，其具有：第一研磨工序，向贴附于底板的砂布上供给含有磨粒的碱性水溶液，并使研磨头所保持的硅晶圆的表面与所述砂布滑动接触来进行研磨；以及第二研磨工序，向所述砂布供给不含磨粒而含有高分子聚合物的碱性水溶液，并使所述硅晶圆的表面与所述砂布滑动接触来进行研磨，该方法的特征在于，将所述砂布的表面温度控制为所述第二研磨工序中的所述砂布的表面温度比所述第一研磨工序中的所述砂布的表面温度高2℃以上来进行所述硅晶圆的研磨。由此可提供一种兼顾了平面度(Flatness)的提高和表面粗糙度的降低的硅晶圆的研磨方法。

公开(公告)号：CN111405963B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN201980005966.5

申请日：2019-01-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 田中佑宜

IPC: B24B1/00 ,  B24B37/08 ,  B24B57/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明为一种双面研磨方法，是晶圆的双面研磨方法，其在双面研磨装置中，将晶圆保持于形成在载体上的工件保持孔并利用分别贴附有研磨垫的上平台及下平台夹持该晶圆，并一边将浆料从该上平台所具有的供给孔以压送方式供给至研磨面一边进行双面研磨，其中，以从所述上平台的任意直线的一侧的半径上的供给孔供给的浆料的流量的平均值与从所述任意直线的另一侧的半径上的供给孔供给的浆料的流量的平均值之差的绝对值的、相对于从全部供给孔供给的浆料的流量的平均值xave的比率为25％以内的方式，一边进行控制一边研磨。由此，提供一种晶圆的双面研磨方法，其在浆料供给为压送方式的双面研磨装置中抑制晶圆的全局形状(GBIR)的偏差，并且能够减小压送方式下的GBIR的偏差。

公开(公告)号：CN110418696B

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201880018073.X

申请日：2018-03-14

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 田中佑宜 ,  北爪大地

IPC: B24B37/28 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种晶圆的双面研磨方法及双面研磨装置，该方法在双面研磨装置中，配设多个双面研磨用载体对晶圆进行双面研磨，在准备由配设于上平板及下平板之间的多个双面研磨用载体所构成的载体组时，对载体组的所有多个双面研磨用载体，取得根据使用形状测量机测量双面研磨用载体的形状得到的数据所计算的波纹量，选定载体组内的多个双面研磨用载体之间的波纹量的最大值与最小值之差在固定值以下的载体组而进行准备，将该载体组配设于双面研磨装置而对晶圆进行双面研磨。由此，提供能够抑制使用多个双面研磨用载体进行双面研磨所得的晶圆之间的平坦度的差(参差)的晶圆的双面研磨方法及双面研磨装置。

公开(公告)号：CN107148666A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201680004879.4

申请日：2016-01-05

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐佐木拓也 ,  田中佑宜

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B37/24

Abstract: 本发明提供一种抛光布的整理方法，该抛光布用于抛光硅晶圆，该整理方法包含：将由聚胺酯树脂所制的抛光布贴附于抛光机而进行修整后，进行假抛光，接着，通过假抛光进行去除蓄积于抛光布中的抛光残渣的处理，接着，测定抛光布中的抛光残渣量，且基于所测定的抛光残渣量而判定经该假抛光后的抛光布的整理状态。由此，能改善抛光布寿命初期的微粒等级。

公开(公告)号：CN104114322A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201380006959.X

申请日：2013-01-30

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐藤一弥 ,  田中佑宜 ,  小林修一

IPC: B24B37/08 ,  B24B53/00 ,  B24B53/12 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/08 ,  B24B53/017 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明是一种晶片的双面研磨方法，该晶片的双面研磨方法将晶片保持在载具的保持孔中，并将该所保持的晶片夹入粘贴有砂布的上下平台之间，并使上述载具进行自转及公转而同时研磨上述晶片的双面，且以批次方式反复进行该晶片的研磨，上述晶片的双面研磨方法其特征在于，在上述以批次方式反复进行的晶片的研磨中，将上述载具公转的方向在每一批次转换成相反的方向。由此，提供一种能够抑制修整所造成的生产率的降低且能够稳定地得到高平坦度的晶片的晶片的双面研磨方法。

公开(公告)号：CN118661242A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202280092184.1

申请日：2022-12-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 松原寿树 ,  铃木克佳 ,  田中佑宜 ,  铃木温 ,  阿部达夫 ,  大槻刚

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明是一种高频器件用基板，其特征在于，具有：表面具有凹凸的支撑基板、所述支撑基板的所述表面上的金刚石层、以及所述金刚石层上的硅氧化膜层。由此，提供利用高频特性优异的金刚石的高频器件用基板、以及利用高频特性优异的金刚石的高频器件用基板的制造方法。