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公开(公告)号：CN119343486A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202380046231.3
申请日：2023-05-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/24 , C30B25/18 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明为一种异质外延片的制造方法，其为使3C‑SiC单晶膜在单晶硅基板上异质外延生长的异质外延片的制造方法，其包括：使用减压CVD装置，通过氢焙去除单晶硅基板的表面的自然氧化膜的第一工序；一边供给包含碳的源气体，一边在压力为13Pa以上且13332Pa以下、温度为600℃以上且1200℃以下的条件下在单晶硅基板上进行SiC的核形成的第二工序；及一边供给包含碳和硅的源气体，一边在压力为13Pa以上且13332Pa以下、温度为800℃以上且小于1200℃的条件下使SiC单晶生长从而形成3C‑SiC单晶膜的第三工序。由此，提供一种异质外延片的制造方法，其能够效率良好地使质量良好的3C‑SiC单晶膜在单晶硅基板上异质外延生长。
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公开(公告)号：CN119365636A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202380046789.1
申请日：2023-05-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/04 , C23C16/27 , C23C16/511 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 本发明是一种金刚石层的生长方法，是根据微波等离子体CVD法的金刚石层的生长方法，其特征在于，该方法具有以下工序：将基板（2）配置于微波等离子体CVD装置（10）的反应容器（1）内；将原料气体（反应气体）（6）导入反应容器（1）内；以及将微波等离子体照射至基板（2）的表面，而使金刚石层在基板（2）的表面上生长，在使所述金刚石层生长的工序中，使基板（2）在与基板（2）的表面平行的方向上移动，以及/或者，使所述微波等离子体的照射位置在与基板（2）的表面平行的方向上移动。由此，提供大直径金刚石基板。
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公开(公告)号：CN118202096A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202280073933.6
申请日：2022-10-01
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种异质外延片的制造方法，其为使3C‑SiC单晶膜在单晶硅基板上异质外延生长的异质外延片的制造方法，其中，使用减压CVD装置，并包含：通过氢焙去除所述单晶硅基板的表面的自然氧化膜的第一工序；与将包含碳与硅的源气体供给至所述减压CVD装置内从而将所述3C‑SiC单晶膜成膜的第二工序，其中，所述3C‑SiC单晶膜具有与表面上的液体的接触角呈50°以下的润湿性。由此，提供一种异质外延片的制造方法，其能够获得可使质量良好的GaN等在已成膜于单晶硅基板上的3C‑SiC单晶膜上异质外延生长的晶圆。
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公开(公告)号：CN119816631A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380065254.9
申请日：2023-07-12
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种带氮化物半导体层的单晶硅基板，其具有单晶硅基板、在所述单晶硅基板上外延生长而成的3C‑SiC单晶膜及在所述3C‑SiC单晶膜上外延生长而成的氮化物半导体层，所述带氮化物半导体层的单晶硅基板的特征在于，在所述单晶硅基板整体形成有位错，将所述位错平面投影于所述单晶硅基板时的长度(位错长度)为1mm以上，所述位错的密度为10/cm2以上。由此，可提供带氮化物半导体层的单晶硅基板及带氮化物半导体层的单晶硅基板的制造方法，该带氮化物半导体层的单晶硅基板为200mm或300mm这样的大直径的带氮化物半导体层的单晶硅基板，其使用了一般厚度的Si基板，降低了翘曲，尤其没有产生破裂。
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公开(公告)号：CN118591869A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202380019505.X
申请日：2023-01-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种在硅基板上进行的金刚石生长方法，其特征在于，作为前处理，对所述硅基板表面以使利用拉曼分光法所得的520cm‑1的峰值的拉曼位移成为0.1cm‑1以上的方式进行损伤赋予、或是对所述硅基板表面以使利用AFM测得的表面粗糙度Sa成为10nm以上的方式进行凹凸形成、或是对所述硅基板表面进行所述损伤赋予及所述凹凸形成两者，并通过CVD法使金刚石在进行该前处理后的硅基板上生长。由此，提供一种在硅基板上进行的金刚石生长方法、及在硅基板上进行的选择性金刚石生长方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119677900A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380055877.8
申请日：2023-06-20
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是3C‑SiC层叠基板的制造方法，其特征在于，具有：在第一单晶硅基板上使3C‑SiC单晶薄膜进行外延生长的步骤；在所述3C‑SiC单晶薄膜的上表面贴合支承基板的步骤；以及去除所述第一单晶硅基板以制造3C‑SiC层叠基板的步骤。目的是由此提供一种3C‑SiC层叠基板的制造方法。特别是提供一种得到200mmφ和300mmφ这样的大直径的3C‑SiC层叠基板的方法。
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公开(公告)号：CN119654700A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202380056352.6
申请日：2023-07-28
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/20 , H10D86/00 , H10D62/10
Abstract: 本发明是一种量子计算机用硅基板的制造方法，其中，包含以下步骤：通过使用28Si与30Si在硅系原料气体中包含的硅整体中所占的总含量为99.9％以上的Si源气体作为该硅系原料气体在硅基板上进行外延生长，从而形成Si外延层的步骤；对所述Si外延层的表面进行氧化来形成氧(O)的δ掺杂层的步骤；以及，通过使用28Si与30Si在硅系原料气体中包含的硅整体中所占的总含量为99.9％以上的Si源气体在所述δ掺杂层上进行外延生长，从而形成Si外延层的步骤。由此，提供一种量子计算机用硅基板及其制造方法，该量子计算机用硅基板能够抑制29Si的影响，并抑制核自旋的影响。
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公开(公告)号：CN118661242A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202280092184.1
申请日：2022-12-22
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种高频器件用基板，其特征在于，具有：表面具有凹凸的支撑基板、所述支撑基板的所述表面上的金刚石层、以及所述金刚石层上的硅氧化膜层。由此，提供利用高频特性优异的金刚石的高频器件用基板、以及利用高频特性优异的金刚石的高频器件用基板的制造方法。
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公开(公告)号：CN118176329A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202280067121.0
申请日：2022-08-25
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种异质外延膜的制作方法，其为使3C‑SiC单晶膜在单晶Si基板上异质外延生长后将其剥离的异质外延膜的制作方法，该制作方法包括：使用减压CVD装置，通过氢焙去除单晶硅基板的表面的自然氧化膜的第一工序；一边供给包含碳与硅的源气体，一边在1333Pa以下、300～950℃以下的条件下进行SiC的核形成的第二工序；在1333Pa以下、800℃以上且小于1200℃的条件下形成3C‑SiC单晶膜并且在3C‑SiC单晶膜正下方形成空位的第三工序；及利用空位剥离3C‑SiC单晶膜从而制作异质外延膜的第四工序。由此，提供一种对器件造成的损伤少且减少材料的损失而效率良好地得到薄膜状的异质外延膜的方法。
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公开(公告)号：CN118043947A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202280064800.2
申请日：2022-09-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/322 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明为一种外延片的制造方法，其中，使用减压CVD装置，在减压下将含有硅与碳的吸杂外延膜形成在硅基板上，并在该吸杂外延膜上形成硅外延膜。由此，提供一种低成本且低污染的含有碳的外延片及用以制造该外延片的方法。
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